現(xiàn)代電子材料技術(shù)：信息裝備的基石

第一章概論.
1.1電子材料家族成員及其特性
1.1.1龐大的材料家族
1.1.2引入注目的特性
1.2未來戰(zhàn)爭(zhēng)與電子材料
1.2.1現(xiàn)代軍事電子裝備的物質(zhì)基礎(chǔ)和技術(shù)先導(dǎo)
1.2.2提高軍事電子裝備作戰(zhàn)能力的關(guān)鍵
1.2.3促進(jìn)軍事電子裝備小型化.輕量化的可靠保證
1.3走向未來的電子材料
1.3.1搶占“制高點(diǎn)”
1.3.2踏上新的征程
參考文獻(xiàn)
第二章晶體材料的結(jié)構(gòu).物性和制備技術(shù)
2.1概述
2.2晶體材料的結(jié)構(gòu)和物性
2.2.1晶體的結(jié)構(gòu)
2.2.2單晶材料的物性
2.2.3單晶材料的缺陷
2.2.4多晶材料
2.3晶體材料的制備技術(shù)
2.4晶體材料的加工技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第三章半導(dǎo)體材料
3.1概述
3.1.1什么是半導(dǎo)體材料
3.1.2半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)和特性
3.1.3半導(dǎo)體材料的分類
3.2元素半導(dǎo)體材料
3.2.1硅材料
3.2.2其它元素半導(dǎo)體材料
3.3化合物半導(dǎo)體材料
3.3.1Ⅲ—Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料
3.3.2Ⅱ—Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料
3.3.3Ⅳ—Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料
3.3.4三元化合物半導(dǎo)體材料
3.3.5化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)
3.4外延材料
3.4.1硅外延材料
3.4.2砷化鎵氣相外延材料
3.4.3金剛石薄膜
3.4.4碳化硅薄膜材料
3.5半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料
3.5.1半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的基本概念
3.5.2半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的分類方法
3.5.3“能帶工程”與材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
3.5.4半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的生長(zhǎng)方法
3.5.5半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第四章光電子材料
4.1概述
4.2激光晶體
4.2.1激光晶體的組成及工作原理
4.2.2激光晶體的主要類型
4.2.3激光晶體的應(yīng)用
4.2.4激光晶體的發(fā)展趨勢(shì)
4.3紅外探測(cè)器材料
4.3.1紅外探測(cè)器材料分類
4.3.2幾種重要的紅外探測(cè)器材料及其應(yīng)用
4.3.3紅外探測(cè)器材料的發(fā)展趨勢(shì)
4.4非線性光學(xué)晶體
4.4.1非線性光學(xué)晶體的工作原理
4.4.2幾種主要的非線性光學(xué)晶體
4.4.3非線性光學(xué)晶體的應(yīng)用
4.4.4非線性光學(xué)晶體的發(fā)展趨勢(shì)
4.5光纖材料
4.5.1光纖工作原理
4.5.2光纖的主要類型
4.5.3光纖的應(yīng)用
4.5.4光纖的發(fā)展趨勢(shì)
4.6顯示用液晶材料
4.6.1液晶的基本概念
4.6.2液晶顯示(扭曲向列型)原理
4.6.3顯示用液晶材料的類型及特性
4.6.4顯示用液晶材料的發(fā)展趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第五章壓電與聲光晶體材料
5.1概述
5.2壓電晶體材料
5.2.1晶體的壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)
5.2.2什么是壓電晶體材料
5.2.3壓電晶體材料的應(yīng)用
5.3熱釋電晶體材料
5.3.1晶體的熱釋電效應(yīng)
5.3.2什么是熱釋電晶體材料
5.3.3熱釋電晶體材料的應(yīng)用
5.4鐵電晶體材料..
