碳化硅\硅納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備和物性研究

$碳化硅\硅納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備和物性研究$

定　價：￥46.50

作　者：	王海燕著
出版社：	中國水利水電出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787517053057	出版時間：	2017-05-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《碳化硅\\硅納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備和物性研究》對碳化硅/硅納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備和物性進行了研究.主要內(nèi)容包括SiC/Si-NPA納米復合體系的制備、SiC/Si-VPA的場致發(fā)射性能研究、SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能研究、SiC/Si-NPA的氣體傳感性能研究等?！短蓟鑌\硅納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備和物性研究》結(jié)構(gòu)合理.條理清晰，內(nèi)容豐富新穎，是一本值得學習研究的著作，可供相關(guān)人員參考使用。

作者簡介

暫缺《碳化硅\硅納米異質(zhì)結(jié)陣列的制備和物性研究》作者簡介

圖書目錄

前言
第1章緒論
1．1 半導體材料的發(fā)展
1．2 SiC半導體的基本性質(zhì)
1．3 SiC納米材料的研究
1．4 硅基復合體系
1．5 本書的研究內(nèi)容
第2章 SiC/Si-NPA納米復合體系的制備
2．1 引言
2．2 Si-NPA的制備和表征
2．3 SiC納米晶/Si-NPA的制備和表征
2．4 SiC納米線/Si-NPA的制備和表征
2．5 小結(jié)
第3章 SiC/Si-NPA的場致發(fā)射性能研究
3．1 引言
3．2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3．3 nw-SiC/ Si-NPA的場發(fā)射性能
3．4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的場發(fā)射性能
3．5 小結(jié)
第4章 SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能研究
4．1 引言
4．2 nw-SiC/Si-NPA的光致發(fā)光性能
4．3 nc-SiC/Si-NPA光致發(fā)光性能
4．4 小結(jié)
第5章 SiC/Si-NPA的氣體傳感性能研究
5．1 引言
5．2 SiC基氣體傳感器
5．3 SiC/Si-NPA氣體傳感器的制備
5．4 H2S氣體傳感器
5．5 濕度傳感器
5．6 小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻
附錄