5G高頻系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及設(shè)計(jì)

定　價(jià)：￥89.00

作　者：	黃宇紅，劉盛綱，楊光，王大鵬，丁海煜著
出版社：	人民郵電出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787115492562	出版時(shí)間：	2018-10-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	小16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	199	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)系統(tǒng)性地探討了5G高頻標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)設(shè)計(jì)及產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)中的關(guān)鍵問(wèn)題，包括頻譜規(guī)劃與分配、傳播特性與建模、物理層關(guān)鍵技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)、射頻指標(biāo)定義及標(biāo)準(zhǔn)化、高頻組網(wǎng)、基站站型規(guī)劃及關(guān)鍵架構(gòu)設(shè)計(jì)、關(guān)鍵器件研發(fā)及設(shè)計(jì)等多方面的內(nèi)容。本書(shū)涉及內(nèi)容系統(tǒng)、全面，對(duì)5G高頻產(chǎn)業(yè)構(gòu)建中形成的許多研究成果、產(chǎn)業(yè)突破以及創(chuàng)新案例進(jìn)行了詳細(xì)闡述，是業(yè)界現(xiàn)階段難得的一部既有學(xué)術(shù)水平，也有很強(qiáng)工程指導(dǎo)意義的著作。對(duì)于后續(xù)5G高頻段應(yīng)用領(lǐng)域的研究、開(kāi)發(fā)、創(chuàng)新提供了重要參考，可作為科學(xué)研究和工程應(yīng)用領(lǐng)域重點(diǎn)參考的著作之一，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)的師生的教科書(shū)與參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

　　黃宇紅，女，中國(guó)移動(dòng)通信有限公司研究院副院長(zhǎng)、教授級(jí)高級(jí)工程師。先后負(fù)責(zé)了中國(guó)移動(dòng)GSM900/1800雙頻網(wǎng)絡(luò)、GPRS、CMNet、IP專網(wǎng)、WLAN、3G、4G TD-LTE相關(guān)的技術(shù)研究、策略研究、規(guī)范制定和試驗(yàn)測(cè)試等重大項(xiàng)目的技術(shù)工作以及LTE后續(xù)演進(jìn)及5G的新技術(shù)研究和標(biāo)準(zhǔn)化工作。現(xiàn)任國(guó)際組織NGMN董事會(huì)成員，并負(fù)責(zé)全球TD-LTE發(fā)展倡議（GTI）工作。榮獲省部級(jí)以上獎(jiǎng)項(xiàng)20項(xiàng)，其中，2016年參與的“第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)（TD-LTE）關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項(xiàng)目獲得由***頒發(fā)的國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)。入選2017年國(guó)家百千萬(wàn)人才工程，被授予“有突出貢獻(xiàn)中青年專家”榮譽(yù)稱號(hào)。共申請(qǐng)專利136件，擁有授權(quán)專利88件。獲得2010年全國(guó)勞動(dòng)模范稱號(hào)，享受***政府特殊津貼。劉盛綱，男，*****院士，電子物理學(xué)家，美國(guó)MIT電磁科學(xué)院院士。1955年畢業(yè)于南京工學(xué)院（現(xiàn)東南大學(xué)）無(wú)線電工程系并留校任教，1988年至2001年任電子科技大學(xué)校長(zhǎng)。專著《相對(duì)論電子學(xué)》是國(guó)際上D一部系統(tǒng)論述相對(duì)論電子學(xué)理論的論著。在電磁慢波結(jié)構(gòu)、電子回旋脈塞（ECRM）、自由電子激光、相對(duì)論電子學(xué)和相對(duì)論等離子體電子學(xué)等領(lǐng)域做了大量的原創(chuàng)性工作，為電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展作出了zhuo越的貢獻(xiàn)，并獲得陳嘉庚信息科學(xué)獎(jiǎng)和國(guó)際K.J.Button獎(jiǎng)。2016年9月27日，獲得國(guó)際紅外毫米波太赫茲學(xué)會(huì)的特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)。楊光，男，博士，中國(guó)移動(dòng)通信有限公司研究院產(chǎn)業(yè)與業(yè)務(wù)合作部總經(jīng)理、教授級(jí)高級(jí)工程師，國(guó)家科技重大專項(xiàng)三核心專家和評(píng)審專家，長(zhǎng)期工作在移動(dòng)通信領(lǐng)域，全程負(fù)責(zé)了第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)（TD-LTE）技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)構(gòu)建工作，獲得國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)，數(shù)次獲得省部級(jí)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)，先后牽頭承擔(dān)或參與國(guó)家重大專項(xiàng)5項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇，學(xué)術(shù)專著2部，數(shù)十件國(guó)際發(fā)明專利授權(quán)。王大鵬，男，中國(guó)移動(dòng)通信有限公司研究院主任研究員、高級(jí)工程師，主要從事2G/3G/4G/5G基站的射頻技術(shù)研究、射頻指標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)化和相關(guān)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)以及頻譜策略和系統(tǒng)兼容性研究工作，獲得中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)和三等獎(jiǎng)各一次，獲得TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟優(yōu)秀論文一次，已授權(quán)發(fā)明專利19件，其中PCT專利2件。丁海煜，男，中國(guó)移動(dòng)通信有限公司研究院無(wú)線與終端研究所所長(zhǎng)、高級(jí)工程師。長(zhǎng)期從事3G（TD-SCDMA）、4G（TD-LTE）、物聯(lián)網(wǎng)（NB-IoT）、5G等移動(dòng)通信系統(tǒng)相關(guān)研究工作，主持國(guó)家寬帶無(wú)線移動(dòng)通信科技重大專項(xiàng)“基于用戶體驗(yàn)的端到端3G／LTE業(yè)務(wù)質(zhì)量評(píng)測(cè)與分析系統(tǒng)研發(fā)”項(xiàng)目，是TD-SCDMA和TD-LTE新技術(shù)創(chuàng)新和規(guī)模試驗(yàn)等重大項(xiàng)目的主要完成人之一，近年來(lái)獲得中國(guó)通信學(xué)會(huì)、中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)及中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)公司頒發(fā)的獎(jiǎng)項(xiàng)11余項(xiàng)。在移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)組網(wǎng)和規(guī)劃、移動(dòng)通信新技術(shù)研究和測(cè)試等方面具有豐富的經(jīng)驗(yàn)。申請(qǐng)專利56件，發(fā)表論文43篇。

