氧化鋁和氧化鋁薄膜制備與表征實例

定　價：￥25.00

作　者：	趙祥敏，趙文海
出版社：	冶金工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	工業(yè)技術(shù) 冶金工業(yè)

購買這本書可以去

ISBN：	9787502469177	出版時間：	2015-06-01	包裝：
開本：		頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書以實例的形式，介紹了用磁控濺射法制備氧化鋅（ZnO）薄膜、氮化鋁（AlN）薄膜和ZnO/AlN復合膜的詳細工藝和性能表征。全書共分8章，第1章主要介紹ZnO的晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、性能與應用；第2章主要介紹AlN的晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、性能與應用；第3章主要介紹ZnO和AlN薄膜的常用制備方法及性能表征手段；第4~6章分別介紹了AlN薄膜、ZnO薄膜、ZnO/AlN復合膜的制備方法與性能表征；第7章主要介紹不同濺射時間下AlN緩沖層對ZnO薄膜的影響；第8章主要介紹退火溫度對N摻雜ZnO薄膜的影響。

作者簡介

　　趙祥敏，女，1979年2月出生，就職于牡丹江師范學院工學院，主要講授電子技術(shù)基礎(chǔ)、數(shù)字電路實驗、模擬電路實驗、信息技術(shù)和C語言程序設(shè)計、近代物理實驗等課程，教學效果良好。工作期間共發(fā)表論文6篇，其中EI檢索1篇，中文核心期刊2篇；出版教材2部；主持校級教改項目1項，參與科研和教改項目10余項；發(fā)明實用經(jīng)濟型專利3個；獲牡丹江市第二十四屆自然科學技術(shù)學術(shù)成果獎二等獎1項，獲2012~2014年度牡丹江市自然科學技術(shù)學術(shù)成果獎一等獎1項，獲牡丹江市優(yōu)秀教育科研成果獎一等獎1項，獲第十二屆全國多媒體課件一等獎1項，獲牡丹江師范學院優(yōu)秀教案獎1項，獲牡丹江師范學院教師課件大賽優(yōu)秀獎2項。

