注冊 | 登錄讀書好,好讀書,讀好書!
讀書網-DuShu.com
當前位置: 首頁出版圖書科學技術計算機/網絡網絡與數(shù)據(jù)通信網絡通信綜合VLSI設計基礎

VLSI設計基礎

VLSI設計基礎

定 價:¥23.00

作 者: 李偉華編著
出版社: 電子工業(yè)出版社
叢編項: 21世紀高等學校電子信息類教材
標 簽: VLSI設計

ISBN: 9787505380561 出版時間: 2002-10-01 包裝: 平裝
開本: 26cm 頁數(shù): 247 字數(shù):  

內容簡介

  本教材介紹了五個方面的內容:MOS器件基本原理以及主要的特性,VLSI中邏輯結構的主要設計方法,用于VLSI系統(tǒng)的模擬集成單元設計方法,VLSI的測試問題與相關技術,VLSI設計系統(tǒng)及其組成。涉及了五個方面的基礎知識:MOS器件基礎知識,半導體工藝基礎知識,集成電路版圖基礎知識,邏輯、電路設計基礎知識和CAD基礎知識。本書作為VLSI設計基礎教材,注重相關理論的結論和知識的應用??勺鳛楸究粕滩暮脱芯可鷧⒖紩?,也可供有關專業(yè)的工程技術人員參考。

