半導體材料與器件表征技術

定　價：￥99.80

作　者：	（美）施羅德著；劉愛民、張賀秋等譯
出版社：	大連理工大學出版社
叢編項：
標　簽：	材料

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ISBN：	9787561141380	出版時間：	2008-01-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁數(shù)：	541	字數(shù)：

內容簡介

　　本書詳細介紹了現(xiàn)代半導體工業(yè)中半導體材料和器件的表征技術，基本上覆蓋了所有的電學與光學測試方法，以及非常專業(yè)的與半導體材料相關的物理和化學測試方法。作者不但論述了測量中的相關物理問題及半導體材料與器件的參數(shù)的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經驗凝結其中，并給出了具體測量手段，同時指出不同手段的局限性和測量注意事項。本版經修訂及擴展，增加了許多逐漸成熟起來的表征技術，如從探測硅晶圓中金屬雜質的掃描探針到用于無接觸式電阻測量的微波反射技術。本版特色如下：　增加了可靠性和探針顯微技術方面的全新內容　增加了大量例題和章后習題　修訂了500幅圖例　更新了超過1 200條參考文獻　采用了更合適的單位制，而不是嚴格的MI（s單位制本書可作為碩士、博士研究生的教材，也可供高校教師、半導體工業(yè)研究人員參考使用。

作者簡介

　　DIETER K.SCHRODER 是亞利桑那州立大學電子工程系教授，亞利桑那州立大學工程學院教學杰出貢獻獎獲得者，曾著《現(xiàn)代MOS器件》一書。

圖書目錄

第1章電阻率
1.1 簡介
1.2 兩探針與四控針
練習 1.1
1.2.1 修正因子
練習 1.2
練習 1.3
練習 1.4
1.2.2 任意形狀樣品的電阻率
1.2.3 測量電路
1.2.4 測量偏差和注意事項
1.3 晶片映像
1.3.1 二次注入
1.3.2 調制光反射
1.3.3 載流子發(fā)射(CI)
1.3.4 光密度測定法
1.4 電阻率分布
1.4.1 微分霍耳效應（DHE)
練習1.5
1.4.2 擴展電阻剖面分布（SRP)
1.5 非接觸方法
1.5.1 渦流
1.6 電導率類型
1.7 優(yōu)點和缺點
附錄1.1 以摻雜濃度為函數(shù)的電阻率
附錄1.2 本征載流子濃度
習題
參考文獻
第2章載流子和摻雜濃度
第3章接觸電阻、肖特基勢壘及電遷移
第4章串聯(lián)電阻、溝道長度與寬度、閾值電壓及熱載流子
第5章缺陷
第6章氧化物、界面陷阱電荷及氧化物完整性
第7章載流子壽命
第8章遷移率
第9章光學表征
第10章物理化學我的表征