圖書(shū)目錄

第 1章概述\t1
1．1 5G的場(chǎng)景與指標(biāo)需求\t3
1．2 5G的高、中、低頻協(xié)同覆蓋需求\t4
1．3 5G高頻總體發(fā)展目標(biāo)及重點(diǎn)研發(fā)方向\t6
第 2章 5G頻譜規(guī)劃與分配\t9
2．1 高頻的定義\t9
2．2 全球5G高頻規(guī)劃進(jìn)展\t10
2．2．1 TDD成為高頻主流特征\t11
2．2．2 ITU WRC-19 1．13議題研究進(jìn)展和時(shí)間規(guī)劃\t11
2．2．3 全球主要經(jīng)濟(jì)體高頻規(guī)劃現(xiàn)狀\t12
2．2．4 我國(guó)高頻頻譜研究進(jìn)展\t13
2．2．5 高頻規(guī)劃和分配所需研究和準(zhǔn)備工作\t14
2．3 總結(jié)與展望\t17
參考文獻(xiàn)\t17
第3章 5G高頻傳播特性分析與建模\t19
3．1 高頻信道模型的挑戰(zhàn)\t20
3．2 高頻信道建模方法及最新進(jìn)展\t21
3．2．1 前期研究工作及標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展\t21
3．2．2 高頻信道建模的分類\t22
3．2．3 統(tǒng)計(jì)信道建模\t23
3．2．4 合信道建模\t42
3．3 總結(jié)與展望\t48
參考文獻(xiàn)\t49
第4章 5G高頻物理層關(guān)鍵技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)\t51
4．1 高頻在移動(dòng)通信應(yīng)用中的挑戰(zhàn)及關(guān)鍵應(yīng)對(duì)技術(shù)\t51
4．1．1 挑戰(zhàn)一：帶寬\t52
4．1．2 挑戰(zhàn)二：天線\t53
4．1．3 挑戰(zhàn)三：信道\t54
4．1．4 挑戰(zhàn)四：器件\t54
4．2 5G高頻物理層整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)\t55
4．2．1 系統(tǒng)參數(shù)設(shè)計(jì)\t56
4．2．2 部分帶寬設(shè)計(jì)\t58
4．2．3 波束掃描接入設(shè)計(jì)\t59
4．2．4 波束管理設(shè)計(jì)\t64
4．2．5 參考信號(hào)設(shè)計(jì)\t69
4．3 總結(jié)與展望\t81
參考文獻(xiàn)\t82
第5章 5G高頻射頻指標(biāo)定義及標(biāo)準(zhǔn)化\t83
5．1 5G高頻射頻指標(biāo)面臨的挑戰(zhàn)\t83
5．2 5G高頻OTA射頻指標(biāo)3GPP標(biāo)準(zhǔn)化概述\t84
5．3 5G高頻OTA指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)研究進(jìn)展和預(yù)期\t86
5．3．1 OTA發(fā)射指標(biāo)\t87
5．3．2 OTA接收指標(biāo)\t92
5．4 總結(jié)與展望\t95
參考文獻(xiàn)\t96
第6章 5G高頻組網(wǎng)研究及標(biāo)準(zhǔn)化\t97
6．1 高頻組網(wǎng)挑戰(zhàn)\t97
6．2 5G高頻覆蓋能力分析\t102
6．3 5G高頻與中低頻協(xié)作組網(wǎng)\t109
6．3．1 不同協(xié)作方式的組網(wǎng)方案\t110
6．3．2 非完整鏈路的工作方式\t111
6．4 超密集組網(wǎng)與干擾抑制\t111
6．5 高頻自回傳技術(shù)\t112
6．6 5G高頻移動(dòng)性優(yōu)化\t114
6．6．1 小區(qū)虛擬化\t114
6．6．2 C-U分離\t114
6．6．3 雙連接\t115
6．7 高頻組網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)研究及標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展\t116
