射頻集成電路及系統(tǒng)設計

譯者序
前言
第1章射頻元件
11電場和電容
12磁場和電感
13時變場和麥克斯韋方程組
14電容和電感的電路描述
15分布參數(shù)電路和集總參數(shù)電路
16能量和功率
17LC和RLC電路
18集成電容
19集成電感
191螺旋電感
192二階效應
193差分電感和變壓器
194電感集總電路模型
110習題
111參考文獻
第2章射頻信號與系統(tǒng)
21傅里葉變換和傅里葉級數(shù)
22沖激信號和沖激響應
23無源濾波器
24有源濾波器
25希爾伯特變換及正交濾波器
251無源多相濾波器
252有源多相濾波器
253正交信號產(chǎn)生
26隨機過程
261平穩(wěn)過程以及遍歷性
262高斯過程
263功率譜密度
264隨機過程濾波
265循環(huán)平穩(wěn)過程
27模擬線性調(diào)制
28模擬非線性調(diào)制
29現(xiàn)代射頻調(diào)制方案
210習題
211參考文獻
第3章射頻二端口網(wǎng)絡
31二端口網(wǎng)絡
32有效功率
33阻抗變換
331寬帶變壓器
332并串轉(zhuǎn)換電路
333窄帶變換器
34傳輸線
341終端傳輸線
342電壓駐波比
343傳輸線輸入阻抗
35史密斯圓圖
36S參數(shù)
37低損傳輸線
38差分二端口網(wǎng)絡
39習題
310參考文獻
第4章噪聲
41噪聲的種類
411熱噪聲
412白噪聲和噪聲帶寬
413電感和電容的噪聲
414無源有損網(wǎng)絡噪聲
415MOSFET熱噪聲
416閃爍噪聲
417循環(huán)平穩(wěn)噪聲
42二端口的等效噪聲
43噪聲系數(shù)
44最小噪聲系數(shù)
45級聯(lián)結構的噪聲系數(shù)
46相位噪聲
47靈敏度
48噪聲系數(shù)的測量
49習題
410參考文獻
第5章失真
51無線通信系統(tǒng)中的阻塞
52全雙工系統(tǒng)和共存
53小信號非線性
531輸入截止點
532多級級聯(lián)的IIP3
533二階失真
534反饋對線性度的影響
535動態(tài)范圍
54大信號非線性
55倒易混頻
56諧波混頻
57發(fā)射機
571輸出功率
572發(fā)射機的mask
573發(fā)射信號質(zhì)量
574轉(zhuǎn)換頻譜和時域mask
575發(fā)射機中的AMAM和AMPM
576發(fā)射機中的頻率牽引
58習題
59參考文獻
第6章低噪聲放大器
61匹配需求
62射頻調(diào)諧放大器
63并聯(lián)反饋低噪放
631高環(huán)路增益電阻反饋
632共源共柵低噪放
64串聯(lián)反饋低噪放
65前饋低噪放
66低噪放存在的實際問題
661柵極電阻
662級聯(lián)噪聲和增益損耗
663襯底的影響
664低噪放的偏置
665線性度
666增益控制
67低噪放電源噪聲的優(yōu)化
68習題
69參考文獻
第7章射頻混頻器
71混頻器基礎
72混頻器的演變
73有源混頻器
731有源混頻器的線性度
732有源混頻器的1/f噪聲分析
733有源混頻器的白噪聲分析
734有源混頻器二階失真
74無源電流?；祛l器
741本振占空比
742多相混頻器
743無源混頻器的具體工作
744無源混頻器噪聲
745無源混頻器線性度
746無源混頻器二階失真
747TIA和Gm單元設計
75無源電壓?；祛l器
76發(fā)射機混頻器
761有源上變頻混頻器
762無源上變頻混頻器
77發(fā)射機混頻器的諧波折疊
78低噪放/混頻器實例
781電路分析
782設計方法總結
79習題
710參考文獻
第8章振蕩器
81線性LC振蕩器
811反饋模型
812線性振蕩器的相位噪聲
813效率
814振蕩器的品質(zhì)因子
82非線性LC振蕩器
821直觀理解
822能量平衡條件
823振蕩幅度
83非線性LC振蕩器的相位噪聲分析
831相位、頻率和幅度噪聲的定義
832FM和PM噪聲的相似性
833AM和PM邊帶
834將SSB分解成AM和PM邊帶
835周期平穩(wěn)噪聲
836經(jīng)過非線性系統(tǒng)的噪聲
837無噪振蕩器對外部噪聲的響應
838諧振腔的一般性結論
84LC振蕩器拓撲結構
841標準NMOS拓撲結構
842標準CMOS拓撲結構
843考畢茲拓撲結構
844振蕩器的設計方法
85Q值退化
86頻率調(diào)制效應
861非線性電容
862Groszkowski效應
863電源牽引
87其他LC振蕩器拓撲結構
871帶有噪聲濾波的標準結構
872C類拓撲結構
88環(huán)形振蕩器
881基本工作原理
882硬開關電路中相位噪聲的估計
883簡化的環(huán)形振蕩器噪聲模型
884單個反相器的相位噪聲
885環(huán)形振蕩器和LC振蕩器的比較
89正交振蕩器
891振蕩模式
892失配對正交精度的影響
893相位噪聲分析
810晶體振蕩器
8101晶體振蕩器模型
8102實際的晶體振蕩器
8103調(diào)諧需求
811鎖相環(huán)
8111PLL的傳輸函數(shù)
8112PLL的噪聲
812習題
813參考文獻
第9章功率放大器
91一般考慮
92A類功率放大器
93B類功率放大器
94C類功率放大器
95D類功率放大器
96E類功率放大器
97F類功率放大器
98功率放大器的線性化技術
981預失真
982包絡消除和恢復
983包絡跟蹤
984動態(tài)偏置
985Doherty功率放大器
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