半導(dǎo)體自旋電子學(xué)

第0章 緒論
0.1 自旋電子學(xué)的起源——巨磁阻效應(yīng)器件
0.2 自旋電子學(xué)應(yīng)用的新材料
0.3 自旋電子注入和白旋輸運(yùn)
0.3.1 歐姆注入
0.3.2 隧道注入
0.3.3 彈道電子注入
0.3.4 利用稀磁半導(dǎo)體在磁場(chǎng)下的巨Zeeman分裂效應(yīng)
0.3.5 利用鐵磁半導(dǎo)體作為自旋校準(zhǔn)器
0.3.6 光學(xué)方法產(chǎn)生自旋極化電子
0.4 半導(dǎo)體和納米結(jié)構(gòu)中自旋相干的光學(xué)調(diào)控
0.4.1 自旋壽命的延長(zhǎng)
0.4.2 自旋通過異質(zhì)結(jié)界面的相干輸運(yùn)
0.4.3 自旋相干態(tài)的空間分辨
0.5 自旋電子器件
0.5.1 自旋發(fā)光二極管
0.5.2 鐵磁場(chǎng)效應(yīng)晶體管
0.5.3 鐵磁半導(dǎo)體隧道結(jié)
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第1章 半導(dǎo)體中稀磁離子的性質(zhì)
1.1 磁離子電子的組態(tài)
1.2 自由磁離子的基態(tài)在晶格場(chǎng)中的分裂
1.3 晶格場(chǎng)理論
1.4 多電子態(tài)波函數(shù)
1.5 等價(jià)算符方法
1.6 半導(dǎo)體中的磁離子能級(jí)
1.7 半導(dǎo)體磁離子性質(zhì)的實(shí)驗(yàn)研究
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第2章 稀磁半導(dǎo)體的性質(zhì)
2.1 磁場(chǎng)下半導(dǎo)體的有效質(zhì)量理論
2.2 寬禁帶稀磁半導(dǎo)體
2.2.1 寬禁帶半導(dǎo)體的磁能級(jí)
2.2.2 稀磁半導(dǎo)體的磁相互作用
2.2.3 纖鋅礦結(jié)構(gòu)的稀磁半導(dǎo)體
2.2.4 實(shí)驗(yàn)觀測(cè)
2.3 窄禁帶稀磁半導(dǎo)體
2.3.1 窄禁帶半導(dǎo)體的磁能級(jí)
2.3.2 Hg1-xMnxTe的磁光譜
2.4 稀磁半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)
2.4.1 稀磁半導(dǎo)體超晶格，磁場(chǎng)垂直于界面
2.4.2 稀磁半導(dǎo)體超晶格，磁場(chǎng)平行于界面
2.4.3 稀磁半導(dǎo)體量子點(diǎn)
2.4.4 磁極化子效應(yīng)
2.4.5 稀磁半導(dǎo)體量子線
2.5 稀磁半導(dǎo)體的輸運(yùn)性質(zhì)
2.6 Fe2+離子的稀磁半導(dǎo)體，van Vleck磁性
2.7 巨Faraday和Kerr旋轉(zhuǎn)
2.7.1 磁性半導(dǎo)體的磁光性質(zhì)
2.7.2 磁性半導(dǎo)體中的時(shí)間分辨Faraday和Kerr旋轉(zhuǎn)
2.8 光致磁化
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第3章 鐵磁半導(dǎo)體
3.1 鐵磁半導(dǎo)體Ga1-xMnxAs
3.2 其他鐵磁半導(dǎo)體
3.3 費(fèi)米能級(jí)工程
3.4 團(tuán)簇對(duì)鐵磁性的影響
3.5 鐵磁半導(dǎo)體量子點(diǎn)
3.6 鐵磁半導(dǎo)體的平均場(chǎng)理論
3.6.1 鐵磁性的微觀理論
3.6.2 稀磁半導(dǎo)體中的磁相互作用
3.6.3 鐵磁半導(dǎo)體量子線，量子板
3.6.4 鐵磁半導(dǎo)體量子點(diǎn)
3.6.5 鐵磁半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的第一性原理計(jì)算
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第4章 自旋極化電子的注入
4.1 半導(dǎo)體中電子自旋的壽命和漂移
4.2 半導(dǎo)體自旋晶體管
4.3 Rashba效應(yīng)
4.3.1 Rashba效應(yīng)的產(chǎn)生根源
4.3.2 Rashba系數(shù)的實(shí)驗(yàn)測(cè)量
4.3.3 Rashba系數(shù)的理論計(jì)算
4.4 自旋極化電子流的產(chǎn)生和輸運(yùn)
4.4.1 自旋電子通過半導(dǎo)體異質(zhì)界面的相干輸運(yùn)
4.4.2 自旋極化電子的注入(實(shí)驗(yàn))
4.4.3 自旋極化電子的注入(理論)
4.5 磁性半導(dǎo)體隧穿結(jié)
4.5.1 GaAs／GaMnAs異質(zhì)結(jié)基本性質(zhì)
4.5.2 鐵磁／非磁／鐵磁三層結(jié)構(gòu)性質(zhì)
4.5.3 鐵磁金屬和半導(dǎo)體接觸
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第5章 自旋弛豫
