氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為研究和耐高溫壓力傳感器研制

1 緒 論
1.1　氫化硅薄膜力學(xué)行為的研究背景和意義
1.2　耐高溫壓力傳感器的研究背景和意義
1.3　本書的主要內(nèi)容
參考文獻

2 氫化硅薄膜的制備和微觀表征
2.1　引言
2.2　射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積法
2.3　拉曼測試晶態(tài)比和平均晶粒大小
2.4　薄膜厚度研究
2.5　XRD衍射譜
小結(jié)
參考文獻

3 襯底對納米硅薄膜生長的影響
3.1　引言
3.2　納米硅薄膜的微觀表征
3.3　薄膜的AFM和HRTEM研究
3.4　結(jié)果和討論
小結(jié)
參考文獻

4 不同單光子激光線的氫化硅薄膜拉曼光譜
4.1　引言
4.2　薄膜制備
4.3　結(jié)果和討論
4.4　薄膜內(nèi)應(yīng)力
小結(jié)
參考文獻

5 氫化硅薄膜介觀力學(xué)行為及其與微結(jié)構(gòu)內(nèi)稟關(guān)聯(lián)特性
5.1　引言
5.2　納米壓痕
5.3　結(jié)果和討論
小結(jié)
參考文獻

6 耐高溫壓阻式壓力傳感器
6.1　耐高溫壓阻式壓力傳感器簡介
6.1.1　引言
6.1.2　壓阻式壓力傳感器基本原理
6.1.3　硅擴散壓阻式壓力傳感器
6.1.4　耐高溫壓阻式壓力傳感器
6.2　基于SIMOX的耐高溫壓力傳感器芯片制作
6.2.1　壓力傳感器芯片設(shè)計
6.2.2　SIMOX的耐高溫壓力傳感器芯片制作
6.3　耐高溫壓阻式壓力傳感器封裝
6.3.1　引言
6.3.2　硅／玻璃環(huán)靜電鍵合
6.3.3　內(nèi)引線鍵合
6.3.4　外引線轉(zhuǎn)接
6.4　耐高溫壓力傳感器靜態(tài)標定及溫度漂移補償
6.4.1　耐高溫壓力傳感器的靜態(tài)標定指標
6.4.2　熱靈敏度漂移系數(shù)及補償
6.4.3 零位輸出及其補償
6.4.4　熱零點漂移系數(shù)及補償
6.4.5　耐高溫壓力傳感器標定結(jié)果
6.4.6　與國外同類產(chǎn)品的比較
6.5　通用型分體式耐高溫壓力傳感器研制
6.5.1　引言
6.5.2　耐高溫分體式壓力傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計
6.5.3　傳感器前置電路
6.5.4　耐高溫分體式壓力傳感器高溫標定
小結(jié)
參考文獻
7 結(jié) 論