圖書目錄

第1章 ZnO概述 6
1.1 引言 6
1.2 ZnO的晶體結(jié)構(gòu) 7
1.3 ZnO的結(jié)構(gòu)形態(tài) 8
1.3.1 ZnO體單晶 8
1.3.2 ZnO薄膜 8
1.3.3 ZnO納米結(jié)構(gòu) 8
1.4 ZnO的能帶結(jié)構(gòu) 9
1.5 ZnO的基本性質(zhì) 9
1.5.1 ZnO的電學性質(zhì) 10
1.5.2 ZnO的光學性質(zhì) 10
1.5.3 ZnO的其特性 11
1.6 ZnO薄膜的應用 11
1.6.1 聲表面波器件 12
1.6.2 紫外光電探測器 13
1.6.3 肖特基紫外探測器 13
1.6.4 稀磁半導體 14
1.6.5 發(fā)光器件 14
1.6.6 氣敏傳感器 14
1.6.7 壓敏器件 15
1.6.8 透明電極 15
1.6.9 緩沖層 15
1.6.10 ZnO基LED 16
1.7 ZnO的本征缺陷 17
1.7.1 ZnO的本征點缺陷 18
1.7.2 ZnO薄膜的能級 18
1.8 ZnO的摻雜 19
1.8.1控制本征缺陷制備p型ZnO 19
1.8.2 I族元素單一受主摻雜 20
1.8.3 IB族元素單一受主摻雜 21
1.8.4 V族元素單一受主摻雜 21
1.8.5 受主-施主共摻雜 23
1.8.6 雙受主共摻雜 23
1.8.7 稀土摻雜 23
參考文獻 24
第2章 AlN概述 34
2.1 引言 34
2.2 AlN的晶體結(jié)構(gòu) 34
2.3 AlN的能帶結(jié)構(gòu) 35
2.4 AlN的特性 36
2.4.1 硬度 36
2.4.2 化學穩(wěn)定性 36
2.4.3 熱穩(wěn)定性 37
2.4.4 電學性能 37
2.4.5 光學性能 37
2.5 A1N薄膜的應用 38
2.5.1 聲表面波器件 38
2.5.2 發(fā)光材料 39
2.5.3 濾波器、諧振器 39
2.5.4 生物傳感器 40
2.5.5 能量搜集器 40
2.5.6 紫外探測器 41
2.5.7 緩沖層 41
2.5.8 SOI材料的絕緣埋層 42
2.5.9 單色冷陰極材料 42
2.5.10 刀具涂層 42
2.5.11 作為磁光記錄材料表面的增透膜 42
參考文獻 43
第3章 ZnO和AlN薄膜的常用制備方法及性能表征手段 50
3.1 引言 50
3.2 ZnO和AlN薄膜常用的制備方法 51
3.2.1 超聲噴霧熱分解(USP) 51
3.2.2 溶膠-凝膠(sol-gel) 51
3.2.3 分子束外延(MBE) 52
3.2.4 金屬有機物氣相沉積(MOCVD) 52
3.2.5 脈沖激光沉積(PLD) 53
3.2.6 真空蒸發(fā)(VE) 53
3.2.7 電子束蒸發(fā)(E-beam evaporation) 54
3.2.8 離子束輔助沉積(IBAD) 55
3.2.9 濺射法 55
3.3 濺射鍍膜的基本原理 56
3.3.1 輝光放電和濺射機理 56
3.3.2 濺射特性 58
3.3.3 濺射過程 59
3.3.4 射頻磁控反應濺射技術(shù) 61
3.4 多靶磁控濺射技術(shù) 65
3.5 實驗設(shè)備 65
3.5.1多靶磁控濺射儀 65
3.5.2 高真空燒結(jié)爐 66
3.6 ZnO和AlN薄膜常用的性能表征手段 66
3.6.1 X射線衍射分析(XRD) 67
3.6.2原子力顯微鏡(AFM) 69
3.6.3 霍爾效應測試(Hall) 71
3.6.4 掃描電子顯微鏡(SEM) 72
3.6.5 紫外分光光度計 73
3.6.6 熒光分光光度計(PL) 74
3.6.7 拉曼光譜儀 75
3.6.8 電子探針顯微分析(EPMA) 76
參考文獻 77
第4章 AlN薄膜的制備與性能表征 79
4.1引言 79
4.2過渡層概述 79
4.3 AlN薄膜的制備 80
4.3.1 實驗裝置 80
4.3.2 襯底的預處理 81
4.3.3 樣品制備工藝參數(shù) 81
4.3.4 制備AlN薄膜的實驗步驟 81
4.4工藝參數(shù)對AlN薄膜性能的影響 82
4.4.1 襯底溫度對AlN薄膜性能的影響 82
4.4.2 工作氣壓對AlN薄膜性能的影響 83
4.4.3 濺射功率對AlN薄膜性能的影響 84
4.5 AlN薄膜性能表征的分析總結(jié) 85
參考文獻 86
第5章 ZnO薄膜的制備與性能表征 87
5.1引言 87
5.2 ZnO薄膜的制備 87
5.2.1 實驗裝置 87
5.2.2 襯底的預處理 87
5.2.3 樣品制備工藝參數(shù) 88
5.2.4 制備ZnO薄膜的實驗步驟 88
5.3工藝參數(shù)對ZnO薄膜性能的影響 89
5.3.1 襯底溫度對ZnO薄膜性能的影響 89
5.3.2 工作氣壓對ZnO薄膜性能的影響 90
5.3.3 濺射功率對ZnO薄膜性能的影響 91
5.4 ZnO薄膜性能表征的分析總結(jié) 92
參考文獻 92
第6章 ZnO/AlN復合膜的制備與性能表征 93
6.1引言 93
6.2 ZnO/AlN復合薄膜的制備 93
6.2.1 實驗裝置 93
6.2.2 襯底的預處理 93
6.2.3 樣品制備工藝參數(shù) 94
6.2.4 制備ZnO/AlN復合膜的實驗步驟 94
6.3 ZnO/AlN復合膜與ZnO單層膜的對比 95
6.3.1 ZnO/AlN復合膜與ZnO單層膜XRD測試對比 95
6.3.2 ZnO/AlN復合膜與ZnO單層膜原子力顯微鏡測試對比 96
6.3.3 ZnO/AlN復合膜與ZnO單層膜電學參數(shù)及導電類型對比 97
6.4 ZnO/AlN復合膜與ZnO單層膜的對比分析總結(jié) 98
參考文獻 98
第7章不同濺射時間下AlN緩沖層對ZnO薄膜的影響 99
7.1引言 99
7.2 AlN薄膜、ZnO/AlN復合薄膜的制備 99
7.2.1 實驗裝置 99
7.2.2 襯底的預處理 99
7.2.3 樣品制備工藝參數(shù) 100
7.2.4 制備AlN薄膜和ZnO/AlN復合膜的實驗步驟 100
7.3不同濺射時間下AlN緩沖層對ZnO薄膜的影響 101
7.3.1 表面形貌分析 101
7.3.2 XRD測試分析 102
7.3.3 霍爾測試分析 103
7.4 不同濺射時間下AlN緩沖層對ZnO薄膜的影響分析總結(jié) 104
參考文獻 104
第8章退火溫度對N摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和電學性能的影響 106
8.1 引言 106
8.2 退火處理模型 106
8.3 N摻雜ZnO薄膜的制備 108
8.3.1 實驗裝置 108
8.3.2 襯底的預處理 108
8.3.3 樣品制備工藝參數(shù) 108
8.3.4 制備N摻雜ZnO薄膜的實驗步驟 109
8.4 退火溫度對N摻雜ZnO薄膜的影響 109
8.4.1 XRD測試分析 109
8.4.2 表面形貌分析 111
8.4.3 霍爾測試分析 112
8.5 退火溫度對N摻雜ZnO薄膜的影響分析總結(jié) 113
參考文獻 113