低電壓掃描電鏡應(yīng)用技術(shù)研究

第1章 概述1.1 掃描電鏡簡(jiǎn)介1.1.1 掃描電鏡特點(diǎn)1.1.2 掃描電鏡的發(fā)展簡(jiǎn)史1.2 掃描電鏡的原理1.3 掃描電鏡的分辨率1.3.1 分辨率簡(jiǎn)介1.3.2 影響分辨率的因素1.3.3 分辨率測(cè)量1.4 掃描電鏡圖像襯度1.4.1 二次電子像1.4.2 材料襯度1.4.3 背散射電子像1.4.4 電位襯度1.4.5 通道效應(yīng)襯度1.4.6 STEM分析
第2章 掃描電鏡的荷電及解決方案2.1 荷電現(xiàn)象2.2 荷電機(jī)理2.3 荷電的解決方案2.3.1 鍍膜2.3.2 采用低加速電壓進(jìn)行觀察2.3.3 采用下探測(cè)器進(jìn)行觀察2.3.4 采用背散射電子像來(lái)進(jìn)行觀察2.3.5 采用快速掃描方式采集圖像2.3.6 采用高加速電壓擊穿材料來(lái)減少荷電
第3章 低電壓掃描電鏡的技術(shù)突破及應(yīng)用分析3.1 低電壓掃描電鏡電子槍類型3.2 低電壓掃描電鏡的重要突破3.3 低電壓掃描電鏡的技術(shù)發(fā)展3.3.1 減速模式3.3.2 探測(cè)器3.3.3 帶像差校正的掃描電鏡3.3.4 帶單色器的超高分辨率掃描電鏡3.4 低電壓掃描電鏡的應(yīng)用3.4.1 在熱敏感材料中的應(yīng)用3.4.2 在石墨烯表征中的應(yīng)用3.4.3 在納米TiO2制備與表征中的應(yīng)用3.4.4 在Ag／PVA纖維中的應(yīng)用3.4.5 在離子表面改性研究中的應(yīng)用3.5 低電壓掃描電鏡其他技術(shù)應(yīng)用分析3.5.1 加速電壓的影響3.5.2 低電壓掃描電鏡對(duì)介孔材料的表征
第4章 低電壓能譜分析4.1 能譜分析概述4.2 低電壓掃描電鏡能譜微區(qū)分析特點(diǎn)4.3 低電壓能譜定性、定量分析4.3.1 能譜面分布4.3.2 納米鎳顆粒的能譜面分布4.4 能譜面分布空間分辨率同加速電壓的關(guān)系4.5 能譜面分布中的假象4.6 低電壓能譜應(yīng)用實(shí)例4.6.1 YAG陶瓷燒結(jié)機(jī)理研究4.6.2 介孔氧化硅
第5章 電子背散射衍射技術(shù)5.1 概述5.2 EBSD的主要特點(diǎn)5.3 EBSD的工作原理5.3.1 菊池帶的產(chǎn)生原理5.3.2 晶面5.3.3 晶帶軸5.3.4 歐拉角5.3.5 對(duì)稱性5.3.6 霍夫變換5.3.7 相機(jī)常數(shù)5.4 EBSD可以實(shí)現(xiàn)的功能5.4.1 相鑒定5.4.2 取向的測(cè)量5.4.3 孿晶晶界分析5.4.4 晶粒形狀、尺寸和分布測(cè)定