TiO2納米管陣列的可控制備及氣敏性能研究

定　價(jià)：￥22.00

作　者：	王巖，吳玉程著
出版社：	合肥工業(yè)大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787565020810	出版時(shí)間：	2014-12-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	129	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

《TiO2納米管陣列的可控制備及氣敏性能研究》基于研究結(jié)果總結(jié)而成。此研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金“納米制造的基礎(chǔ)研究”重大研究計(jì)劃培育項(xiàng)目（91023030）、國(guó)家自然科學(xué)基金（51272062，51302060，51128201，51172059）、高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金（20100111110012）以及安徽省國(guó)際科技合作計(jì)劃項(xiàng)目（10080703017）等項(xiàng)目的資助，以有序排列的陽(yáng)極氧化TiO2納米管陣列薄膜的可控制備及其性能研究為主要內(nèi)容，通過(guò)發(fā)展快速陽(yáng)極氧化工藝和原位二次陽(yáng)極氧化工藝，實(shí)現(xiàn)了TiO2納米管陣列薄膜的快速生長(zhǎng)以及大面積表面平整薄膜的制備；進(jìn)一步采用旋涂一紫外光光照還原AgNO3的方法對(duì)所制備TiO2納米管陣列薄膜進(jìn)行Ag納米顆粒修飾改性，以期改進(jìn)TiO2納米管陣列薄膜的低溫氣敏傳感特性，為后續(xù)構(gòu)建基于改性TiO2納米管陣列薄膜的氣敏傳感器件提供理論依據(jù)和數(shù)據(jù)支撐。

作者簡(jiǎn)介

吳玉程，男，1962年出生，中國(guó)科學(xué)院理學(xué)博士，合肥工業(yè)大學(xué)副校長(zhǎng)，材料學(xué)教授、博士研究生導(dǎo)師。主要研究方向：納米材料與功能復(fù)合材料；材料表面與涂層技術(shù)。擔(dān)任教育部金屬材料工程和冶金工程教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)委員。中國(guó)儀表材料學(xué)會(huì)常務(wù)理事，中國(guó)顆粒學(xué)會(huì)超微顆粒委員會(huì)理事等。近年來(lái)，指導(dǎo)博士后4人、博士研究生12人、碩士研究生20多人，先后主持了國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家留學(xué)回國(guó)人員啟動(dòng)基金、教育部博士點(diǎn)基金、國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品研究計(jì)劃和安徽省重大科技攻關(guān)等20多項(xiàng)項(xiàng)目研究。獲得安徽省科技進(jìn)步獎(jiǎng)、中國(guó)機(jī)械工業(yè)科技進(jìn)步獎(jiǎng)和安徽省高?？萍吉?jiǎng)等，獲得授權(quán)發(fā)明專利1項(xiàng)，發(fā)表論文100多篇，其中被SCI、EJ收錄60多篇。
　　
　　王巖，男，1985年生，合肥工業(yè)大學(xué)材料學(xué)博士，現(xiàn)為合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院講師，碩士生導(dǎo)師。主要研究方向：納米傳感材料、有序納米陣列材料的電化學(xué)構(gòu)筑及其在能源領(lǐng)域中的應(yīng)用。先后主持和參加國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金、國(guó)家自然科學(xué)基金“納米制造的基礎(chǔ)研究”重大研究計(jì)劃項(xiàng)目、安徽省自然科學(xué)基金、教育部博士點(diǎn)基金及企業(yè)委托的科研項(xiàng)目1 O余項(xiàng)，先后在Chem Asian J、New J Chem、J Alloy Compd、J NatiOSCi．Nanotechno、《中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào)》等國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊發(fā)表論文20余篇，其中SCI、EI收錄10余篇。

圖書(shū)目錄

第1章緒論
1.1 引言
1.1.1 納米材料概述
1.1.2 TiO2納米材料的物理化學(xué)性質(zhì)
1.1.3 一維納米TiO2材料的制備方法
1.2 陽(yáng)極氧化TiO2納米管陣列的制備
1.2.1第一階段
1.2.2第二階段
1.2.3第三階段
1.2.4第四階段
1.3 陽(yáng)極氧化TiO2納米管陣列的改性
1.3.1 金屬／非金屬離子摻雜
1.3.2 貴金屬顆粒修飾
1.3.3 窄禁帶半導(dǎo)體修飾
1.3.4 染料敏化
1.4 陽(yáng)極氧化TiO2納米管陣列的應(yīng)用
1.4.1 光催化降解有機(jī)污染物
1.4.2 染料敏化太陽(yáng)能電池
1.4.3 光解水制氫
1.4.4 超級(jí)電容器
1.4.5 氣敏傳感材料
1.5 本論文的研究?jī)?nèi)容及意義

第2章常規(guī)陽(yáng)極氧化法制備TiO2納米管陣列
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)材料及方法
2.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.2.2 實(shí)驗(yàn)藥品
2.2.3 實(shí)驗(yàn)方法
2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
2.3.1 TiO2納米管陣列薄膜表面形貌
2.3.2 氧化電壓對(duì)Ti0：納米管陣列形貌的影響
2.3.3 電解液濃度對(duì)TiO2納米管陣列形貌的影響
2.4 本章小結(jié)

第3章快速陽(yáng)極氧化法制備TiO2納米管陣列
3.1 引言-
3.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
3.2.1 前期探索實(shí)驗(yàn)
3.2.2 快速陽(yáng)極氧化實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
3.2.3 快速陽(yáng)極氧化實(shí)驗(yàn)過(guò)程
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
3.3.1 添加劑濃度的影響
3.3.2 陽(yáng)極氧化時(shí)間的影響
3.3.3 陽(yáng)極氧化電壓的影響
3.3.4 快速陽(yáng)極氧化反應(yīng)機(jī)理
3.4 本章小結(jié)

第4章原位二次陽(yáng)極氧化法制備TiO2納米管陣列
4.1 引言
4.1.1 金屬鈦片基底的表面SEM表征
4.1.2 TiO2納米管陣列薄膜背面FESEM表征
4.1.3 去除TiO2納米管陣列薄膜之后鈦片基底正面FESEM表征
4.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
4.2.1 常規(guī)二次陽(yáng)極氧化制備TiO2納米管陣列
4.2.2 原位二次陽(yáng)極氧化制備TiO2納米管陣列
4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
4.4 本章小結(jié)

第5章 Ag納米顆粒修飾TiO2納米管陣列
5.1 引言
5.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
5.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
5.4 本章小結(jié)

第6章 TiO2納米管陣列的氣敏性能
6.1 引言
6.2 TiO2納米管陣列氣敏性能
6.3 TiO2納米管陣列氣敏機(jī)理
6.4 本章小結(jié)

第7章全文總結(jié)與展望
7.1 全文總結(jié)
7.2 創(chuàng)新之處
7.3 工作展望
參考文獻(xiàn)