半導(dǎo)體器件：電力、敏感、光子、微波器件

第一篇電力電子器件
第1章電力電子器件概述
1.1電力電子學(xué)與電力半導(dǎo)體
1.2電力器件的分類(lèi)
1.3電力器件的基本應(yīng)用
第2章晶閘管
2.1晶閘管的基本結(jié)構(gòu).等效電路及特性
2.2晶閘管的工作原理
一.pnpn器件的導(dǎo)通物理過(guò)程
二.晶閘管的導(dǎo)通機(jī)理
三.觸發(fā)機(jī)構(gòu)
2.3阻斷模式
一.雪崩擊穿與穿通效應(yīng)
二.晶閘管的最佳反向阻斷電壓
三.晶閘管的正向阻斷電壓
四.晶閘管的最小長(zhǎng)基區(qū)寬度wn(min)
2.4表面成型技術(shù)
一.半導(dǎo)體表面理論的幾種基本觀點(diǎn)
二.正斜角.負(fù)斜角及電場(chǎng)分布
三.電力器件的表面成型
2.5門(mén)極特性
一.門(mén)極模型
二.晶閘管的短基區(qū)寬度
2.6通態(tài)特性及功率損耗
一.正向傳導(dǎo)模式
二.晶閘管的通態(tài)電壓
三.晶閘管的功耗及熱學(xué)設(shè)計(jì)
2.7動(dòng)態(tài)特性
一.開(kāi)通特性
二.耐量
三.效應(yīng)
四.關(guān)斷過(guò)程
第3章特殊型晶閘管
3.1雙向晶閘管
一.雙向晶閘管的基本結(jié)構(gòu)及特性
二.觸發(fā)方式及其原理
三.雙向晶閘管的有關(guān)特性
3.2逆導(dǎo)晶閘管
一.逆導(dǎo)晶閘管的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
二.逆導(dǎo)晶閘管的工作原理及換流特性
三.改善換流特性的措施
3.3光控晶閘管
一.概述
二.光控晶閘管的工作原理
三.光觸發(fā)靈敏度及光敏區(qū)結(jié)構(gòu)
四.LTT的光源
3.4GTO
一.概述
二.GTO的工作原理
三.GTO的結(jié)構(gòu)
第4章現(xiàn)代電力電子器件
4.1功率MOSFET
一.功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
二.功率MOSFET的主要特性
4.2IGBT及其應(yīng)用
一.IGBT的基本結(jié)構(gòu)及工作原理
二.IGBT的擎住現(xiàn)象
三.IGBT的特性及應(yīng)用中的幾個(gè)問(wèn)題
4.3MOS控制晶閘管
一.MCT的基本結(jié)構(gòu)及工作原理
二.MCT的主要特點(diǎn)4.4GCT與IEGT
一.GCT（GateCommutatedTurnoff）
二.可耐高壓的IEGT
4.5功率集成電路(PIC)
一.單片三相逆變器IC
二.工藝方法.器件技術(shù)
三.介質(zhì)隔離的功率IC及特征
4.6SiC功率器件
一.期待中的SiC器件
二.器件電特性與物理參
數(shù)的關(guān)系
參考文獻(xiàn)
習(xí)題一
第二篇半導(dǎo)體敏感器件
第5章敏感器件概論
5.1傳感器及其分類(lèi)
5.2敏感器件所用材料
一.半導(dǎo)體材料的敏感特性
二.非晶硅半導(dǎo)體
三.金屬氧化物半導(dǎo)體
四.傳感器用光纖材料
5.3敏感器件的研究方向
第6章半導(dǎo)體溫敏器件
6.1溫度傳感器的發(fā)展
6.2半導(dǎo)體陶瓷熱敏電阻
一.半導(dǎo)體陶瓷熱敏電阻的種類(lèi)和參數(shù)
二.NTC熱敏電阻
三.PTC熱敏電阻
6.3Ge.Si及SiC單晶熱敏電阻
一.Ge.Si單晶熱敏電阻
二.SiC熱敏電阻
6.4pn結(jié)及晶體管溫敏器件
一.pn結(jié)正向電壓的溫度特性
二.晶體管溫度敏感器
三.SiCpn結(jié)溫度敏感器件
6.5集成溫度傳感器
第7章半導(dǎo)體力敏器件
7.1力學(xué)量和力敏器件
7.2半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)
一.壓阻效應(yīng)
二.應(yīng)變靈敏度
三.壓阻系數(shù)
7.3電阻式硅膜片壓力敏感器件
一.電橋原理
二.膜片形狀及電阻配置
三.材料的導(dǎo)電類(lèi)型及晶向
四.芯片尺寸
五.力敏電阻的設(shè)計(jì)
7.4壓敏二極管及壓敏晶體管
一.壓敏二極管
二.壓敏晶體管
7.5集成壓力傳感器
7.6力敏傳感器的應(yīng)用
第8章半導(dǎo)體磁敏器件
8.1霍爾器件
一.霍爾效應(yīng)
二.霍爾器件的結(jié)構(gòu)和工藝
三.參數(shù)與特性
四.霍爾器件的設(shè)計(jì)考慮
8.2磁阻器件
一.磁阻效應(yīng)
二.設(shè)計(jì)與制作
8.3磁敏二極管
一.工作原理及結(jié)構(gòu)尺寸
二.基本特性
8.4磁敏晶體管
一.長(zhǎng)基區(qū)磁敏三極管
二.磁敏MOSFET
8.5磁敏集成電路
8.6磁敏器件的應(yīng)用
第9章半導(dǎo)體離子敏感器件
9.1ISFET的特點(diǎn)與應(yīng)用
9.2基本工作原理
9.3ISFET的設(shè)計(jì)和工藝
一.FET的設(shè)計(jì)特點(diǎn)
二.離子敏感膜的類(lèi)型和制備
9.4ISFET的特性和參數(shù)
9.5生物膜敏感器件
9.6多功能集成ISFET
第10章半導(dǎo)體濕敏器件
10.1濕度和濕敏器件
10.2濕敏器件的基本特性
10.3氧化物半導(dǎo)體濕敏器件
10.4氧化鋁及高分子濕敏器件
一.A12O3濕敏器件的結(jié)構(gòu)和工藝
二.多孔膜的感濕機(jī)理
