PDN設(shè)計(jì)之電源完整性：高速數(shù)字產(chǎn)品的魯棒和高效設(shè)計(jì)

譯者序
前言
致謝
第1章電源分配網(wǎng)絡(luò)工程
11電源分配網(wǎng)絡(luò)的定義及關(guān)心它的原因
12PDN工程
13PDN的魯棒性設(shè)計(jì)
14建立PDN阻抗曲線
15總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章PDN阻抗設(shè)計(jì)基本原理
21關(guān)心阻抗的原因
22頻域中的阻抗
23阻抗的計(jì)算或仿真
24實(shí)際電路元件與理想電路元件
25串聯(lián)RLC電路
26并聯(lián)RLC電路
27串聯(lián)和并聯(lián)RLC電路的諧振特性
28RLC電路和真實(shí)電容器的例子
29從芯片或電路板的角度觀察PDN
210瞬態(tài)響應(yīng)
211高級(jí)主題：阻抗矩陣
212總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章低阻抗測(cè)量
31關(guān)注低阻抗測(cè)量的原因
32基于V/I阻抗定義的測(cè)量
33基于信號(hào)反射的阻抗測(cè)量
34用VNA測(cè)量阻抗
35示例：測(cè)量DIP中兩條引線的阻抗
36示例：測(cè)量小導(dǎo)線回路的阻抗
37低頻下VNA阻抗測(cè)量的局限性
38四點(diǎn)開爾文電阻測(cè)量技術(shù)
39雙端口低阻抗測(cè)量技術(shù)
310示例：測(cè)量直徑為1in的銅環(huán)阻抗
311夾具偽像說明
312示例：測(cè)量通孔的電感
313示例：印制板上的小型 MLCC電容器
314高級(jí)主題：測(cè)量片上電容
315總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章電感和PDN設(shè)計(jì)
41留意PDN設(shè)計(jì)中電感的原因
42簡(jiǎn)單回顧電容，初步了解電感
43電感的定義、磁場(chǎng)和電感的基本原則
44電感的阻抗
45電感的準(zhǔn)靜態(tài)近似
46磁場(chǎng)密度
47磁場(chǎng)中的電感和能量
48麥克斯韋方程和回路電感
49內(nèi)部及外部電感和趨膚深度
410回路電感、部分電感、自電感和互電感
411均勻圓形導(dǎo)體
412圓形回路中電感的近似
413緊密結(jié)合的寬導(dǎo)體的回路電感
414均勻傳輸線回路電感的近似
415回路電感的簡(jiǎn)單經(jīng)驗(yàn)法則
416高級(jí)主題：利用3D場(chǎng)求解器計(jì)算S參數(shù)并選取回路電感
417總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章實(shí)用多層陶瓷片狀電容器的集成
51使用電容器的原因
52實(shí)際電容器的等效電路模型
53并聯(lián)多個(gè)相同的電容器
54兩個(gè)不同電容器間的并聯(lián)諧振頻率
55PRF處的峰值阻抗
56設(shè)計(jì)一個(gè)貼片電容
57電容器溫度與電壓穩(wěn)定性
58多大的電容是足夠的
59一階和二階模型中實(shí)際電容器的ESR
510從規(guī)格表中估算電容器的ESR
511受控ESR電容器
512電容器的安裝電感
513使用供應(yīng)商提供S參數(shù)的電容器型號(hào)
514如何分析供應(yīng)商提供的S參數(shù)模型
515高級(jí)主題：更高帶寬的電容模型
516總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章平面和電容器的特性
61平面的關(guān)鍵作用
62平面的低頻特性：平行板電容
63平面的低頻特性：邊緣場(chǎng)電容
64平面的低頻特性：功率坑中的邊緣場(chǎng)電容
65長(zhǎng)窄腔回路電感
66寬腔中的擴(kuò)散電感
67從3D場(chǎng)求解器中獲得擴(kuò)散電感
68集總電路中串聯(lián)和并聯(lián)的自諧振頻率
69探討串聯(lián)LC諧振的特性
610擴(kuò)散電感和源的接觸位置
611兩個(gè)接觸點(diǎn)之間的擴(kuò)散電感
612電容器和腔的相互作用
613擴(kuò)散電感的作用：電容位置在何時(shí)重要
614飽和擴(kuò)散電感
615空腔模態(tài)共振和傳輸線特性
616傳輸線和模態(tài)共振的輸入阻抗
617模態(tài)共振和衰減
618空腔二維模型
619高級(jí)主題：使用傳輸阻抗探測(cè)擴(kuò)散電感
620總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章信號(hào)返回平面改變時(shí)，信號(hào)完整性的探討
71信號(hào)完整性和平面
72涉及峰值阻抗問題的原因
73通過較低阻抗和較高阻尼來降低腔體噪聲
74使用短路通孔遏制腔體諧振
75使用多個(gè)隔直電容抑制腔體諧振
76為抑制腔體諧振，估計(jì)隔直電容器的數(shù)量
77為承受回路電流，需要確定隔直電容器的數(shù)量
78使用未達(dá)數(shù)量的隔直電容器的腔體阻抗
79擴(kuò)散電感和電容器的安裝電感
710使用阻尼來遏制由一些電容器產(chǎn)生的并聯(lián)諧振峰
711腔體損耗和阻抗峰的降低
712使用多個(gè)容量的電容器來遏制阻抗峰
713使用受控ESR電容器來減小峰值阻抗高度
714處理回路平面為重要的設(shè)計(jì)原理的總結(jié)
715高級(jí)主題：使用傳輸線電路對(duì)平面建模
716總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章PDN生態(tài)學(xué)
81元件集中在一起：PDN生態(tài)學(xué)和頻域
82高頻端：芯片去耦電容
83封裝PDN
84Bandini山
85估計(jì)典型的Bandini 山頻率
86Bandini山的固有阻尼
87具有多個(gè)通孔對(duì)接觸的電源地平面
88從芯片通過封裝看PCB腔體
89空腔的作用：小印制板、大印制板和“電源旋渦”
810低頻端：VRM和它的大容量電容器
811大容量電容器：多大的電容值足夠
812優(yōu)化大容量電容器和VRM
813建立PDN生態(tài)學(xué)系統(tǒng)：VRM、大容量電容器、腔體、封裝和片上電容器
814峰值阻抗的基本限制
815在具有一般特性的印制板上使用單數(shù)值的MLCC電容器
816優(yōu)化單個(gè)MLCC電容器的數(shù)值
817在印制板上使用3個(gè)不同數(shù)值的MLCC電容器
818優(yōu)化3個(gè)電容器的數(shù)值
819選擇電容值和小電容器數(shù)目的頻域目標(biāo)阻抗法
820使用FDTIM選擇電容器的值
821當(dāng)片上電容是大的和封裝引線電感小的時(shí)候
822使用受控ESR電容器是一種替換的去耦策略
823封裝上的去耦電容器
824高級(jí)主題：同一供電電路上多個(gè)芯片的影響
825總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章瞬時(shí)電流和PDN電壓噪聲
91瞬時(shí)電流如此重要的原因
92平坦阻抗曲線、瞬時(shí)電流