半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)（曾樹榮）

定　價(jià)：￥36.00

作　者：	曾樹榮編著
出版社：	北京大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體器件

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ISBN：	9787301054567	出版時(shí)間：	2002-02-01	包裝：	膠版紙
開本：	26cm	頁數(shù)：	241	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書內(nèi)容大體可分為兩個(gè)部分。前兩章為第一部分，介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識，包括半導(dǎo)體基本知識和pn結(jié)理論；其余各章為第二部分，闡述主要半導(dǎo)體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應(yīng)器件和光器件。每章末均有習(xí)題，書后附有習(xí)題參考解答。本書簡明扼要，討論深入，內(nèi)容豐富，可作為大學(xué)有關(guān)專業(yè)半導(dǎo)體物理與器件方面課程的教材或參考書，分章節(jié)供本科生和研究生使用；也可供有關(guān)研究人員參考。

作者簡介

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圖書目錄

主要符號表
第一章半導(dǎo)體基本知識
  半導(dǎo)體中的載流子
  晶格振動(dòng)
  載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
  半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
第二章  p-n結(jié)
  熱平衡狀態(tài)
  耗盡區(qū)和耗盡層電容
  直流特性
  交流小信號特性；擴(kuò)散電容
  電荷存儲(chǔ)和反向恢復(fù)時(shí)間
  結(jié)的擊穿
第三章雙極型晶體管
  基本原理
  雙極型晶體管的直流特性
  雙極型晶體管模型
  雙極型晶體管的頻率特性
  雙極型晶體管的開關(guān)特性
  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
  多晶硅發(fā)射極晶體管
  p-n-p-n結(jié)構(gòu)
第四章化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
  肖特基勢壘和歐姆接觸
  GaAs MESFET
  高電子遷移率晶體管
第五章 MOS器件
  MOS結(jié)構(gòu)的基本性質(zhì)
  MOS場效應(yīng)晶體管的基本理論
  短溝道MOSFET
  SOI MOSFET
  埋溝MOSFET
  電荷耦合器件
第六章有源微波二極管
  隧道二極管
  共振隧穿二極管
  IMPATT二極管
  轉(zhuǎn)移電子器件
第七章半導(dǎo)體激光器和光電二極管
  半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
  半導(dǎo)體激光器的工作特性
  雙異質(zhì)結(jié)激光器
  量子阱激光器
  光電二極管
主要參考文獻(xiàn)