三.濕敏特性
四.高分子濕敏器件
10.5MOS濕敏器件及集成化
10.6濕敏器件的應(yīng)用
第11章半導(dǎo)體氣敏器件
11.1氣敏器件的類(lèi)型
11.2氧化物半導(dǎo)體氣敏元件
一.敏感機(jī)理
二.特性及影響因素
三.常見(jiàn)陶瓷氣敏元件
11.3半導(dǎo)體氣敏二極管
11.4MOSFET氣敏器件及多功能集成氣敏器件
一.H2敏MOSFET
二.CO敏MOSFET
三.氣敏器件的多功能化.集成化
11.5氣敏器件的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
習(xí)題二
第三篇半導(dǎo)體光子器件
第12章半導(dǎo)體太陽(yáng)電池
12.1半導(dǎo)體太陽(yáng)電池的光生伏特效應(yīng)
一.光伏效應(yīng)的兩個(gè)基本條件
二.等效電路.伏安特性及輸出特性
12.2太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率
一.太陽(yáng)輻射光譜AM0和AM15
二.太陽(yáng)電池的理論效率
三.影響太陽(yáng)電池效率的一些因素
12.3高效率太陽(yáng)電池的發(fā)展
一.高效率硅太陽(yáng)電池的發(fā)展
二.高效.長(zhǎng)壽命砷化鎵太陽(yáng)電池
12.4低成本太陽(yáng)電池
一.太陽(yáng)電池級(jí)硅(SOGSi)
二.多晶硅太陽(yáng)電池
三.非晶硅太陽(yáng)電池
第13章半導(dǎo)體光電探測(cè)器
13.1概述
13.2光敏電阻
一.結(jié)構(gòu).原理及參數(shù)
二.主要光敏電阻的分類(lèi).用途及特點(diǎn)
13.3光敏二極管
一.光敏二極管的特點(diǎn)
二.耗盡層光敏二極管
三.雪崩光敏二極管
13.4光伏控制器件
一.雙極型光敏晶體管
二.光敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第14章CCD攝像傳感器件
14.1概述
14.2CCD攝像器件的作用及工作方式
14.3工作的物理基礎(chǔ)
一.光電轉(zhuǎn)換-信息電荷"圖像"產(chǎn)生
二.電荷存儲(chǔ)
三.電荷轉(zhuǎn)移.轉(zhuǎn)移效率及頻率響應(yīng)
14.4分類(lèi).用途.結(jié)構(gòu)及工作原理
一.分類(lèi)與用途
二.幀傳輸CCD面型攝像器件的結(jié)構(gòu)
三.工作過(guò)程
第15章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
15.1pn結(jié)注入式場(chǎng)致發(fā)光原理
一.激發(fā)
二.復(fù)合
15.2發(fā)光二極管
一.可見(jiàn)光發(fā)光二極管
二.紅外上轉(zhuǎn)換發(fā)光管
三.紅外發(fā)光二極管
15.3半導(dǎo)體激光器
一.半導(dǎo)體激光器特點(diǎn)及材料
二.半導(dǎo)體受激發(fā)射
三.不同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器
參考文獻(xiàn)
習(xí)題三
第四篇微波半導(dǎo)體器件
第16章微波二極管
16.1變?nèi)荻O管
一.變?nèi)荻O管基本工作原理
二.變?nèi)荻O管主要參數(shù)
三.變?nèi)荻O管結(jié)構(gòu)和工藝
四.調(diào)諧變?nèi)荻O管
16.2階躍恢復(fù)二極管
16.3pin二極管
一.結(jié)構(gòu)及工藝
二.基本工作原理
三.特性與參數(shù)
16.4雪崩渡越時(shí)間二極管
一.崩越二極管基本工作原理
二.結(jié)構(gòu)與工藝
三.主要參數(shù)
四.勢(shì)越二極管和速越二極管
16.5肖特基勢(shì)壘二極管
一.肖特基勢(shì)壘
二.伏安特性
三.等效電路和參數(shù)
四.結(jié)構(gòu)和工藝
第17章轉(zhuǎn)移電子器件
17.1轉(zhuǎn)移電子效應(yīng)
17.2高場(chǎng)疇
17.3基本工作模式
17.4限累二極管
17.5結(jié)構(gòu).工藝及特性
第18章微波雙極晶體管
18.1微波晶體管的S參量
18.2硅微波雙極晶體管
18.3異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
一.HBT的理論基礎(chǔ)
二.HBT的制作方法與結(jié)構(gòu)
三.HBT的特性
四.HBT的設(shè)計(jì)
五.Si/SiGe/SiHBT
第19章微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管
19.1砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
一.GaAs　MESFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
二.GaAs　MESFET的主要特性
三.低噪聲GaAs　MESFET
四.功率GaAs　MESFET
19.2高電子遷移率晶體管
一.基本工作原理
二.特性
三.結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)
四.PHEMT和InPHEMT
19.3真空微電子器件
一.基本工作原理和結(jié)構(gòu)
二.材料及工藝
參考文獻(xiàn)
習(xí)題四