相變存儲(chǔ)器與應(yīng)用基礎(chǔ)

第1章 緒論
1．1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
1．2 相變存儲(chǔ)器綜述
1．3 相變存儲(chǔ)器研究現(xiàn)狀
1．3．1 相變存儲(chǔ)器材料研究
1．3．2 相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)研究
1．3．3 相變存儲(chǔ)器選通器件研究
1．3．4 相變存儲(chǔ)器芯片研究
參考文獻(xiàn)
第2章 新型相變材料與工程化
2．1 AlxSb2Te3相變材料
2．1．1 AlxSb2Te3材料的制備和表征
2．1．2 AlxSb2Te3器件的制備和表征
2．2 AlxSb3Te相變材料
2．2．1 AlxSb3Te材料的制備和表征
2．2．2 AlxSb3Te器件的制備和表征
2．3 Al2Te3—Sb2Te3體系相變材料
2．3．1 AI2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6材料的制備和表征
2．3．2 Al2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6器件的制備和表征
2．4 快速TiSbTe相變材料
2．4．1 TiSbTe材料的制備與表征
2．4．2 TiSbTe器件的制備與表征
2．5 Si2Sb2Tex系列相變材料
2．6 SiSbTe相變材料的工程化
2．6．1 SiSbTe材料的制備與表征
2．6．2 SiSbTe器件的制備和表征
參考文獻(xiàn)
第3章 相變材料結(jié)構(gòu)與相變機(jī)理
3．1 硅摻雜Sb2Te3相變材料第一性原理計(jì)算
3．1．1 SixSb2Te3相變材料的第一性原理計(jì)算
3．1．2 Si3Sb2Te3相變材料的分子動(dòng)力學(xué)模擬
3．2 低濃度鋁摻雜Sb2Te3相變材料的從頭算研究
3．2．1 鋁摻雜銻碲相變材料的特點(diǎn)
3．2．2 鋁摻雜銻碲相變材料的第一性原理計(jì)算研究
3．2．3 Al—Sb2Te3相變材料的分子動(dòng)力學(xué)模擬與結(jié)果討論
3．3 微觀(guān)結(jié)構(gòu)與相變行為研究
3．3．1 研究方法
3．3．2 相變存儲(chǔ)材料Ge2Sb2Te5
3．3．3 相變存儲(chǔ)材料Si2Sb2Te5
參考文獻(xiàn)
第4章 二極管陣列器件及其高密度相變存儲(chǔ)器
4．1 雙溝道外延二極管陣列器件設(shè)計(jì)
4．1．1 相變存儲(chǔ)器工作原理
4．1．2 二極管陣列器件設(shè)計(jì)
4．1．3 二極管陣列器件性能分析
4．2 二極管陣列器件及相變存儲(chǔ)器芯片
4．2．1 雙溝道外延二極管陣列器件
4．2．2 二極管選通的相變存儲(chǔ)器陣列單元
4．2．3 二極管選通的相變存儲(chǔ)器芯片
參考文獻(xiàn)
第5章 相變存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)
5．1 相變存儲(chǔ)器芯片的系統(tǒng)框架
5．2 相變存儲(chǔ)單元及陣列設(shè)計(jì)
5．3 控制邏輯設(shè)計(jì)
5．4 譯碼電路
5．5 輸入輸出電路
5．6 寫(xiě)模塊電路
5．7 電流脈沖寬度可調(diào)電路
5．8 帶隙基準(zhǔn)電路
5．9 讀出電路
5．10 預(yù)讀校驗(yàn)寫(xiě)入算法
5．11 PCRAM芯片測(cè)試結(jié)果
參考文獻(xiàn)
第6章 相變存儲(chǔ)器測(cè)試與應(yīng)用
6．1 相變存儲(chǔ)器的測(cè)試概述
6．2 相變材料測(cè)試
6．3 相變存儲(chǔ)器件測(cè)試
6．3．1 測(cè)試系統(tǒng)的軟硬件條件
6．3．2 相變存儲(chǔ)器初始化操作
6．3．3 非累積性擦操作測(cè)試方法
6．4 分立相變器件的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試流程
6．4．1 分立相變器件的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試流程
6．4．2 基于標(biāo)準(zhǔn)化自動(dòng)測(cè)試流程的數(shù)據(jù)分析算法
6．5 相變存儲(chǔ)陣列及存儲(chǔ)芯片測(cè)試
6．5．1 芯片級(jí)測(cè)試系統(tǒng)硬件簡(jiǎn)介
6．5．2 小容量相變存儲(chǔ)陣列的電流驅(qū)動(dòng)方法
6．5．3 基于1Kb的相變存儲(chǔ)陣列測(cè)試系統(tǒng)
6．6 兆位級(jí)相變存儲(chǔ)器芯片測(cè)試方法研究
6．7 相變存儲(chǔ)器的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
索引