產業(yè)專利分析報告 新型傳感器（第46冊）

第1章概況
1.1研究背景
1.1.1技術發(fā)展概況
1.1.2產業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對象和方法
1.2.1研究對象
1.2.2研究方法
1.2.3相關事項和約定
第2章CMOS圖像傳感器
2.1CMOS圖像傳感器專利總體態(tài)勢
2.1.1申請趨勢
2.1.2原創(chuàng)/目標國或地區(qū)分布
2.1.3申請人分析
2.2重要申請人——索尼
2.2.1申請趨勢
2.2.2產品相關核心專利布局
2.2.3堆疊式背照技術
2.2.4索尼專利申請撰寫策略
2.3背照式CMOS圖像傳感器
2.3.1申請態(tài)勢
2.3.2技術分布
2.3.3中國專利有效性
2.3.4申請人分析
2.3.5技術功效分析
2.4核心專利技術
2.4.1解決減小暗電流問題
2.4.2解決抗串擾問題
2.4.3技術發(fā)展趨勢預測
2.5本章小結
第3章柔性壓力傳感器
3.1柔性壓力傳感器專利總體態(tài)勢
3.2應用領域分析
3.3電子皮膚技術
3.3.1申請態(tài)勢
3.3.2專利區(qū)域分布
3.3.3申請人分析
3.3.4技術生命周期
3.3.5電子皮膚技術發(fā)展路線
3.4電子皮膚應用技術
3.4.1典型應用技術解析
3.4.2技術功效分析
3.4.3主要產品及專利布局分析
3.5本章小結/
第4章光子型紅外傳感器
4.1光子型紅外傳感器專利總體態(tài)勢
4.1.1申請趨勢
4.1.2專利區(qū)域分布
4.1.3申請人分析
4.2多波段光子型紅外傳感器
4.2.1申請態(tài)勢
4.2.2技術發(fā)展路線
4.2.3技術功效分析
4.2.4重要專利分析
4.3重要申請人——SOFRADIR
4.3.1碲鎘汞紅外傳感器技術路線
4.3.2SOFRADIR軍民融合策略
4.3.3中國軍民融合策略
4.4本章小結
第5章陀螺儀
5.1陀螺儀技術專利總體態(tài)勢
5.2MEMS陀螺儀
5.2.1專利申請趨勢
5.2.2專利區(qū)域分布
5.2.3申請人分析
5.3正交誤差補償技術
5.3.1技術發(fā)展現(xiàn)狀
5.3.2申請趨勢
5.3.3專利區(qū)域分布
5.3.4申請人分析
5.3.5專利布局分析
5.4初創(chuàng)公司成功之道——InvenSense
5.4.1InvenSense專利概況
5.4.2重要專利技術
5.4.3研發(fā)團隊
5.4.4申請策略
5.4.5專利布局
5.4.6技術路線
5.4.7企業(yè)并購
5.5本章小結
第6章MEMS制造工藝
6.1MEMS制造工藝專利總體態(tài)勢
6.1.1申請趨勢
6.1.2技術構成
6.1.3專利區(qū)域分布
6.1.4申請人分析
6.2硅通孔工藝
6.2.1申請態(tài)勢
6.2.2專利區(qū)域分布
6.2.3申請人分析
6.2.4技術發(fā)展路線
6.2.5技術功效分析
6.2.6重要專利分析
6.3重要申請人——臺積電
6.3.1公司概況
6.3.2專利申請態(tài)勢
6.3.3多角度解決封裝應力問題
6.3.4扇出晶圓級封裝核心技術
6.3.5商業(yè)秘密與專利保護
6.4MEMS工藝標準化的突破口
6.4.1CMOS-MEMS融合工藝概況
6.4.2重要專利分析
6.4.3重點產品分析
6.5本章小結
第7章主要結論
7.1技術創(chuàng)新
7.2知識產權保護
7.3企業(yè)運營戰(zhàn)略
圖索引
表索引