可靠性物理

緒論0.1 信息時(shí)代與電子元器件
0.2 電子元器件的質(zhì)量和可靠性第1章 電子元器件的理論基礎(chǔ)1.1 固體及半導(dǎo)體導(dǎo)電理論簡(jiǎn)介
1.2 基礎(chǔ)元件
1.3 pn結(jié)
1.4 晶體三極管
1.5 半導(dǎo)體表面概論
1.6 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
1.7 半導(dǎo)體的光-電子學(xué)效應(yīng)
1.8 真空電子器件基礎(chǔ)
1.9 相圖
1.10 金屬膜及金屬化層
習(xí)題與思考題第2章 電子元器件的技術(shù)基礎(chǔ)2.1 平面工藝與集成電路
2.2 氧化工藝
2.3 刻蝕技術(shù)
2.4 擴(kuò)散法摻雜技術(shù)
2.5 離子注入摻雜技術(shù)
2.6 晶體外延生長技術(shù)
2.7 表面薄膜氣相淀積技術(shù)
2.8 清潔處理
2.9 雙極集成電路制造工藝
2.10 CMOS集成電路制造工藝
2.11 低壓氣體放電和等離子體
2.12 腐蝕
習(xí)題與思考題第3章 電子元器件失效的物理模型3.1 失效與環(huán)境應(yīng)力
3.2 失效物理模型
3.3 失效模式與失效機(jī)理
習(xí)題與思考題第4章 失效分析和破壞性物理分析4.1 電子元器件失效分析的目的及作用
4.2 失效分析工作的流程和通用原則
4.3 失效分析報(bào)告
4.4 失效機(jī)理的驗(yàn)證試驗(yàn)和失效模式的統(tǒng)計(jì)評(píng)估
4.5 電子元器件失效分析的程序
4.6 破壞性物理分析
習(xí)題與思考題第5章 電子元器件失效分析方法5.1 電子元器件失效分析的常用程序及方法
5.2 失效分析中幾種常用方法介紹
5.3 從失效器件的電學(xué)特性分析失效
5.4 電子元器件失效分析技術(shù)
5.5 電子元器件失效分析常用設(shè)備
習(xí)題與思考題第6章 微分析技術(shù)6.1 引言
6.2 電子顯微鏡和X射線譜儀
6.3 俄歇電子能譜（AES）
6.4 二次離子質(zhì)譜（SIMS）
6.5 光電子能譜
6.6 盧瑟夫背散射頻譜學(xué)（RBS）
6.7 其他微分析技術(shù)
6.8 檢測(cè)缺陷的IDDQ測(cè)試技術(shù)
習(xí)題與思考題第7章 在管理工作中的失效分析和失效分析事例7.1 電子元器件失效分析事例
7.2 失效分析在工程管理中的應(yīng)用
習(xí)題與思考題第8章 電子元器件的電極系統(tǒng)及封裝的失效機(jī)理8.1 金屬膜和金屬化層的失效機(jī)理
8.2 金屬的電遷移
8.3 引線鍵合的失效機(jī)理
8.4 電子元器件電極系統(tǒng)焊（壓）接的失效
8.5 芯片貼裝失效機(jī)理
8.6 電子元器件封裝的可靠性
8.7 電極系統(tǒng)和封裝的腐蝕
8.8 電子元器件的熱應(yīng)力失效
8.9 提高電極系統(tǒng)和封裝可靠性的基本保證
習(xí)題與思考題第9章 半導(dǎo)體和微電子器件的失效和可靠性9.1 微電子器件的失效模式和失效機(jī)理
9.2 微電子器件的表面失效模式與失效機(jī)理
9.3 VLSI中金屬—半導(dǎo)體接觸系統(tǒng)的可靠性
9.4 微電子器件的體內(nèi)失效模式和失效機(jī)理
9.5 微電子電路超薄柵介質(zhì)的可靠性
9.6 過電應(yīng)力失效
9.7 閂鎖效應(yīng)
9.8 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的軟誤差
9.9 超大規(guī)模集成電路的主要失效機(jī)理和分析技術(shù)
習(xí)題與思考題第10章 阻容元件的失效模式和失效機(jī)理10.1 電阻器的失效模式與失效機(jī)理
10.2 電位器的失效模式與失效機(jī)理
10.3 電容器的失效模式與失效機(jī)理
10.4 厚膜元件及互連線的失效模式與失效機(jī)理
習(xí)題與思考題第11章 繼電器和連接器的失效機(jī)理分析11.1 接觸元件的可靠性物理
11.2 繼電器、連接器和開關(guān)的失效模式與失效機(jī)理
11.3 繼電器與連接器的失效分析
習(xí)題與思考題第12章 光電子元器件的可靠性12.1 激光器的可靠性
12.2 高功率綠光固體激光器的壽命分析
12.3 紅外探測(cè)器
12.4 光纖傳輸系統(tǒng)
12.5 光電二極管的失效模式和失效機(jī)理
12.6 光纜的失效模式和失效機(jī)理
習(xí)題與思考題第13章 真空電子器件的可靠性13.1 真空電子器件的特點(diǎn)和重要性
13.2 微波管的主要參量
13.3 行波管的失效模式和失效機(jī)理
13.4 真空電子器件陰極的可靠性
習(xí)題與思考題第14章 電子元器件的靜電放電損傷14.1 靜電的產(chǎn)生與來源
14.2 靜電放電模型
14.3 靜電放電靈敏度的測(cè)量
14.4 靜電放電失效模式和失效機(jī)理
14.5 對(duì)ESD敏感元器件的失效機(jī)理和失效模式
14.6 防靜電放電失效的防護(hù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
14.7 靜電放電失效的防護(hù)措施
習(xí)題與思考題第15章 電子元器件的輻射效應(yīng)15.1 輻射環(huán)境
15.2 輻射與物質(zhì)的相互作用
15.3 輻射對(duì)電子元器件性能的影響
15.4 核輻射對(duì)微電子電路的影響
15.5 電子元器件抗輻射加固技術(shù)
15.6 核輻射有關(guān)專業(yè)名詞及技術(shù)用語
習(xí)題與思考題附錄A 部分微分析法一覽表附錄B 兩種表面分析方法的性能比較附錄C 各種表面分析方法的性能比較參考文獻(xiàn)