半導體材料

第1章 半導體材料概述
1．1 半導體材料的發(fā)展與應用
1．2 半導體材料的概念與性質(zhì)
1．2．1 半導體材料的概念
1．2．2 半導體材料的性質(zhì)
第2章 典型半導體材料
2．1 硅、鍺單質(zhì)半導體材料
2．1．1 硅
2．1．2 鍺
2．2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料
2．2．1 光學性質(zhì)
2．2．2 雜質(zhì)自補償特性
2．2．3 應用概述
2．3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料
2．3．1 基本性質(zhì)
2．3．2 晶體結(jié)構(gòu)、化學鍵和極性
2．3．3 部分重要 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的應用
2．4 非晶半導體材料
2．4．1 非晶半導體物理特性
2．4．2 非晶態(tài)半導體制備
2．4．3 非晶態(tài)半導體特性分析
2．4．4 非晶態(tài)半導體的應用
2．5 有機半導體材料
2．5．1 有機半導體材料的基本性質(zhì)
2．5．2 有機半導體材料的分類
2．5．3 有機半導體材料的應用
第3章 半導體材料的制備與工藝
3．1 半導體單晶的制備方法
3．1．1 單晶提純
3．1．2 單晶生長
3．1．3 晶片的制備
3．2 半導體薄膜生長方法
3．2．1 外延生長介紹
3．2．2 真空蒸發(fā)鍍膜法
3．2．3 濺射法鍍膜
3．2．4 離子成膜技術
3．2．5 化學氣相沉積法
第4章 納米半導體材料
4．1 納米半導體材料的物理效應和特性
4．1．1 半導體材料的物理效應
4．1．2 納米半導體材料的基本特性
4．2 一維硅、鍺納米半導體
4．2．1 硅納米線
4．2．2 硅納米管
4．2．3 鍺納米線
4．3 一維氧化鋅納米材料
4．3．1 一維氧化鋅納米材料的制備方法
4．3．2 一維氧化鋅納米材料的應用
4．4 碳納米管
4．4．1 碳納米管的結(jié)構(gòu)
4．4．2 碳納米管的性質(zhì)
4．4．3 碳納米管的制備
4．4．4 碳納米管的純化方法
4．4．5 碳納米管的應用
4．4．6 表征技術
4．5 其他半導體量子材料
4．5．1 半導體量子點材料
4．5．2 半導體量子線材料
第5章 半導體材料測試與表征
5．1 半導體材料微區(qū)電阻測試技術
5．1．1 微區(qū)薄層電阻測試方法
5．1．2 微區(qū)電阻測試方法的基本原理
5．1．3 四探針測試方法
5．2 霍爾效應測試方法
5．2．1 霍爾效應的基本原理
5．2．2 霍爾測試樣品
5．2．3 霍爾測試條件
5．3 俄歇電子能譜
5．3．1 俄歇能譜測試系統(tǒng)
5．3．2 俄歇電子能譜表面分析技術
5．3．3 俄歇電子譜在半導體領域中的典型應用
5．4 紅外光譜分析技術
5．4．1 傅里葉變換紅外光譜優(yōu)點
5．4．2 傅里葉變換紅外光譜測試系統(tǒng)
5．4．3 紅外光譜測試樣品制備
5．4．4 測試條件
5．5 掃描探針顯微鏡
5．5．1 掃描隧道顯微鏡
5．5．2 原子力顯微鏡
5．5．3 掃描近場光學顯微鏡
附錄 A Si半導體特性參數(shù)
A．1 基本參數(shù) （300K）
A．2 能帶結(jié)構(gòu)與載流子濃度
A．3 電學性質(zhì)
A．4 光學性質(zhì)
A．5 熱力學性能
附錄 B Ge半導體特性參數(shù)
B．1 基本參數(shù) （300K）
B．2 能帶結(jié)構(gòu)與載流子濃度
B．3 電學性質(zhì)
B．4 光學性質(zhì)
B．5 熱力學性能
附錄 CC半導體特性參數(shù)
C．1 基本參數(shù) （300K）
C．2 能帶結(jié)構(gòu)與載流子濃度
C．3 電學性質(zhì)
C．4 熱力學性能
附錄 D GaAs半導體特性參數(shù)
D．1 基本參數(shù)
D．2 能帶結(jié)構(gòu)與載流子濃度
D．3 電學性質(zhì)
D．4 熱力學性能
附錄 E GaN半導體特性參數(shù)
E．1 纖鋅礦型GaN基本參數(shù)
E．2 力學性能相關參數(shù)
E．3 纖鋅礦型 GaN波傳播特性
E．4 閃鋅礦型 GaN力學性能相關參數(shù)
E．5 閃鋅礦型 GaN波傳播特性
E．6 GaN的熱性能參數(shù)
E．7 纖鋅礦型 GaN電學和光學特性
E．8 閃鋅礦型 GaN電學和光學特性
附錄 F AlN半導體特性參數(shù)
F．1 與纖鋅礦機械性能相關的參數(shù)
F．2 與閃鋅礦機械性能相關的參數(shù)
F．3 閃鋅礦型 AlN波傳播特性
F．4 纖鋅礦型 AlN的熱性能相關參數(shù)
F．5 纖鋅礦型 AlN的光電性能相關參數(shù)
F．6 閃鋅礦型 AlN的光電性能相關參數(shù)
參考文獻