硅集成電路工藝基礎(chǔ)

定　價：￥40.00

作　者：	關(guān)旭東
出版社：	北京大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：	普通高等教育十五國家級規(guī)劃教材
標(biāo)　簽：	化學(xué)工業(yè)

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ISBN：	9787301065075	出版時間：	2004-09-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	349	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書系統(tǒng)地講述了硅集成電路制造的基礎(chǔ)工藝，重點(diǎn)放在工藝物理基礎(chǔ)和基本原理上。全書共十章，其中第一章簡單地講述了硅的晶體結(jié)構(gòu)，第二章到第九章分別講述了硅集成電路制造中的基本單項(xiàng)工藝，包括氧化、擴(kuò)散、離子注入、物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最后一章講述的是工藝集成。本書可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生和研究生的教材或參考書，也可供從事集成電路制造的工藝技術(shù)人員閱讀。

作者簡介

暫缺《硅集成電路工藝基礎(chǔ)》作者簡介

圖書目錄

第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)
1.1 硅晶體結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)
1.2 晶向、晶面和堆積模型
1.3 硅晶體中的缺陷
1.4 硅中雜質(zhì)
1.5 雜質(zhì)在硅晶體中溶解度
參考文獻(xiàn)
第二章氧化
2.1 SiO2的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.3 硅的熱氧化生長動力學(xué)
2.4 硅的熱氧化生長動力學(xué)
2.5 決定氧化過程中的雜質(zhì)再分布
2.6 初始氧化階段以及薄氧化層的生長
2.7 Si-SiO2界面特性
參考文獻(xiàn)
第三章擴(kuò)散
3.1 雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)構(gòu)
3.2 擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散方程
3.3 擴(kuò)散雜質(zhì)的分布
3.4 影響雜質(zhì)分布的其他因素
3.5 擴(kuò)散工藝
3.6 擴(kuò)散工藝的發(fā)展
參考文獻(xiàn)
第四章離子注入
4.1 核碰撞和電子碰撞
4.2 注入離子在無定形靶中的分布
4.3 注入損傷
4.4 熱退火
參考文獻(xiàn)
第五章物理氣相淀積
5.1 真空蒸發(fā)法制備薄的基本原理
5.2 蒸發(fā)源
5.3 氣體輝光放電
5.4 濺射
參考文獻(xiàn)
第六章化學(xué)氣相淀積
6.1 CVD模型
6.2 化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)
6.3 CVD多晶硅的特性和淀積方法
6.4 CVD二氧化硅的特性和淀積方法
6.5 CVD氮化硅的特性及淀積方法
6.6 金屬的化學(xué)氣相淀積
參考文獻(xiàn)
第七章外延
第八章光刻與刻蝕工藝
第九章金屬化與多層互連
第十章工藝集成
附錄
縮略語及物理量