軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告

定　價(jià)：￥96.00

作　者：	中國(guó)國(guó)防科技信息中心
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118116274	出版時(shí)間：	2018-04-01	包裝：
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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　軍用電子元器件在新軍事變革與武器裝備信息化、智能化發(fā)展中發(fā)揮著極為重要的作用，發(fā)達(dá)國(guó)家已將電子元器件視為重要戰(zhàn)略資源，積極推動(dòng)電子元器件技術(shù)特別是前沿技術(shù)的發(fā)展，以維持或加大武器裝備技術(shù)的“代差”優(yōu)勢(shì)，掌握未來(lái)戰(zhàn)爭(zhēng)主動(dòng)權(quán)。為幫助廣大讀者全面、深入地了解軍用電子元器件技術(shù)發(fā)展的新動(dòng)向，我們組織中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所、第十二研究所、第十三研究所、第四十九研究所等專業(yè)研究所，以及中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所、中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)第二一一研究所、中國(guó)久遠(yuǎn)高新技術(shù)裝備公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、北京郵電大學(xué)等有關(guān)單位研究人員，共同編撰了《軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》?！盾娪秒娮釉骷I(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》由綜合動(dòng)向分析、重要專題分析、附錄三部分構(gòu)成。綜合動(dòng)向分析部分對(duì)2017年軍用微電子、光電子、真空電子、傳感器、電能源、抗輻照等重點(diǎn)領(lǐng)域器件與技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行了分析和歸納；重要專題分析部分從元器件領(lǐng)域選取16個(gè)重點(diǎn)和熱點(diǎn)問(wèn)題進(jìn)行了比較深入的分析和研究；附錄對(duì)2017年軍用電子元器件重點(diǎn)領(lǐng)域的重大或重要事件進(jìn)行了簡(jiǎn)述。

作者簡(jiǎn)介

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圖書(shū)目錄

綜合動(dòng)向分析
2017年軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展綜述
2017年微電子器件發(fā)展綜述
2017年光電子器件發(fā)展綜述
2017年電能源發(fā)展綜述
2017年抗輻射加固器件發(fā)展綜述
2017年微電子器件技術(shù)發(fā)展綜述
2017年光電子器件技術(shù)發(fā)展綜述
2017年電能源技術(shù)發(fā)展綜述
2017年抗輻射加固器件技術(shù)發(fā)展綜述
2017年真空電子器件與技術(shù)發(fā)展綜述
2017年傳感器器件與技術(shù)發(fā)展綜述
重要專題分析
半導(dǎo)體金剛石材料和器件研究現(xiàn)狀
石墨烯一硅光電子器件發(fā)展現(xiàn)狀和前景
軍用非制冷紅外成像機(jī)芯組件發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)
兆瓦級(jí)激光器研究進(jìn)展與技術(shù)挑戰(zhàn)
發(fā)展新一代真空電子器件
美國(guó)在功能芯片上實(shí)現(xiàn)計(jì)算與存儲(chǔ)集成
美國(guó)定向自組裝芯片圖形化工藝突破10納米
美國(guó)電子束光刻工藝達(dá)1納米量級(jí)
世界首個(gè)集成硅光子學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件誕生
單片量子點(diǎn)一石墨烯CMOS圖像傳感器實(shí)現(xiàn)寬波段成像
超表面結(jié)構(gòu)開(kāi)辟光波導(dǎo)模式轉(zhuǎn)換新途徑
MEMS紅外光源有望實(shí)現(xiàn)更新?lián)Q代
微納光機(jī)電傳感技術(shù)
DARPA啟動(dòng)“電子復(fù)興”計(jì)劃
DARPA“近零功率射頻和傳感器”項(xiàng)目研究進(jìn)展
附錄
2017年軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展大事記