材料結(jié)構(gòu)缺陷與性能

1 緒論
1.1 結(jié)構(gòu)缺陷理論的產(chǎn)生
1.2 晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型
2 點缺陷的基本性質(zhì)
2.1 引言
2.2 點缺陷的種類及產(chǎn)生途徑
2.2.1 點缺陷的種類
2.2.2 空位、間隙質(zhì)點的產(chǎn)生途徑
2.2.3 晶體中熱平衡狀態(tài)點缺陷的基本類型
2.3 點缺陷的平衡濃度
2.4 點缺陷的形成能
2.5 點缺陷的運動和結(jié)合
2.6 點缺陷的形成熵和遷移熵
2.7 金屬中的淬火空位
2.8 金屬因輻照產(chǎn)生的點缺陷
3 線缺陷的基本性質(zhì)
3.1 引言
3.1.1 位錯理論的提出
3.1.2 位錯理論的發(fā)展
3.2 位錯的類型
3.2.1 位錯的微觀定義
3.2.2 位錯的類型
3.3 位錯的伯格斯矢量
3.3.1 伯格斯回路及伯格斯矢量
3.3.2 位錯的普遍定義
3.3.3 位錯密度
3.4 位錯周圍的應(yīng)力場及彈性能
3.4.1 固體彈性理論簡介
3.4.2 位錯的應(yīng)力場
3.4.3 位錯的彈性能和線張力
3.5 位錯的運動
3.5.1 刃位錯的運動
3.5.2 螺位錯的運動
3.5.3 混合位錯的運動
3.5.4 位錯運動的阻力
3.6 位錯的起源與增殖
3.6.1 位錯的起源
3.6.2 位錯的增殖機制
3.6.3 位錯的源地和尾閭（漏洞）
3.7 位錯的塞積
3.8 位錯的交割
3.8.1 刃位錯和刃位錯的交割
3.8.2 刃位錯和螺位錯的交割
3.8.3 螺位錯和螺位錯的交割
3.9 位錯動力學
3.9.1 運動位錯的應(yīng)力場及位錯運動的極限速度
3.9.2 位錯速率與應(yīng)力的關(guān)系
3.10 典型晶體中的位錯
3.10.1 面心立方晶體中的位錯
3.10.2 有序固溶體中的位錯
3.10.3 離子晶體中的位錯
3.10.4 共價晶體中的位錯
3.10.5 層狀結(jié)構(gòu)中的位錯
3.10，6聚合物晶體中的位錯
3.11 位錯的實驗觀測
3.11.1 侵蝕坑法
3.11.2 綴飾法
3.11.3 透射電鏡法
3.11.4 X射線衍襯像法
3.11.5 場離子顯微鏡觀察法
4 面缺陷的基本性質(zhì)
4.1 引言
4.2 小角度晶界
4.3 大角度晶界
4.4 相界
4.5 單相多晶體中的晶粒形狀
5 缺陷間的交互作用
5.1 點缺陷與位錯的交互作用
5.2 位錯與位錯間的交互作用
5.2.1 一般應(yīng)力場對位錯的作用力
5.2.2 平行位錯之間的交互作用
5.2.3 位錯塞積群應(yīng)力場的計算
5.2.4 位錯間的近程互作用
5.3 位錯與面缺陷的交互作用
6 結(jié)構(gòu)缺陷對材料力學性能的影響
6.1 晶體的軟硬實質(zhì)
6.2 三類晶體的屈服現(xiàn)象
6.3 流變應(yīng)力與位錯密度
6.4 加工硬化
6.5 固溶強化
6.5.1 均勻固溶強化機制
6.5.2 不均勻固溶強化機制
6.6 晶體的斷裂
6.7 合金中第二相強化
6.8 高溫強度的位錯理論
6.9 疲勞強度的位錯理論
6.10 多晶材料的晶界強化機制
7 結(jié)構(gòu)缺陷對材料物理性能的影響
7.1 缺陷與晶體的電學性能
7.2 缺陷與半導體性能
7.3 缺陷與離子晶體物理性能
7.4 缺陷與磁學性能
參考文獻