納米光電功能薄膜

第一章 緒論
§1.1 納米材料在結(jié)構(gòu)方面的分類
1.1.1納米材料的分類
1.1.2零維納米材料的結(jié)構(gòu)
1.1.3一維納米材料的結(jié)構(gòu)
1.1.4二維納米材料的結(jié)構(gòu)
§1.2納米材料的功能和應(yīng)用
1.2.1納米材料的力學性能和應(yīng)用
1.2.2納米材料的熱學性能和應(yīng)用
1.2.3納米材料的電學性能和應(yīng)用
1.2.4納米材料的光學性能和應(yīng)用
1.2.5納米材料的光電性能和應(yīng)用
1.2.6納米材料的磁學性能和應(yīng)用
1.2.7 納米材料的超導性能和應(yīng)用
1.2.8納米材料的化學性能和應(yīng)用
§1.3納米薄膜
1.3.1納米薄膜的分類
1.3.2納米薄膜的功能
§1.4光電功能薄膜
1.4.1光電效應(yīng)
1.4.2光電發(fā)射
1.4.3光電薄膜研究趨勢
參考文獻
第二章 光電功能薄膜的制備
§2.1真空沉積法
2.1.1真空沉積法的實驗原理
2.1.2真空沉積法的基本實驗設(shè)備
2.1.3 Ag-Ba0光電薄膜真空沉積制備法
§2.2濺射法
2.2.1濺射的基本實驗規(guī)律
2.2.2磁控濺射
2.2.3射頻濺射
2.2.4 Ag—Csz0光電薄膜濺射制備法
§2.3薄膜生長機理
2.3.1吸附現(xiàn)象
2.3.2成核和薄膜的初期生長
2.3.3薄膜的形成
2.3.4薄膜生長模式
§2.4影響薄膜生長和性能的一些因素
參考文獻
第三章 納米薄膜材料的表征
§3.1薄膜材料的表征技術(shù)
3.1.1主要表征方法和用途
3.1.2入射粒子與固體表面的相互作用
§3.2原子結(jié)構(gòu)的表征
3.2.1低能電子衍射
3.2.2透射電子顯微鏡
3.2.3掃描電子顯微鏡
3.2.4掃描隧道顯微鏡
3.2.5原子力顯微鏡
3.2.6濺射法制備的Ag—Csz0光電薄膜的結(jié)構(gòu)
§3.3薄膜成分的表征
3.3.1 X射線光電子能譜學
3.3.2俄歇電子能譜學
3.3.3俄歇電子出現(xiàn)電勢譜學
§3.4電子結(jié)構(gòu)和原子態(tài)的表征
3.4.1紫外光電子能譜學
3.4.2拉曼散射譜
3.4.3電子出現(xiàn)勢譜中的伴峰
參考文獻
第四章 納米光電薄膜的能帶結(jié)構(gòu)和電學特性
§4.1能帶理論
4.1.1布里淵區(qū)與能帶
4.1.2原子能級與能帶
4.1.3能態(tài)密度
§4.2薄膜的能帶結(jié)構(gòu)
4.2.1金屬與半導體接觸
4.2.2 Ag-Cs2O薄膜的能帶結(jié)構(gòu)
4.2.3 Ag-Ba0薄膜的能帶結(jié)構(gòu)
4.2.4負電子親和勢
§4.3超晶格薄膜的能帶結(jié)構(gòu)
4.3.1超晶格薄膜的特點
4.3.2 GaAs—A1GaAs超晶格薄膜的能帶結(jié)構(gòu)
4.3.3 InAs—GaSb超晶格薄膜的能帶結(jié)構(gòu)
§4.4薄膜電學特性的測量方法
§4.5導電特性曲線的回路效應(yīng)
參考文獻
第五章 納米光電薄膜的光學特性
§5.1納米粒子的光吸收
5.1.1金屬納米粒子的光吸收
5.1.2納米粒子分散系的丁鐸爾效應(yīng)
5.1.3藍移和紅移現(xiàn)象
5.1.4納米粒子的紫外光吸收特性
5.1.5納米粒子的紅外光吸收和反射
§5.2納米光電薄膜的光吸收譜I
5.2.1納米光電薄膜的光吸收實驗現(xiàn)象
5.2.2金屬納米粒子的表面等離子激元共振吸收
5.2.3薄膜光吸收的有效介質(zhì)理論
5.2.4納米粒子復(fù)合薄膜的光吸收系數(shù)
5.2.5吸收峰位紅移和吸收帶展寬效應(yīng)
5.2.6束縛電子的帶間躍遷吸收
5.2.7雜質(zhì)能級電子的躍遷吸收
§5.3金銀納米粒子一稀土氧化物薄膜光吸收譜
5.3.1金銀納米粒子一稀土氧化物薄膜的光吸收
5.3.2金銀納米粒子與稀土氧化物相互作用
§5.4金屬納米粒子一半導體薄膜在電場作用下的光吸收特性
5.4.1薄膜在電場作用下的近紫外波段光吸收增強現(xiàn)象
5.4.2薄膜在電場作用下的近紅外波段光吸收特性
§5.5 Ag2O納米粒子的光致熒光
5.5.1納米粒子的動態(tài)光致熒光
5.5.2 Ag2O納米粒子的制備
5.5.3 Ag2O納米粒子薄膜的光吸收
5.5.4納米粒子的光致熒光
5.5.5 Ag2O納米粒子光致熒光機理的探討
