電子元器件檢驗(yàn)技術(shù)（測試部分）

第1章 壽命試驗(yàn)技術(shù)\t（1）
1．1 壽命試驗(yàn)的定義與解釋\t（1）
1．1．1 存儲壽命試驗(yàn)\t（1）
1．1．2 工作壽命試驗(yàn)\t（2）
1．1．3 加速壽命試驗(yàn)\t（3）
1．2 應(yīng)力對壽命的影響\t（3）
1．2．1 阿列尼烏斯模型\t（3）
1．2．2 愛林模型\t（5）
1．2．3 逆冪律模型\t（7）
1．2．4 電解腐蝕壽命與濕度的關(guān)系\t（7）
1．3 加速壽命試驗(yàn)\t（7）
1．3．1 恒定應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)設(shè)計(jì)及實(shí)施\t（8）
1．3．2 恒定應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)結(jié)果的圖估計(jì)法\t（10）
1．3．3 加速壽命試驗(yàn)中方程常數(shù)及加速系數(shù)的估計(jì)\t（18）
1．4 對壽命試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)理解\t（20）
1．5 壽命試驗(yàn)方法及內(nèi)容\t（20）
1．5．1 高溫存儲試驗(yàn)\t（21）
1．5．2 鋁電解電容器耐久性試驗(yàn)\t（21）
1．5．3 集成電路穩(wěn)態(tài)工作壽命試驗(yàn)\t（22）
1．6 工程應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)\t（24）
1．6．1 試驗(yàn)方法\t（24）
1．6．2 測量方法\t（24）
1．6．3 試驗(yàn)設(shè)備和裝置\t（25）
1．6．4 保證壽命試驗(yàn)測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性\t（25）
1．6．5 壽命試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（26）
本章參考文獻(xiàn)\t（30）
第2章 環(huán)境試驗(yàn)技術(shù)\t（31）
2．1 環(huán)境試驗(yàn)作用及發(fā)展趨勢\t（31）
2．1．1 環(huán)境試驗(yàn)的作用\t（31）
2．1．2 環(huán)境試驗(yàn)的分類\t（32）
2．1．3 環(huán)境試驗(yàn)發(fā)展概況\t（35）
2．2 氣候環(huán)境試驗(yàn)\t（38）
2．2．1 低溫試驗(yàn)\t（38）
2．2．2 高溫試驗(yàn)\t（40）
2．2．3 溫度變化試驗(yàn)\t（43）
2．2．4 濕熱試驗(yàn)\t（47）
2．2．5 強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)\t（53）
2．3 機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)\t（54）
2．3．1 振動試驗(yàn)\t（54）
2．3．2 機(jī)械沖擊\t（74）
2．3．3 碰撞試驗(yàn)\t（88）
2．3．4 恒定加速度\t（93）
2．4 水浸漬試驗(yàn)\t（102）
2．4．1 水浸漬試驗(yàn)概述\t（102）
2．4．2 水浸漬試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（103）
2．4．3 水浸漬試驗(yàn)方法\t（103）
2．4．4 水浸漬試驗(yàn)案例\t（104）
2．5 霉菌試驗(yàn)\t（105）
2．5．1 概述\t（105）
2．5．2 霉菌對材料和產(chǎn)品的影響\t（105）
2．5．3 霉菌試驗(yàn)的定義\t（106）
2．5．4 霉菌試驗(yàn)的目的\t（106）
2．5．5 霉菌試驗(yàn)的意義\t（106）
2．5．6 霉菌試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)及其適用性\t（107）
2．5．7 霉菌試驗(yàn)的方法及實(shí)施\t（108）
2．5．8 信息要求\t（110）
2．5．9 試驗(yàn)要求\t（111）
2．5．10 試驗(yàn)過程\t（112）
2．5．11 霉菌試驗(yàn)的發(fā)展趨勢\t（117）
2．6 鹽霧試驗(yàn)\t（117）
2．6．1 鹽霧試驗(yàn)概述\t（117）
2．6．2 鹽霧試驗(yàn)的種類\t（118）
2．6．3 鹽霧對金屬的腐蝕效應(yīng)\t（118）
2．6．4 鹽霧試驗(yàn)的意義\t（119）
2．6．5 鹽霧試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（120）
2．6．6 鹽霧試驗(yàn)方法及技術(shù)\t（121）
2．6．7 鹽霧試驗(yàn)案例\t（123）
2．7 砂塵試驗(yàn)\t（124）
2．7．1 砂塵試驗(yàn)概述\t（124）
2．7．2 砂塵試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（125）
2．7．3 砂塵試驗(yàn)方法及技術(shù)\t（127）
2．7．4 砂塵試驗(yàn)案例\t（134）
2．8 綜合環(huán)境試驗(yàn)\t（139）
2．8．1 綜合環(huán)境試驗(yàn)概述\t（139）
2．8．2 綜合環(huán)境試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（139）
2．8．3 綜合環(huán)境試驗(yàn)方法及技術(shù)\t（140）
2．8．4 綜合環(huán)境試驗(yàn)案例\t（146）
本章參考文獻(xiàn)\t（146）
第3章 空間環(huán)境試驗(yàn)技術(shù)\t（147）
3．1 熱真空試驗(yàn)\t（147）
3．1．1 熱真空試驗(yàn)概述\t（147）
3．1．2 熱真空試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（148）
3．1．3 熱真空試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（149）
3．2 空間環(huán)境輻射試驗(yàn)\t（156）
3．2．1 宇航用器件電離總劑量試驗(yàn)技術(shù)概述\t（157）