5.1 自旋弛豫時(shí)間T1和T2
5.2 自旋弛豫的主要機(jī)制
5.2.1 EY機(jī)制
5.2.2 DP機(jī)制
5.2.3 DP機(jī)制，在單軸形變晶體中的自旋弛豫
5.2.4 BAP機(jī)制
5.2.5 EY，DP和BAP機(jī)制的比較
5.3 III—V族化合物中自旋弛豫的實(shí)驗(yàn)和理論研究
5.3.1 光學(xué)取向方法
5.3.2 InSb中的自旋弛豫(EY機(jī)制)
5.3.3 GaAs中的自旋弛豫(DP機(jī)制)
5.3.4 GaAs中的自旋弛豫(BAP機(jī)制)
5.3.5 自旋弛豫率與受主濃度的關(guān)系
5.4 量子阱中的自旋弛豫
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第6章 Rashba效應(yīng)與Dresselhaus效應(yīng)
6.1 反演非對(duì)稱半導(dǎo)體體系中自旋軌道相互作用導(dǎo)致的自旋分裂——Rashba效應(yīng)和Dresselhaus效應(yīng)
6.1.1 有效質(zhì)量近似
6.1.2 Dresselhaus效應(yīng)概述
6.1.3 相對(duì)論量子力學(xué)推導(dǎo)
6.2 Rashba系統(tǒng)中的自旋-軌道耦合哈密頓
6.3 Rashba效應(yīng)與能帶色散
6.4 Rashba參數(shù)α
6.4.1 k.p公式
6.4.2 用k.p方法處理自旋-軌道相互作用
6.4.3 八帶模型
6.4.4 五能級(jí)模型(以GaAs為例)
6.5 從Shubnikov-de Haas振蕩獲取Rashba參數(shù)α
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第7章 半導(dǎo)體中電子自旋的光學(xué)響應(yīng)
7.1 光子的自旋
7.2 半導(dǎo)體中光學(xué)躍遷的自旋守恒
7.2.1 光躍遷選擇定則
7.2.2 分裂能帶下的光激發(fā)
7.3 自旋分裂系統(tǒng)中光注入電子自旋引發(fā)的自旋光電流
7.3.1 圓偏光電流效應(yīng)(CPGE)
7.3.2 自旋光電流效應(yīng)(SGE)
7.4 自旋分裂系統(tǒng)中電場(chǎng)導(dǎo)致電子自旋極化
7.5 Rashba效應(yīng)與Dresselhaus效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)區(qū)分及應(yīng)用
7.6 旋光電子器件
7.6.1 Rashba和Dresselhaus綜合效應(yīng)自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管
7.6.2 自旋光源——發(fā)光二極管和激光器
7.6.3 以傳導(dǎo)電流探測(cè)自旋流
參考文獻(xiàn)
第8章 自旋相干電子的操控
8.1 實(shí)驗(yàn)技術(shù)
8.2 半導(dǎo)體體材料中的電子自旋相干
8.3 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的電子自旋相干
8.4 半導(dǎo)體中自旋相干電子的空問運(yùn)動(dòng)
8.4.1 半導(dǎo)體中沒有外磁場(chǎng)的相干自旋操控
8.4.2 電流感應(yīng)的自旋極化
8.5 自旋霍爾效應(yīng)
8.5.1 自旋霍爾效應(yīng)的光學(xué)觀測(cè)
8.5.2 二維電子氣的自旋霍爾效應(yīng)
8.6 自旋流的產(chǎn)生
8.6.1 由自旋霍爾效應(yīng)產(chǎn)生自旋流
8.6.2 雙色光場(chǎng)產(chǎn)生自旋流
8.7 半導(dǎo)體中的自旋動(dòng)力學(xué)
8.7.1 幾種自旋流的遷移率和擴(kuò)散系數(shù)
8.7.2 電場(chǎng)對(duì)自旋極化電流的效應(yīng)
參考文獻(xiàn)
第9章 自旋極化電子和磁疇的輸運(yùn)
9.1 磁性半導(dǎo)體二維電子氣中的自旋輸運(yùn)
9.2 量子點(diǎn)的自旋輸運(yùn)
9.2.1 鐵磁性Co引線構(gòu)成的雙壘磁隧穿結(jié)的自旋輸運(yùn)
9.2.2 與鐵磁性電極耦合的半導(dǎo)體量子點(diǎn)中的近藤效應(yīng)
9.2.3 磁性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的自旋輸運(yùn)理論
9.3 磁性半導(dǎo)體中的磁疇輸運(yùn)
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第10章 未來(lái)的量子點(diǎn)、量子線自旋電子學(xué)
10.1 量子點(diǎn)的電子g因子
10.2 量子線的g因子
10.3 電場(chǎng)可調(diào)的g因子
10.4 N摻雜對(duì)電子的Rashba系數(shù)和g因子的效應(yīng)
參考文獻(xiàn)