§5.6 Ag納米粒子埋藏于BaO中的光致熒光增強
5.6.1實驗現(xiàn)象
5.6.2光致熒光增強機理
參考文獻
第六章 金屬納米粒子一半導體薄膜的三階光學非線性效應(yīng)
§6.1光克爾效應(yīng)
6.1.1光學介質(zhì)的非線性極化及其產(chǎn)生的非線性光學效應(yīng)
6.1.2常規(guī)光克爾效應(yīng)的理論描述
6.1.3超外差光克爾效應(yīng)的產(chǎn)生及其理論描述
§6.2金屬納米粒子一半導體薄膜的光克爾效應(yīng)
6.2.1 Ag—Ba0薄膜的光克爾效應(yīng)
6.2.2 Ag—Cs2O薄膜的光克爾效應(yīng)
6.2.3金屬納米粒子一半導體薄膜超快光克爾效應(yīng)機理
§6.3金屬納米粒子薄膜的超外差光克爾效應(yīng)
6.3.1 Au納米粒子薄膜的超外差光克爾信號
6.3.2超外差光克爾信號與瞬態(tài)透射譜之間的對應(yīng)關(guān)系
6.3.3金屬納米粒子薄膜超外差光克爾效應(yīng)的分析
參考文獻
第七章 納米光電發(fā)射薄膜的光電特性
§7.1光電發(fā)射特性
§7.2金屬納米粒子一半導體薄膜的光電靈敏度
7.2.1光譜特性和積分靈敏度
7.2.2特殊光電靈敏度
7.2.3近紅外光電量子產(chǎn)額
§7.3多光子光電發(fā)射
7.3.1多光子光電發(fā)射基本特征
7.3.2多光子光電發(fā)射
7.3.3熱助多光子光電發(fā)射
§7.4內(nèi)場助光電發(fā)射
7.4.1內(nèi)場助光電發(fā)射原理
7.4.2半導體材料的內(nèi)場助光電發(fā)射
7.4.3金屬納米粒子一半導體薄膜內(nèi)場助光電發(fā)射增強特性。
參考文獻
第八章 納米光電薄膜的時間響應(yīng)
§8.1光電發(fā)射的時間響應(yīng)
8.1.1光電發(fā)射時間響應(yīng)的理論模型
8.1.2對Ag-cs2O光電薄膜時間響應(yīng)分析的設(shè)定
8.1.3金屬納米粒子中光電子的傳輸時間
8.1.4光電子穿過Cs2O層到達表面逸出
8.1.5光電子時間傳遞擴展
8.1.6入射光波長(光子能量)對時間響應(yīng)的影響
8.1.7表面位壘對時間響應(yīng)的影響
8.1.8薄膜厚度對時間響應(yīng)的影響
§8.2光學瞬態(tài)時間響應(yīng)
8.2.1光學瞬態(tài)過程的泵浦探測技術(shù)
8.2.2金屬納米粒子一半導體薄膜的光學瞬態(tài)時間響應(yīng)
8.2.3非平衡態(tài)電子弛豫
8.2.4電子與聲子的相互作用
參考文獻
第九章 摻雜稀土元素的光電發(fā)射薄膜
§9.1 摻雜稀土元素對Ag—BaO光電薄膜光電發(fā)射性能的增強
9.1.1樣品制備
9.1.2摻雜稀土元素對光電發(fā)射性能的影響
9.1.3稀土元素對光譜響應(yīng)特性的影響
9.1.4稀土元素對薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
9.1.5稀土元素對光電發(fā)射性能增強機理的分析
§9.2稀土元素在納米金屬粒子一半導體薄膜中的能量傳遞作用
9.2.1 稀土與真空蒸發(fā)沉積Ag納米粒子的金屬間化合
9.2.2稀土金屬及其化合物的4f能級
9.2.3 Ag-BaO薄膜中稀土與Ag金屬間化合物的能量傳遞模型
§9.3 稀土元素對真空蒸發(fā)沉積Ag納米粒子的細化作用
9.3.1稀土對真空蒸發(fā)沉積Ag納米粒子的細化現(xiàn)象
9.3.2物質(zhì)沉積生長動力學
9.3.3稀土元素細化作用的機理
9.3.4納米粒子的密度與基底表面徙動激活能和表面吸附能的關(guān)系
9.3.5 納米粒子密度變化與基底表面徙動激活能和表面吸附能增量的關(guān)系
9.3.6 稀土元素對不同基底表面徙動激活能和表面吸附能的影響
參考文獻
第十章 納米激光功能材料
§10.1 ZnO納米材料
10.1.1 ZnO薄膜的制備
10.1.2 ZnO納米線的制備
10.1.3 ZnO納米線的熒光特性
§10.2 ZnO納米材料的光致激光
10.2.1 ZnO納米微晶的激光發(fā)射
10.2.2 ZnO納米線的激光發(fā)射
§10.3 CdS納米線的電致激光
10.3.1CdS納米線光學諧振腔
10.3.2 CdS納米線電致激光器
§10.4 Si納米晶激光器的前期研究
10.4.1 Si納米晶的制備
10.4.2光發(fā)大
10.4.3納米晶的凈增益橫截面
10.4.4光增益的原因
參考文獻