作者簡介

暫缺《VLSI設計基礎》作者簡介

圖書目錄

第1章  VLSI設計基礎概述                  
 1.1  VLSI設計技術基礎與主流制造技術                  
 1.2  VLSI設計方法與設計技術                  
 1.3  新技術對VLSI的貢獻                  
 1.4  ASIC和VLSI                  
 1.5  SOC                  
 1.6  VLSI的版圖結構和設計技術                  
 1.6.1  VLSI的版圖總體結構                  
 1.6.2  VLSI版圖的內部結構                  
 第2章  MOS器件與工藝基礎                  
 2.1  MOS晶體管基礎                  
 2.1.1  MOS晶體管結構及基本工作原理                  
 2.1.2  MOS晶體管的閾值電壓VT                  
 2.1.3  MOS晶體管的電流-電壓方程                  
 2.1.4  MOS晶體管的平方律轉移特性                  
 2.1.5  MOS晶體管的跨導gm                  
 2.1.6  MOS晶體管的直流導通電阻                  
 2.1.7  MOS晶體管的交流電阻                  
 2.1.8  MOS晶體管的最高工作頻率                  
 2.1.9  MOS晶體管的襯底偏置效應                  
 2.1.10  CMOS結構                  
 2.2  CMOS邏輯部件                  
 2.2.1  CMOS倒相器設計                  
 2.2.2  CMOS與非門和或非門的結構及其等效倒相器設計方法                  
 2.2.3  其他CMOS邏輯門                  
 2.2.4  D觸發(fā)器                  
 2.2.5  內部信號的分布式驅動結構                  
 2.3  MOS集成電路工藝基礎                  
 2.3.1  基本的集成電路加工工藝                  
 2.3.2  CMOS工藝的主要流程                  
 2.3.3  Bi-CMOS工藝技術                  
 第3章  工藝與設計接口                  
 3.1  工藝對設計的制約與工藝抽象                  
 3.1.1  工藝對設計的制約                  
 3.1.2  工藝抽象                  
 3.2  設計規(guī)則                  
 3.2.1  幾何設計規(guī)則                  
 3.2.2  電學設計規(guī)則                  
 3.2.3  設計規(guī)則在VLSI設計中的應用                  
 第4章  晶體管規(guī)則陣列設計技術                  
 4.1  晶體管陣列及其邏輯設計應用                  
 4.1.1  全NMOS結構ROM                  
 4.1.2  ROM版圖                  
 4.2  MOS晶體管開關邏輯                  
 4.2.1  開關邏輯                  
 4.2.2  棒狀圖                  
 4.3  PLA及其拓展結構                  
 4.3.1  “與非-與非”陣列結構                  
 4.3.2  “或非-或非”陣列結構                  
 4.3.3  多級門陣列(MGA)                  
 4.4  門陣列                  
 4.4.1  門陣列單元                  
 4.4.2  整體結構設計準則                  
 4.4.3  門陣列在VLSI設計中的應用形式                  
 4.5  晶體管規(guī)則陣列設計技術應用                  
 第5章  單元庫設計技術                  
 5.1  單元庫概念                  
 5.2  標準單元設計技術                  
 5.2.1  標準單元描述                  
 5.2.2  標準單元庫設計                  
 5.2.3  輸入. 輸出單元(I/O PAD)                  
 5.3  積木塊設計技術                  
 5.4  單元庫技術的拓展                  
 第6章  微處理器                  
 6.1  系統(tǒng)結構概述                  
 6.2  微處理器單元設計                  
 6.2.1  控制器單元                  
 6.2.2  算術邏輯單元(ALU)                  
 6.2.3  乘法器                  
 6.2.4  移位器                  
 6.2.5  寄存器                  
 6.2.6  堆棧                  
 6.3  存儲器組織                  
 6.3.1  存儲器組織結構                  
 6.3.2  行譯碼器結構                  
 6.3.3  列選擇電路結構                  
 第7章  測試技術和可測試性設計                  
 7.1  VLSI可測試性的重要性                  
 7.2  測試基礎                  
 7.2.1  內部節(jié)點測試方法的測試思想                  
 7.2.2  故障模型                  
 7.2.3  可測試性分析                  
 7.2.4  測試矢量生成                  
 7.3  可測試性設計                  
 7.3.1  分塊測試                  
 7.3.2  可測試性的改善設計                  
 7.3.3  內建自測試技術                  
 7.3.4  掃描測試技術                  
 第8章  模擬單元與變換電路                  
 8.1  模擬集成電路中的基本元件                  
 8.1.1  電阻                  
 8.1.2  電容                  
 8.2  基本偏置電路                  
 8.2.1  電流偏置電路                  
 8.2.2  電壓偏置電路                  
 8.3  放大電路                  
 8.3.1  單級倒相放大器                  
 8.3.2  差分放大器                  
 8.3.3  源極跟隨器                  
 8.3.4  MOS輸出放大器                  
 8.4  運算放大器                  
 8.4.1  兩級CMOS運放                  
 8.4.2  CMOS共源-共柵(cascode)運放                  
 8.4.3  帶有推挽輸出級的運放                  
 8.4.4  采用襯底晶體管輸出級的運放                  
 8.5  電壓比較器                  
 8.5.1  電壓比較器的電壓傳輸特性                  
 8.5.2  差分電壓比較器                  
 8.5.3  兩級電壓比較器                  
 8.6  D/A. A/D變換電路                  
 8.6.1  D/A變換電路                  
 8.6.2  A/D變換電路                  
 8.7  模擬集成電路單元的版圖設計                  
 8.7.1  大尺寸MOS管的版圖設計                  
 8.7.2  器件的失配問題                  
 8.7.3  多層金屬版圖的互連問題                  
 第9章  VHDL和Verilog HDL                  
 9.1  硬件描述語言概述                  
 9.2  VHDL                  
 9.2.1  一些簡單的例子                  
 9.2.2  VHDL源程序的基本結構                  
 9.2.3  VHDL的數(shù)據(jù)類型及運算操作符                  
 9.2.4  VHDL的主要描述語句                  
 9.2.5  仿真簡介                  
 9.3  Verilog HDL                  
 9.3.1  簡單的例子                  
 9.3.2  Verilog HDL源程序的基本結構                  
 9.3.3  Verilog HDL中的數(shù)值. 數(shù)據(jù)類型和參數(shù)                  
 9.3.4  運算操作符                  
 9.3.5  Verilog HDL中的主要描述語句                  
 第10章  設計系統(tǒng)                  
 10.1  設計系統(tǒng)的組織                  
 10.1.1  管理和支持軟件模塊                  
 10.1.2  數(shù)據(jù)庫                  
 10.1.3  應用軟件                  
 10.2  設計流程與軟件的應用                  
 參考文獻                  

本目錄推薦

掃描二維碼
Copyright ? 讀書網 www.stefanvlieger.com 2005-2020, All Rights Reserved.
鄂ICP備15019699號 鄂公網安備 42010302001612號