3．2．2 宇航用半導(dǎo)體器件電離總劑量試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（162）
3．2．3 宇航用半導(dǎo)體器件電離總劑量試驗(yàn)方法\t（165）
3．2．4 宇航用半導(dǎo)體器件電離總劑量試驗(yàn)案例\t（171）
3．3 單粒子效應(yīng)試驗(yàn)技術(shù)\t（173）
3．3．1 單粒子效應(yīng)試驗(yàn)概述\t（173）
3．3．2 單粒子試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（176）
3．3．3 單粒子試驗(yàn)方法\t（178）
3．3．4 單粒子效應(yīng)試驗(yàn)案例\t（182）
本章參考文獻(xiàn)\t（186）
第4章 破壞性物理實(shí)驗(yàn)分析\t（189）
4．1 DPA技術(shù)的背景\t（189）
4．2 DPA技術(shù)的基本概念\t（190）
4．3 DPA技術(shù)的目的和應(yīng)用方向\t（191）
4．3．1 DPA技術(shù)的目的\t（191）
4．3．2 DPA技術(shù)的應(yīng)用方向\t（191）
4．4 DPA技術(shù)的一般要求\t（192）
4．5 DPA技術(shù)的試驗(yàn)項(xiàng)目\t（193）
4．5．1 DPA技術(shù)項(xiàng)目名稱及代號\t（193）
4．5．2 不同電子元器件種類相應(yīng)的DPA項(xiàng)目\t（193）
4．6 外觀檢查\t（194）
4．6．1 概念\t（194）
4．6．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（194）
4．6．3 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（197）
4．7 密封試驗(yàn)\t（197）
4．7．1 概述\t（197）
4．7．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（198）
4．7．3 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（198）
4．7．4 密封檢測技術(shù)發(fā)展趨勢\t（206）
4．7．5 密封試驗(yàn)存在問題分析\t（207）
4．8 可焊性試驗(yàn)\t（208）
4．8．1 概述\t（208）
4．8．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（208）
4．8．3 試驗(yàn)內(nèi)容\t（209）
4．8．4 可焊性試驗(yàn)發(fā)展趨勢\t（211）
4．8．5 可焊性試驗(yàn)失效分析\t（212）
4．9 X射線照相\t（212）
4．9．1 概述\t（212）
4．9．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（213）
4．9．3 試驗(yàn)儀器\t（213）
4．9．4 試驗(yàn)程序\t（213）
4．9．5 試驗(yàn)判據(jù)\t（214）
4．9．6 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（222）
4．9．7 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（223）
4．10 耐焊接熱試驗(yàn)\t（223）
4．10．1 概述\t（223）
4．10．2 試驗(yàn)內(nèi)容\t（223）
4．10．3 耐焊接熱試驗(yàn)發(fā)展趨勢\t（228）
4．11 耐溶劑試驗(yàn)\t（228）
4．11．1 概述\t（228）
4．11．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（228）
4．11．3 試驗(yàn)方法\t（229）
4．11．4 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（230）
4．11．5 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（230）
4．12 粒子碰撞噪聲\t（231）
4．12．1 概述\t（231）
4．12．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（231）
4．12．3 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（233）
4．12．4 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（234）
4．13 引出端強(qiáng)度\t（235）
4．13．1 概述\t（235）
4．13．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（235）
4．13．3 發(fā)展趨勢\t（239）
4．14 聲學(xué)掃描顯微鏡檢查\t（240）
4．14．1 概述\t（240）
4．14．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（241）
4．14．3 試驗(yàn)過程中遇到的問題及解決思路\t（244）
4．14．4 發(fā)展趨勢\t（245）
4．15 嚙合力和分離力\t（246）
4．15．1 概述\t（246）
4．15．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（246）
4．15．3 試驗(yàn)程序\t（246）
4．15．4 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（250）
4．16 嚙合力矩和分離力矩\t（251）
4．16．1 概述\t（251）
4．16．2 試驗(yàn)儀器\t（251）
4．16．3 試驗(yàn)程序\t（251）
4．16．4 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（252）
4．17 鍍層厚度\t（252）
4．17．1 概述\t（252）
4．17．2 工作原理\t（252）
4．17．3 試驗(yàn)儀器\t（253）
4．17．4 儀器校準(zhǔn)\t（254）