6．8 總結(jié)與展望\t117
第7章 5G高頻基站規(guī)劃及關(guān)鍵架構(gòu)設(shè)計(jì)\t119
7．1 5G高頻基站產(chǎn)品規(guī)劃和設(shè)計(jì)流程\t119
7．2 5G高頻基站應(yīng)用場(chǎng)景及設(shè)備形態(tài)\t121
7．3 5G高頻系統(tǒng)仿真及整機(jī)指標(biāo)設(shè)計(jì)\t122
7．3．1 面向5G高頻系統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)仿真評(píng)估方法演進(jìn)\t122
7．3．2 系統(tǒng)級(jí)仿真基本概念及系統(tǒng)級(jí)仿真平臺(tái)的關(guān)鍵工作流程\t123
7．3．3 仿真任務(wù)及仿真參數(shù)配置\t125
7．3．4 仿真結(jié)果及分析\t129
7．3．5 仿真結(jié)論及對(duì)整機(jī)指標(biāo)的初步建議\t137
7．4 關(guān)鍵架構(gòu)設(shè)計(jì)之一：數(shù)?；旌霞軜?gòu)方案設(shè)計(jì)\t138
7．4．1 高頻架構(gòu)方案的選擇\t138
7．4．2 天線陣列優(yōu)化方案\t140
7．4．3 高頻濾波器實(shí)現(xiàn)方案\t142
7．4．4 天面共用實(shí)現(xiàn)方案\t145
7．4．5 PA/LNA功能模塊集成方案\t147
7．4．6 幅相控制單元實(shí)現(xiàn)方案\t155
7．4．7 數(shù)字和模擬中頻\t161
7．4．8 本振系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案\t164
7．4．9 校準(zhǔn)方案\t169
7．4．10 高頻線性化技術(shù)\t171
7．4．11 高頻設(shè)備散熱\t173
7．5 關(guān)鍵架構(gòu)設(shè)計(jì)之二：透鏡架構(gòu)方案設(shè)計(jì)\t175
7．5．1 透鏡的種類優(yōu)選分析\t175
7．5．2 波束管理方案\t177
7．5．3 高頻大功率PA的實(shí)現(xiàn)挑戰(zhàn)\t179
7．6 總結(jié)與展望\t180
參考文獻(xiàn)\t181
第8章 5G高頻基站關(guān)鍵器件研發(fā)及設(shè)計(jì)\t183
8．1 高頻器件的種類\t183
8．2 高頻器件國(guó)內(nèi)外技術(shù)及產(chǎn)業(yè)情況\t184
8．2．1 傳統(tǒng)化合物技術(shù)及產(chǎn)業(yè)情況\t184
8．2．2 Si（硅）基技術(shù)及產(chǎn)業(yè)情況\t185
8．2．3 GaN技術(shù)及產(chǎn)業(yè)情況\t186
8．2．4 器件（芯片）封裝技術(shù)及產(chǎn)業(yè)情況\t188
8．2．5 異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)及產(chǎn)業(yè)情況\t191
8．3 關(guān)鍵器件設(shè)計(jì)\t194
8．3．1 功率放大器（PA）的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)\t194
8．3．2 低噪聲放大器（LNA）的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)\t196
8．3．3 開(kāi)關(guān)（SW）的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)\t197
8．3．4 天線的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)\t197
8．4 總結(jié)與展望\t199
參考文獻(xiàn)\t199