半導(dǎo)體集成電路制造手冊(cè)

第一部分 半導(dǎo)體基礎(chǔ)介紹及基本原材料
第1章 半導(dǎo)體芯片制造綜述
1.1 概述
1.2 半導(dǎo)體芯片
1.3 摩爾定律
1.4 芯片的設(shè)計(jì)
1.5 芯片生產(chǎn)的環(huán)境
1.6 芯片的生產(chǎn)
參考文獻(xiàn)
第2章 集成電路設(shè)計(jì)
2.1 概述
2.2 集成電路的類(lèi)型
2.3 p-n結(jié)
2.4 晶體管
2.5 集成電路設(shè)計(jì)
2.6 集成電路設(shè)計(jì)的未來(lái)走向及問(wèn)題
參考文獻(xiàn)
第3章 半導(dǎo)體制造的硅襯底
3.1 概述
3.2 硅襯底材料的關(guān)鍵特性
3.3 硅晶圓制造基礎(chǔ)
3.4 硅襯底材料
3.5 硅襯底制造中的關(guān)鍵問(wèn)題和挑戰(zhàn)
3.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第4章 銅和低κ介質(zhì)及其可靠性
4.1 概述
4.2 銅互連技術(shù)
4.3 低κ介質(zhì)技術(shù)
4.4 銅/低κ介質(zhì)的可靠性
參考文獻(xiàn)
第5章 硅化物形成基礎(chǔ)
5.1 概述
5.2 硅上工藝基礎(chǔ)
5.3 未來(lái)趨勢(shì)和納米級(jí)硅化物的形成
5.4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第6章 等離子工藝控制
6.1 概述
6.2 等離子體的產(chǎn)生和工藝控制的基本原理
6.3 工藝控制和量測(cè)
6.4 干法刻蝕的特性
6.5 未來(lái)趨勢(shì)和結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第7章 真空技術(shù)
7.1 真空技術(shù)概述
7.2 測(cè)量低氣壓壓力的方法
7.3 產(chǎn)生真空的方法
7.4 真空系統(tǒng)的組成部件
7.5 泄漏探測(cè)
7.6 真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)
7.7 未來(lái)趨勢(shì)和結(jié)論
補(bǔ)充讀物
信息資源
第8章 光刻掩膜版
8.1 概述
8.2 光刻掩膜版基礎(chǔ)
8.3 光刻掩膜版生產(chǎn)設(shè)備
8.4 運(yùn)轉(zhuǎn)、經(jīng)濟(jì)、安全及維護(hù)的考慮
8.5 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第二部分 晶圓處理
第9章 光刻
9.1 光刻工藝
9.2 光學(xué)光刻成像
9.3 光刻膠化學(xué)
9.4 線寬控制
9.5 光刻的局限性
補(bǔ)充讀物
第10章 離子注入和快速熱退火
10.1 概述
10.2 離子注入系統(tǒng)的組成部分
10.3 后站結(jié)構(gòu)
10.4 關(guān)鍵工藝和制造問(wèn)題
10.5 離子注入的資源
參考文獻(xiàn)
第11章 濕法刻蝕
11.1 概述
11.2 含hf的化學(xué)刻蝕劑
11.3 金屬刻蝕
11.4 濕法刻蝕在混合半導(dǎo)體中的應(yīng)用
11.5 濕法刻蝕的設(shè)備
11.6 環(huán)境、健康和安全問(wèn)題
參考文獻(xiàn)
第12章 等離子刻蝕
12.1 概述
12.2 硅襯底ic器件制造中的等離子刻蝕
12.3 硅襯底mems器件制造中的等離子刻蝕
12.4 iii-v族混合半導(dǎo)體中的等離子刻蝕
12.5 等離子刻蝕的終點(diǎn)探測(cè)
12.6 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
第13章 物理氣相淀積
13.1 物理氣相淀積概述
13.2 pvd工藝的基本原理
13.3 真空蒸發(fā)
13.4 蒸發(fā)設(shè)備
13.5 蒸發(fā)淀積的層及其性質(zhì)
13.6 濺射
13.7 濺射設(shè)備
13.8 濺射淀積的層
13.9 原子層淀積:薄膜淀積技術(shù)的新遠(yuǎn)景
13.10 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
第14章 化學(xué)氣相淀積
14.1 概述
14.2 原理
14.3 cvd系統(tǒng)的組成