4．17．5 試驗(yàn)程序\t（254）
4．17．6 X射線熒光測厚儀測量條件選擇及方法研究\t（257）
4．17．7 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（257）
4．18 外形尺寸\t（258）
4．18．1 概述\t（258）
4．18．2 試驗(yàn)原理\t（258）
4．18．3 試驗(yàn)內(nèi)容\t（258）
4．18．4 失效分析\t（261）
4．18．5 發(fā)展趨勢\t（261）
4．19 內(nèi)部氣體成分分析\t（261）
4．19．1 概述\t（261）
4．19．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（262）
4．19．3 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（262）
4．19．4 數(shù)據(jù)分析\t（267）
4．19．5 發(fā)展趨勢\t（267）
4．20 開封\t（268）
4．20．1 概述\t（268）
4．20．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（269）
4．20．3 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（293）
4．20．4 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（293）
4．21 內(nèi)部目檢\t（293）
4．21．1 概述\t（293）
4．21．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（294）
4．21．3 試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展趨勢\t（295）
4．22 制樣鏡檢\t（295）
4．22．1 概述\t（295）
4．22．2 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（296）
4．22．3 制樣鏡檢適用性的拓展\t（300）
4．23 內(nèi)引線鍵合強(qiáng)度\t（301）
4．23．1 概述\t（301）
4．23．2 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（301）
4．23．3 失效分析\t（306）
4．23．4 內(nèi)引線鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)發(fā)展趨勢\t（306）
4．24 芯片剪切強(qiáng)度\t（307）
4．24．1 概述\t（307）
4．24．2 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（307）
4．24．3 芯片剪切強(qiáng)度失效分析\t（310）
4．24．4 芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)發(fā)展趨勢\t（310）
4．25 掃描電子顯微鏡檢查\t（310）
4．25．1 概述\t（310）
4．25．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（313）
4．25．3 試驗(yàn)儀器\t（313）
4．25．4 試驗(yàn)程序\t（314）
4．25．5 接收/拒收判據(jù)\t（319）
4．25．6 發(fā)展趨勢\t（325）
4．26 倒裝焊拉脫強(qiáng)度\t（325）
4．26．1 試驗(yàn)的定義與理解\t（325）
4．26．2 試驗(yàn)方法的內(nèi)容\t（325）
4．26．3 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（328）
4．27 染色滲透試驗(yàn)\t（328）
4．27．1 概述\t（328）
4．27．2 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（328）
4．28 玻璃鈍化層完整性檢查\t（331）
4．28．1 概述\t（331）
4．28．2 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)\t（331）
4．28．3 試驗(yàn)儀器\t（331）
4．28．4 試驗(yàn)程序\t（331）
4．28．5 試驗(yàn)判據(jù)\t（332）
4．28．6 發(fā)展趨勢\t（333）
4．29 靜電放電敏感度測試\t（334）
4．29．1 概述\t（334）
4．29．2 試驗(yàn)方法與技術(shù)\t（334）
4．29．3 靜電放電測試方法發(fā)展趨勢\t（338）
4．30 拉脫強(qiáng)度\t（338）
4．30．1 概述\t（338）
4．30．2 試驗(yàn)儀器\t（339）
4．30．3 試驗(yàn)程序\t（339）
4．30．4 試驗(yàn)判據(jù)\t（339）
4．30．5 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（340）
4．31 斷裂強(qiáng)度與斷裂伸長率\t（340）
4．31．1 概述\t（340）
4．31．2 試驗(yàn)程序\t（341）
4．31．3 對標(biāo)準(zhǔn)的理解\t（343）
4．32 液體浸漬\t（343）
4．32．1 概述\t（343）
4．32．2 試驗(yàn)內(nèi)容\t（343）
4．32．3 試驗(yàn)液體的性狀、用途及選擇\t（345）
4．33 DPA技術(shù)與其他質(zhì)量分析的關(guān)系\t（346）
4．34 DPA技術(shù)小結(jié)\t（347）
本章參考文獻(xiàn)\t（348）
第5章 結(jié)構(gòu)分析\t（351）
5．1 概述\t（351）
5．2 結(jié)構(gòu)分析的作用\t（351）
5．3 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范制定情況\t（352）
5．4 結(jié)構(gòu)分析與DPA、失效分析的關(guān)系\t（353）
5．5 結(jié)構(gòu)分析的一般方法\t（354）
5．6 研究進(jìn)展\t（356）
5．7 結(jié)語\t（359）
本章參考文獻(xiàn)\t（359）