微電子制造科學原理與工程技術(shù)（第2版）

第1篇 綜述與題材
第1章 微電子制造引論
1.1 微電子工藝：一個簡單的例子
1.2 單項工藝與工藝技術(shù)
1.3 本課程教程
1.4 小結(jié)
第2章 半導體襯底
2.1 相圖和固溶度
2.2 結(jié)晶學和晶體結(jié)構(gòu)
2.3 晶體缺陷
2.4 直拉法（Czochralski法）單晶生長
2.5 Bridgman法生長GaAs
2.6 區(qū)熔法單晶生長
2.7 圓片的制備和規(guī)格
2.8 小結(jié)及未來趨勢
習題
參考文獻
第2篇 單項工藝1：熱處理和離子注入
第3章 擴散
3.1 一維費克擴散方程
3.2 擴散的原子模型
3.3 費克定律的分析解
3.4 簡單理論的修正
3.5 常見雜質(zhì)的擴散系數(shù)
3.6 擴散分布的分析
3.7 SiO2中的擴散
3.8 擴散系統(tǒng)
3.9 擴散分布的SUPREM模擬
3.10 小結(jié)
習題
參考文獻
第4章 熱氧化
4.1 迪爾和格羅夫氧化模型
4.2 線性和拋物線速率系數(shù)
4.3 初始階段的氧化
4.4 SiO2的結(jié)構(gòu)
4.5 SiO2的特性
4.6 摻雜雜質(zhì)對氧化和多晶氧化過程的影響
4.7 氧化誘生堆垛層錯
4，8 替代的柵絕緣層"
4.9 氧化系統(tǒng)
4.10 SUPREM氧化+
4.11 小結(jié)
習題
參考文獻
第5章 離子注入
5.1 理想化的離子注入系統(tǒng)
5.2 庫侖散射
5.3 垂直投影射程
5.4 溝道效應和橫向投影射程
5.5 注入損傷
5.6 淺結(jié)的形成+
5.7 埋層介質(zhì)+
5.8 離子注入系統(tǒng)的問題和關(guān)注點
5.9 用SUPREM模擬注入的分布"
5.10 小結(jié)
習題
參考文獻
第6章 快速熱處理
6.1 灰體輻射，熱交換和光吸收
6.2 高強度光源和反應腔設計
6.3 溫度測量
6.4 熱塑應力
6.5 雜質(zhì)的快速熱激活
6.6 介質(zhì)的快速熱加工
6.7 硅化物和接觸的形成
6.8 其他的快速熱處理系統(tǒng)
6.9 小結(jié)
習題
參考文獻
第3篇 單元工藝2：圖形轉(zhuǎn)移
第7章 光學光刻
7.1 光學光刻概述
7.2 衍射
7.3 調(diào)制傳輸函數(shù)和光學曝光
7.4 光源系統(tǒng)和空間相干
7.5 接觸式／接近式光刻機
7.6 投影光刻機
7.7 先進掩模概念
7.8 表面反射和駐波
7.9 對準
7.10 小結(jié)
習題
參考文獻
第8章 光刻膠
8.1 光刻膠類型
8.2 有機材料和聚合物
8.3 DQN正膠的典型反應
8.4 對比度曲線
8.5 臨界調(diào)制傳輸函數(shù)
8.6 光刻膠的涂敷和顯影
8.7 二級曝光效應
8.8 先進的光刻膠和光刻膠工藝
8.9 小結(jié)
習題
參考文獻
第9章 非光學光刻技術(shù)
9.1 高能柬與物體之間的相互作用
9.2 直寫電子束光刻系統(tǒng)
9.3 直寫電子束光刻概要和展望
9.4 X射線源
9.5 接近式X射線系統(tǒng)
9.6 薄膜型掩模版
9.7 投影式X射線光刻
9.8 投影電子束光刻（SCALPEL）
9.9 電子束和X射線光刻膠
9.10 MOS器件中的輻射損傷
9.11 小結(jié)
習題
參考文獻
第10章 真空科學和等離子體
10.1 氣體動力學理論
10.2 氣體流動及導率
10.3 壓力范圍和真空泵
10.4 真空密封和壓力測量
10.5 直流輝光放電
10.6 射頻放電
10.7 高密度等離子體
10.8 小結(jié)
習題
參考文獻
第11章 刻蝕
11.1 濕法刻蝕
11.2 化學機械拋光
11.3 等離子刻蝕基本分類
11.4 高壓等離子刻蝕
11.5 離子銑
11.6 反應離子刻蝕
11.7 反應離子刻蝕中的損傷十
11.8 高密度等離子體（HDP）刻蝕
11.9 剝離技術(shù)
11.10 小結(jié)
習題
參考文獻
第4篇 單項工藝3：薄膜
第12章 物理淀積：蒸發(fā)和濺射
12.1 相圖：升華和蒸發(fā)
12.2 淀積速率
12.3 臺階覆蓋
