基于分子模擬的典型絕緣材料介電特性研究

第1章 緒論
1．1 電介質(zhì)材料介電性能研究概述
1．1．1 焦綠石材料研究概述
1．1．2 二氧化硅材料研究概述
1．2 分子模擬技術(shù)的研究進展
1．2．1 密度泛函理論研究進展
1．2．2 分子動力學研究進展
1．3 材料介電特性分子模擬的研究進展
1．3．1 焦綠石材料的分子模擬研究進展
1．3．2 石英材料的分子模擬研究進展
1．4 本書的研究目標和研究內(nèi)容
第2章 分子模擬理論基礎(chǔ)
2．1 密度泛函理論
2．1．1 絕熱近似
2．1．2 HohenbergKohn定理：多體理論
2．1．3 KohnSham方程：有效單體理論
2．1．4 交換關(guān)聯(lián)能量泛函
2．2 密度泛函微擾理論
2．2．1 位移擾動和電場擾動
2．2．2 波恩有效電荷
2．2．3 介電張量
2．2．4 LO／TO分裂
2．3 分子動力學方法
2．3．1 經(jīng)典分子動力學方法
2．3．2 質(zhì)點系基本方程（NPT系綜）
2．3．3 第一性原理分子動力學方法
第3章 鉍基焦綠石基態(tài)結(jié)構(gòu)建模研究
3．1 焦綠石材料初始結(jié)構(gòu)建立
3．1．1 XRD圖譜預處理
3．1．2 XRD圖譜指標化
3．1．3 BZNT晶胞精修
3．1．4 BZNT初始晶體結(jié)構(gòu)建立
3．2 焦綠石結(jié)構(gòu)精修研究
3．2．1 里特沃爾德結(jié)構(gòu)精修
3．2．2 添加能量因子的里特沃爾德精修
3．2．3 基于密度泛函理論的結(jié)構(gòu)精修
3．3 焦綠石結(jié)構(gòu)精修結(jié)果分析
3．3．1 BZNT不同精修結(jié)構(gòu)的光學特性研究
3．3．2 BZNT不同精修結(jié)構(gòu)的鍵價理論分析
3．3．3 不同精修方法分析
3．4 本章小結(jié)
第4章 鉍基焦綠石介電特性研究
4．1 BZNT焦綠石電子位移極化特性
4．2 BZNT焦綠石離子位移極化特性
4．2．1 晶體對稱性分析
4．2．2 贗勢函數(shù)開發(fā)
4．2．3 聲子譜計算結(jié)果
4．3 本章小結(jié)
第5章 石英晶體基態(tài)建模研究
5．1 無缺陷體系建模研究
5．2 含缺陷體系建模研究
5．3 本章小結(jié)
第6章 石英晶體介電特性研究
6．1 石英晶體介電特性實驗研究
6．2 無缺陷石英晶體介電常數(shù)研究
6．2．1 石英晶體電子位移極化特性
6．2．2 石英晶體離子位移極化特性
6．3 含缺陷石英晶體介電特性
6．3．1 缺陷微觀參量變化規(guī)律
6．3．2 電子電導變化規(guī)律
6．3．3 離子電導特性研究
6．4 石英晶體相變特性研究
6．4．1 利用群論定性分析相變特性
6．4．2 利用熱力學參數(shù)驗證相變特性
6．4．3 利用分子模擬技術(shù)定量分析相變特性
6．4．4 相變對于介電特性的影響
6．5 本章小結(jié)
第7章 結(jié)論與展望
參考文獻