三維結(jié)構MOS晶體管技術研究

定　價：￥21.90

作　者：	張盛東
出版社：	高等教育出版社
叢編項：
標　簽：	電工技術

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ISBN：	9787040179385	出版時間：	2005-09-01	包裝：	平裝
開本：	32開	頁數(shù)：	316	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書匯集了作者在三維結(jié)構MOS晶體管技術研究方面所取得的主要研究成果。內(nèi)容涉及背柵、平面雙柵、可分離雙柵MOS以及三維集成MOS器件。在背柵器件部分，主要內(nèi)容為全自對準背柵MOS晶體管制作技術研究、多晶硅上高質(zhì)量柵氧化硅生長技術研究以及可用于三維SRAM的高性能背柵器件的研制。在平面雙柵器件部分，主要內(nèi)容有單晶粒硅膜上自對準雙柵MOS晶體管制作技術研究、多柵/多體MOS晶體管概念、可電分離雙柵 MOS晶體管的自對準加工工藝技術研究以及低溫多晶硅雙柵薄膜晶體管的自對準技術研究。在三維器件部分，主要研究了層疊式共柵CMOS電路構建技術。詳細描述了性能可與體硅或SOI 器件相比擬的高性能三維PMOS負載管以及由此構成的垂直自對準三維CMOS反向器的的制備技術。本書可作為半導體和微電子專業(yè)的高年級本科生和研究生以及集成電路領域技術人員的參考書。