半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)

定　價(jià)：￥23.00

作　者：	（美）施敏、梅凱瑞
出版社：	安徽大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體器件制造工藝及設(shè)備

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ISBN：	9787811102925	出版時(shí)間：	2007-04-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	284	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》介紹了從晶體生長(zhǎng)到集成器件和電路的完整的半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中包括制造流程中主要步驟的理論和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》適合于物理、化學(xué)、電子工程、化學(xué)工程和材料科學(xué)等專業(yè)本科高年級(jí)或碩士研究生一年級(jí)學(xué)生《集成電路制造》課程的教學(xué)。該課程授課時(shí)間為一個(gè)學(xué)期，不要求必須開(kāi)設(shè)相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)課。同時(shí)，《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》也可供在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域工作的工程師和科學(xué)家參考。《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》的第一章簡(jiǎn)要回顧了半導(dǎo)體器件和關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展歷史，并介紹了基本的制造步驟。第二章涉及晶體生長(zhǎng)技術(shù)。后面幾章是按照集成電路典型制造工藝流程來(lái)安排的。第三章介紹硅的氧化技術(shù)。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術(shù)。第六章和第七章介紹半導(dǎo)體摻雜的主要技術(shù)；擴(kuò)散法和離子注入法。第八章涉及一些相對(duì)獨(dú)立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法。《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》最后三章集中討論制版和綜合。第九章通過(guò)介紹晶體工藝技術(shù)、集成器件和微機(jī)電系統(tǒng)加工等工藝流程，將各個(gè)獨(dú)立的工藝步驟有機(jī)地整合在一起。第十章介紹集成電路制造流程中高層次的一些關(guān)鍵問(wèn)題，包括電學(xué)測(cè)試、封裝、工藝控制和成品率。第十一章探討了半導(dǎo)體工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了其未來(lái)的發(fā)展前景。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第1章　引言　
　1.1　半導(dǎo)體材料　
　1.2　半導(dǎo)體器件　
　1.3　半導(dǎo)體工藝技術(shù)　
　1.4　基本工藝步驟　
　1.5　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
第2章　晶體生長(zhǎng)　
　2.1　從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅
　2.2　硅的區(qū)熔（float－zone）法單晶生長(zhǎng)工藝
　2.3　砷化鎵晶體的生長(zhǎng)技術(shù)　
　2.4　材料特性
　2.5　總結(jié)
　習(xí)題
　參考文獻(xiàn)
第3章　硅的氧化　
　3.1　熱氧化過(guò)程
　3.2　氧化過(guò)程中的雜質(zhì)再分布
　3.3　二氧化硅的掩模特性
　3.4　氧化質(zhì)量
　3.5　氧化層厚度特性
　3.6　氧化模擬
　3.7　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第4章　光刻
　4.1　光學(xué)光刻（Optical lithography）
　4.2　新一代的曝光法
　4.3　光刻模擬
　4.4　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第5章　刻蝕
　5.1　濕法化學(xué)刻蝕（wet chemical etching）
　5.2　干法刻蝕
　5.3　刻蝕仿真
　5.4　總結(jié)
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第6章　擴(kuò)散　
　6.1　基本擴(kuò)散工藝
　6.2　非本征擴(kuò)散　
　6.3　橫向擴(kuò)散　
　6.4　擴(kuò)散模擬
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第7章　離子注入
　7.1　注入離子的范圍　
　7.2　注入損傷和退火
　7.3　注入相關(guān)工藝
　7.4　離子注入模擬
　7.5　習(xí)題
第8章　薄膜淀積
　8.1　外延生長(zhǎng)技術(shù)
　8.2　外延層結(jié)構(gòu)及缺陷　
　8.3　電介質(zhì)淀積
　8.4　多晶硅淀積
　8.5　金屬化
　8.6　淀積模擬
　8.7　總結(jié)
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第9章　工藝集成
　9.1　無(wú)源單元　
　9.2　雙極型工藝
　9.3　MOSFET技術(shù)
　9.4　MESFET技術(shù)
　9.5　MEMS技術(shù)
　9.6　工藝模擬
　9.7　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第10章　集成電路制造
　10.1　電測(cè)試　
　10.2　封裝
　10.3　統(tǒng)計(jì)工藝控制
　10.4　統(tǒng)計(jì)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)　
　10.5　成品率
　10.6　計(jì)算機(jī)集成制造
　10.7　總結(jié)　
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
第11章　未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
　11.1　未來(lái)的挑戰(zhàn)
　11.2　片上系統(tǒng)　
　11.3　總結(jié)
　參考文獻(xiàn)
　習(xí)題
附錄
索引