14.4 預(yù)淀積與清洗
14.5 排除故障
14.6 未來(lái)趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第15章 外延生長(zhǎng)

15.1 概述
15.2 用于先進(jìn)cmos技術(shù)的硅外延
15.3 制造
15.4 安全和環(huán)境健康
15.5 外延的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
15.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充讀物
第16章 ecd基礎(chǔ)
16.1 概述
16.2 基本的ecd技術(shù)（電鍍工作原理）
16.3 銅大馬士革ecd工藝的優(yōu)點(diǎn)
16.4 銅ecd的生產(chǎn)線集成
16.5 銅ecd工藝的其他考慮因素
16.6 未來(lái)趨勢(shì)
16.7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第17章 化學(xué)機(jī)械研磨
17.1 cmp概述
17.2 常見(jiàn)的cmp工藝應(yīng)用
17.3 cmp的工藝控制
17.4 后cmp晶圓清洗
17.5 常見(jiàn)的cmp平臺(tái)與設(shè)備
17.6 cmp工藝廢棄物管理
17.7 未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與結(jié)論
參考文獻(xiàn)
信息資源
第18章 濕法清洗
18.1 濕法清洗概述與回顧
18.2 典型半導(dǎo)體制造:濕法清洗工藝
18.3 濕法清洗設(shè)備技術(shù)
18.4 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第三部分 后段制造
第19章 目檢、測(cè)量和測(cè)試
19.1 測(cè)試設(shè)備概述
19.2 測(cè)試設(shè)備基礎(chǔ)和制造自動(dòng)化系統(tǒng)
19.3 如何準(zhǔn)備、計(jì)劃、規(guī)范、選擇供應(yīng)商和購(gòu)買(mǎi)測(cè)試設(shè)備
19.4 操作、安全、校準(zhǔn)、維護(hù)中的考慮因素
19.5 未來(lái)趨勢(shì)和結(jié)論
致謝作者
補(bǔ)充讀物
信息資源
第20章 背面研磨、應(yīng)力消除和劃片
20.1 概述
20.2 背面研磨技術(shù)
20.3 晶圓背面研磨機(jī)
20.4 劃片
20.5 劃片機(jī)
20.6 生產(chǎn)設(shè)備要求
20.7 晶圓減薄
20.8 全合一系統(tǒng)
20.9 未來(lái)技術(shù)趨勢(shì)
補(bǔ)充讀物
第21章 封裝
21.1 概述
21.2 封裝的演變
21.3 凸晶及焊盤(pán)重布技術(shù)
21.4 實(shí)例研究
21.5 光電子和mems封裝
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充讀物
第四部分 納米技術(shù)、mems和fpd
第22章 納米技術(shù)和納米制造
22.1 什么是納米技術(shù)
22.2 納米技術(shù)和生化技術(shù)
22.3 納米制造:途徑和挑戰(zhàn)
22.4 納米制造——不僅僅是工程和工藝
致謝
參考文獻(xiàn)
第23章 微機(jī)電系統(tǒng)基礎(chǔ)
23.1 概述
23.2 mems的技術(shù)基礎(chǔ)
23.3 微機(jī)電系統(tǒng)制造原理
23.4 微機(jī)電系統(tǒng)的應(yīng)用
23.5 未來(lái)的趨勢(shì)
23.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
其他信息
第24章 平板顯示技術(shù)和生產(chǎn)
24.1 概述
24.2 定義
24.3 平板顯示的基礎(chǔ)和原理
24.4 平板顯示的生產(chǎn)工藝
24.5 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
補(bǔ)充讀物
第五部分 氣體和化學(xué)品
第25章 特種氣體和cda系統(tǒng)
25.1 概述
25.2 半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的要求