12.4 蒸發(fā)系統(tǒng)：坩鍋加熱技術(shù)
12.5 多組分薄膜
12.6 濺射簡介
12.7 濺射物理
12.8 淀積速率：濺射產(chǎn)額
12.9 高密度等離子濺射
12.10 形貌和臺階覆蓋
12.11 濺射方法
12.12 特殊材料濺射
12.13 淀積膜內(nèi)的應力
12.14 小結(jié)
習題
參考文獻
第13章 化學氣相淀積
13.1 一種簡單的硅淀積CVD系統(tǒng)
13.2 化學平衡和質(zhì)量作用定律
13.3 氣體流動和邊界層
13.4 簡單CVD系統(tǒng)評價
13.5 常壓介質(zhì)CVD
13.6 熱壁系統(tǒng)中的介質(zhì)和半導體低壓CVD
13.7 介質(zhì)的等離子體增強化學氣相淀積（PECVD）
13.8 金屬CVD
13.9 小結(jié)
習題
參考文獻
第14章 外延生長
14.1 圓片清洗和自然氧化物去除
14.2 氣相外延生長的熱動力學
14.3 表面反應
14.4 摻雜劑的引入
14.5 外延生長缺陷
14.6 選擇性生長
14.7 鹵化物輸運GaAs氣相外延
14.8 不共度和應變異質(zhì)外延
14.9 金屬有機物化學氣相淀積（MOCVD）
14.10 先進的硅氣相外延生長技術(shù)
14.11 分子束外延技術(shù)
14.12 BCF理論+
14.13 氣態(tài)源MBE和化學束外延+
14.14 小結(jié)
習題
參考文獻
第5篇 工藝集成
第15章 器件隔離、接觸和金屬化
15.1 PN結(jié)隔離和氧化物隔離
15.2 LOCOS（硅的局部氧化）技術(shù)
15.3 溝槽隔離
15.4 絕緣體上硅隔離技術(shù)
15.5 半絕緣襯底
15.6 肖特基接觸
15.7 注入形成的歐姆接觸
15.8 合金接觸
15.9 多層金屬化
15.10 平坦化和先進的互連工藝
15.11 小結(jié)
習題
參考文獻
第16章 CMOS技術(shù)
16.1 基本長溝道器件特性
16.2 早期MOS工藝技術(shù)
16.3 基本的3um工藝技術(shù)
16.4 器件等比例縮小
16.5 熱載流子效應和漏極工程
16.6 用于堅固氧化物的工藝
16.7 閂鎖效應
16.8 淺源/漏和特定溝道摻雜
16.9 小結(jié)
習題
參考文獻
第17章 GSASI藝技術(shù)
17.1 基本的MESFET工作原理
17.2 基本的MESFET工藝技術(shù)
17.3 數(shù)字電路工藝技術(shù)
17.4 單片微波集成電路技術(shù)
17.5 調(diào)制摻雜場效應晶體管（MODFETs）
17.6 光電子器件
17.7 小結(jié)
習題
參考文獻
第18章 硅雙極型工藝技術(shù)
18.1 雙極型器件回顧；理想與準理想特性
18.2 二階效應
18.3 雙極型晶體管的性能
18.4 早期的雙極型工藝技術(shù)
18.5 先進的雙極型工藝技術(shù)
18.6 雙極型晶體管中的熱載流子效應
18.7 雙極一CMOS兼容工藝技術(shù)（BiCMOS）
18.8 模擬雙極型工藝技術(shù)
18.9 小結(jié)
習題
參考文獻
第19章 微機電系統(tǒng)
19.1 力學基礎知識
19.2 薄膜中的應力
19.3 機械量到電量的變換
19.4 常見MEMS器件力學性質(zhì)
19.5 體微機械制造中的刻蝕技術(shù)
19.6 體微機械工藝流程
19.7 表面微機械制造基礎
19.8 表面微機械加工工藝流程
19.9 MEMS執(zhí)行器
19.10 大高寬比的微系統(tǒng)技術(shù)
19.11 小結(jié)
習題
參考文獻
第20章 集成電路制造
20.1 成品率的預測和追蹤
20.2 顆粒控制
20.3 統(tǒng)計過程控制
20.4 全因素試驗和ANOVA
20.5 試驗設計
20.6 計算機集成制造
20.7 小結(jié)
習題
參考文獻
附錄A 縮寫與通用符號
附錄B 部分半導體材料性質(zhì)
附錄C 物理常數(shù)
附錄D 單位轉(zhuǎn)換因子
附錄E 誤差函數(shù)的一些性質(zhì)
附錄F F數(shù)
附錄G SUPREM指令