5.4.1晶體的鐵電性
5.4.2什么是鐵電晶體材料
5.4.3鐵電晶體材料的應(yīng)用
5.5電光晶體材料
5.5.1晶體的電光效應(yīng)
5.5.2什么是電光晶體材料
5.5.3電光晶體材料的應(yīng)用
5.6聲光晶體材料
5.6.1晶體的聲光效應(yīng)
5.6.2什么是聲光晶體材料
5.7磁光晶體材料
5.7.1晶體的磁光效應(yīng)
5.7.2什么是磁光晶體材料
5.7.3磁光晶體材料的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第六章磁性材料
6.1概述
6.1.1磁現(xiàn)象與磁性材料
6.1.2磁性材料的磁化特性及其參數(shù)
6.1.3磁性材料的分類
6.1.4磁性材料與軍事屯子技術(shù)
6.1.5磁性材料的發(fā)展
6.2永磁材料
6.2.1永磁材料的基本特性及主要參數(shù)
6.2.2幾種主要的永磁材料
6.2.3永磁材料的應(yīng)用
6.2.4永磁材料的發(fā)展趨勢(shì)
6.3軟磁材料
6.3.1軟磁材料特性及主要參數(shù)
6.3.2幾種主要軟磁材料
6.3.3軟磁材料的應(yīng)用
6.3.4軟磁材料的發(fā)展趨勢(shì)
6.4旋磁(微波)鐵氧體材料
6.4.1旋磁(微波)鐵氧體材料的性能參數(shù)
6.4.2常用旋磁(微波)鐵氧體材料
6.4.3旋磁(微波)鐵氧體材料的應(yīng)用
6.5磁記錄與磁存儲(chǔ)材料
6.5.1磁記錄與磁存儲(chǔ)材料的效應(yīng)及有關(guān)特性
6.5.2磁記錄與磁存儲(chǔ)的基本原理及材料分類
6.5.3幾種主要的磁記錄與磁存儲(chǔ)材料
6.5.4磁記錄與磁存儲(chǔ)材料的應(yīng)用
6.6新型磁性材料
6.6.1非晶態(tài)磁性合金
6.6.2磁性液體
6.6.3巨磁致伸縮材料
6.7微波吸收材料
6.7.1磁性微波吸收材料及基本特性
6.7.2鐵氧體微波吸收材料
6.7.3復(fù)合鐵氧體微波吸收材料及吸收體
6.7.4微波吸收材料的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第七章電子陶瓷材料
7.1概述
7.1.1電子陶瓷材料的基本概念
7.1.2電子陶瓷材料的作用和地位
7.2介電陶瓷材料
7.2.1陶瓷的介電性
7.2.2電容器陶瓷
7.2.3微波陶瓷
7.2.4集成電路(IC)基片用陶瓷
7.2.5電致伸縮陶瓷
7.3鐵電陶瓷材料
7.3.1陶瓷的鐵電性
7.3.2壓電陶瓷
7.3.3熱釋電陶瓷
7.3.4電光陶瓷
7.3.5鐵電存儲(chǔ)器用陶瓷薄膜
7.4導(dǎo)電陶瓷材料
7.4.1陶瓷的導(dǎo)電性
7.4.2熱敏半導(dǎo)體陶瓷
7.4.3濕敏半導(dǎo)體陶瓷
7.4.4氣敏半導(dǎo)體陶瓷
7.4.5壓敏半導(dǎo)體陶瓷
7.4.6離子導(dǎo)電陶瓷
7.4.7高溫超導(dǎo)陶瓷
參考文獻(xiàn)
第八章納米材料
8.1概述
8.1.1什么是納米材料
8.1.2納米材料的分類與特性
8.1.3納米材料的制備方法和應(yīng)用前景
8.2納米磁性材料
8.2.1納米磁性材料的基本概念與介觀磁性
8.2.2什么是納米磁性材料
8.2.3納米磁性材料的應(yīng)用
8.3納米陶瓷材料
8.3.1納米陶瓷的基本概念
8.3.2納米陶瓷粉體及薄膜的制備技術(shù)
8.3.3納米陶瓷的性能
8.4硅基納米發(fā)光材料
8.4.1多孔硅發(fā)光材料
8.4.2硅基低維發(fā)光材料
8.5納米碳分子材料
8.5.1納米巴基球材料
8.5.2納米碳管
參考文獻(xiàn)
第九章真空電子器件用材料
9.1概述
9.2特種W.Mo合金
9.2.1W—Cu和Mo—Cu合金
9.2.2W—Re合金
9.3強(qiáng)化銅和彌散無氧銅
9.3.1非彌散強(qiáng)化銅
9.3.2彌散強(qiáng)化無氧銅
9.4真空電子器件用特種陶瓷
9.4.1BN陶瓷
9.4.2衰減陶瓷
9.5真空電子器件用吸氣劑
9.5.1單質(zhì)型(Zr.Ti)吸氣劑
9.5.2鋯鋁吸氣劑
9.5.3鋯石墨吸氣劑
9.5.4鋯釩鐵吸氣劑
9.6真空電子器件用陰極
9.6.1鋇鎢陰極的改進(jìn)型
9.6.2氧化物陰極
9.6.3大電流密度的新型陰極
9.7其它特種材料
9.7.1鈀—鋇合金
9.7.2真空微電子器件用材料
參考文獻(xiàn)
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