25.3 法規(guī)的要求和其他通常要在設(shè)計(jì)中考慮的問(wèn)題
25.4 特殊氣體的分配和輸送
25.5 執(zhí)行
25.6 特殊氣體系統(tǒng)的未來(lái)趨勢(shì)
25.7 潔凈干燥空氣
25.8 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充讀物
第26章 廢氣處理系統(tǒng)
26.1 概述
26.2 基本原理
26.3 主要組成部分
26.4 重要考慮因素
26.5 未來(lái)趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第27章 pfc的去除
27.1 高氟碳化合物
27.2 減少pfc排放的策略
27.3 pfc去除理論
27.4 催化法去除
參考文獻(xiàn)
第28章 化學(xué)品和研磨液操作系統(tǒng)
28.1 概述
28.2 化學(xué)品和研磨液操作系統(tǒng)中的要素和重要條件
28.3 設(shè)備
28.4 高純化學(xué)品的混合
28.5 系統(tǒng)的純度
28.6 cmp研磨液系統(tǒng)
28.7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第29章 操控高純液體化學(xué)品和研磨液的部件
29.1 概述
29.2 流體操控部件的材料
29.3 金屬雜質(zhì)、總可氧化碳量和顆粒污染物
29.4 工業(yè)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議
29.5 操控流體的部件
29.6 流體測(cè)量設(shè)備
29.7 工藝控制的應(yīng)用
29.8 結(jié)論
補(bǔ)充讀物
第30章 超純水的基本原理
30.1 概述
30.2 upw系統(tǒng)的單元操作
30.3 初始給水
30.4 預(yù)處理
30.5 初級(jí)處理
30.6 最終處理、拋光和配送
30.7 未來(lái)趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)第六部分 氣體和化學(xué)品
第31章 良品率管理
31.1 概述
31.2 良品率管理定義及其重要性
31.3 良品率管理基本要素及良品率管理系統(tǒng)的執(zhí)行
31.4 優(yōu)化良品率管理系統(tǒng)所要考慮的問(wèn)題
31.5 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
補(bǔ)充讀物
第32章 自動(dòng)物料搬運(yùn)系統(tǒng)
32.1 概述
32.2 amhs的主要組成部分
32.3 amhs的設(shè)計(jì)
32.4 運(yùn)營(yíng)中的考量
32.5 未來(lái)趨勢(shì)
第33章 關(guān)鍵尺寸測(cè)量方法和掃描電鏡
33.1 概述
33.2 關(guān)鍵尺寸測(cè)量基本概念
33.3 掃描電鏡的基本概念
33.4 掃描電鏡規(guī)格和選擇流程
33.5 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第34章 六西格瑪
34.1 什么是六西格瑪
34.2 六西格瑪?shù)幕緩?qiáng)項(xiàng)
34.3 主要的dmaic階段
34.4 六西格瑪設(shè)計(jì)（dfss）
34.5 應(yīng)用實(shí)例
34.6 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
補(bǔ)充讀物
第35章 高級(jí)制程控制
35.1 技術(shù)概況
35.2 高級(jí)制程控制的基本知識(shí)
35.3 應(yīng)用
35.4 應(yīng)用所需要考慮的事項(xiàng)
35.5 未來(lái)趨勢(shì)與結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第36章 半導(dǎo)體生產(chǎn)廠區(qū)環(huán)境、健康和安全方面需要考慮的事項(xiàng)
36.1 概述
36.2 半導(dǎo)體制造過(guò)程中的ehs危害
36.3 適用于半導(dǎo)體制造者的ehs法規(guī)
36.4 遵守法規(guī)之外的期望
36.5 半導(dǎo)體工業(yè)ehs的未來(lái)走向
參考文獻(xiàn)
信息資源
第37章 芯片制造廠的計(jì)劃、設(shè)計(jì)和施工
37.1 概述
37.2 計(jì)劃
37.3 設(shè)計(jì)
37.4 施工
37.5 結(jié)論
致謝
第38章 潔凈室的設(shè)計(jì)和建造
38.1 概述
38.2 潔凈室標(biāo)準(zhǔn)、分類(lèi)和認(rèn)證
38.3 典型潔凈室
38.4 氣流分布與模式
38.5 換氣
38.6 潔凈室的組成
38.7 空調(diào)系統(tǒng)的要求
38.8 工藝污染控制
38.9 振動(dòng)和噪聲控制
38.10 磁性和電磁通量
38.11 空氣和表面靜電電荷
38.12 生命安全
38.13 流體動(dòng)力學(xué)計(jì)算機(jī)模擬
38.14 潔凈室經(jīng)濟(jì)性
38.15 實(shí)踐中的問(wèn)題及解決方案（舉例）
補(bǔ)充讀物
信息資源
第39章 微振動(dòng)和噪聲設(shè)計(jì)
39.1 概述
39.2 測(cè)量方法和標(biāo)準(zhǔn)
39.3 振動(dòng)和噪聲源
39.4 地基和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
39.5 機(jī)械/電動(dòng)/工藝設(shè)計(jì)中的振動(dòng)和噪聲控制
39.6 聲學(xué)設(shè)計(jì)
39.7 機(jī)器廠務(wù)連接
39.8 廠務(wù)振動(dòng)檢測(cè)的目的與時(shí)機(jī)
39.9 振動(dòng)和噪聲環(huán)境的老化
39.10 未來(lái)方向和特例
致謝
參考文獻(xiàn)
第40章 潔凈室環(huán)境中靜電放電的控制
40.1 半導(dǎo)體潔凈室中的靜電電荷
40.2 靜電在潔凈室中的危害
40.3 靜電電荷的產(chǎn)生
40.4 絕緣體和導(dǎo)體
40.5 潔凈室內(nèi)的靜電管理
40.6 空氣離子化對(duì)靜電電荷的控制
40.7 靜電測(cè)量
40.8 空氣離子發(fā)生器的應(yīng)用
40.9 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第41章 氣體分子污染
41.1 化學(xué)污染的介紹及氣體分子污染的定義
41.2 氣體分子污染的分級(jí)
41.3 amc控制的考慮
41.4 amc控制的執(zhí)行
41.5 氣相化學(xué)過(guò)濾器
41.6 干式滌氣過(guò)濾器介質(zhì)
41.7 化學(xué)過(guò)濾系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
41.8 amc監(jiān)控
41.9 amc控制的應(yīng)用區(qū)域
41.10 amc控制的規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
41.11 選擇一種amc控制系統(tǒng)
41.12 最后的考慮
41.13 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
信息來(lái)源
第42章 半導(dǎo)體制造業(yè)中微粒的監(jiān)測(cè)
42.1 概述
42.2 微粒檢測(cè)儀的操作原理
42.3 詳細(xì)說(shuō)明一個(gè)微粒檢測(cè)儀
42.4 關(guān)于在氣體應(yīng)用中的特殊考慮
42.5 關(guān)于在液體應(yīng)用中的特殊考慮
42.6 污染控制的層次
42.7 空氣傳播中分子污染
42.8 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第43章 廢水中和系統(tǒng)
43.1 概述
43.2 水和ph值
43.3 應(yīng)用評(píng)價(jià)
43.4 標(biāo)準(zhǔn)ph值調(diào)節(jié)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
43.5 系統(tǒng)優(yōu)化
43.6 控制系統(tǒng)
43.7 用于ph值調(diào)節(jié)的化學(xué)藥品
43.8 ph值調(diào)節(jié)在化學(xué)機(jī)械刨光（磨光）、降低金屬和降低氟化物含量中的應(yīng)用
補(bǔ)充讀物
附錄