半導體材料

定　價：￥48.00

作　者：	王如志，劉維，劉立英著
出版社：	清華大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787302542971	出版時間：	2019-12-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	164	字數(shù)：

內容簡介

　　“半導體材料”屬于材料科學與工程專業(yè)的專業(yè)課，涉及材料科學與半導體物理及技術等多學科的交叉領域。半導體材料是應用微電子和光電子技術的基礎，是推動現(xiàn)代信息技術蓬勃發(fā)展的關鍵元素?！栋雽w材料》的內容包括半導體材料概述，半導體材料的結構、特性及理論基礎，半導體材料的主要制備方法及工藝技術，半導體材料的雜質、缺陷及其導電機制，半導體器件應用及納米半導體材料等。

作者簡介

　　王如志，北京工業(yè)大學教授、博士生導師， 2003年獲北京工業(yè)大學材料學博士學位，2005年從復旦大學物理學博士后流動站出站。2008年入選北京市科技新星計劃，2012年入選北京市青年拔尖人才計劃，2013年入選北京工業(yè)大學京華人才計劃。曾在香港，意大利及日本等國家地區(qū)進行合作訪問交流。2007年應邀成為國際學術期刊the Open Condensed Matter Physics Journal編委。在半導體低維納米材料的設計與預測、新能源材料設計與應用、新型納米場發(fā)射材料制備與器件應用等研究領域上取得了一系列具有良好科學意義與應用價值的科研成果。已在國際學術刊物上發(fā)表SCI收錄論文80多篇，其中，以第一或通訊作者發(fā)表的SCI影響因子超過3.5的國際知名學術期刊的科研論文20篇。第一發(fā)明人國家授權發(fā)明專利8項。主持了包括3項國家自然科學基金、北京市科技新星計劃及北京市自然科學基金等科研項目10余項，作為骨干參與國家重大專項、國家自然科學基金重點基金等科研項目多項。主要研究方向側重新型光電功能材料的設計與應用，包括：1）半導體新能源材料設計、制備與應用；2）新型納米場發(fā)射冷陰極設計、制備與器件應用。主持的主要

圖書目錄

第1章半導體材料概述
1．1 半導體材料的發(fā)展與應用
1．2 半導體材料的概念與性質
1．2．1 半導體材料的概念
1．2．2 半導體材料的性質
第2章典型半導體材料
2．1 硅、鍺單質半導體材料
2．1．1 硅
2．1．2 鍺
2．2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料
2．2．1 光學性質
2．2．2 雜質自補償特性
2．2．3 應用概述
2．3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料
2．3．1 基本性質
2．3．2 晶體結構、化學鍵和極性
2．3．3 部分重要 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的應用
2．4 非晶半導體材料
2．4．1 非晶半導體物理特性
2．4．2 非晶態(tài)半導體制備
2．4．3 非晶態(tài)半導體特性分析
2．4．4 非晶態(tài)半導體的應用
2．5 有機半導體材料
2．5．1 有機半導體材料的基本性質
2．5．2 有機半導體材料的分類
2．5．3 有機半導體材料的應用
第3章半導體材料的制備與工藝
3．1 半導體單晶的制備方法
3．1．1 單晶提純
3．1．2 單晶生長
3．1．3 晶片的制備
3．2 半導體薄膜生長方法
3．2．1 外延生長介紹
3．2．2 真空蒸發(fā)鍍膜法
3．2．3 濺射法鍍膜
3．2．4 離子成膜技術
3．2．5 化學氣相沉積法
第4章納米半導體材料
4．1 納米半導體材料的物理效應和特性
4．1．1 半導體材料的物理效應
4．1．2 納米半導體材料的基本特性
4．2 一維硅、鍺納米半導體
4．2．1 硅納米線
4．2．2 硅納米管
4．2．3 鍺納米線
4．3 一維氧化鋅納米材料
4．3．1 一維氧化鋅納米材料的制備方法
4．3．2 一維氧化鋅納米材料的應用
4．4 碳納米管
4．4．1 碳納米管的結構
4．4．2 碳納米管的性質
4．4．3 碳納米管的制備
4．4．4 碳納米管的純化方法
4．4．5 碳納米管的應用
4．4．6 表征技術
4．5 其他半導體量子材料
4．5．1 半導體量子點材料
4．5．2 半導體量子線材料
第5章半導體材料測試與表征
5．1 半導體材料微區(qū)電阻測試技術
5．1．1 微區(qū)薄層電阻測試方法
5．1．2 微區(qū)電阻測試方法的基本原理
5．1．3 四探針測試方法
5．2 霍爾效應測試方法
5．2．1 霍爾效應的基本原理
5．2．2 霍爾測試樣品
5．2．3 霍爾測試條件
5．3 俄歇電子能譜
5．3．1 俄歇能譜測試系統(tǒng)
5．3．2 俄歇電子能譜表面分析技術
5．3．3 俄歇電子譜在半導體領域中的典型應用
5．4 紅外光譜分析技術
5．4．1 傅里葉變換紅外光譜優(yōu)點
5．4．2 傅里葉變換紅外光譜測試系統(tǒng)
5．4．3 紅外光譜測試樣品制備
5．4．4 測試條件
5．5 掃描探針顯微鏡
5．5．1 掃描隧道顯微鏡
5．5．2 原子力顯微鏡
5．5．3 掃描近場光學顯微鏡
附錄 A Si半導體特性參數(shù)
A．1 基本參數(shù) （300K）
A．2 能帶結構與載流子濃度
A．3 電學性質
A．4 光學性質
A．5 熱力學性能
附錄 B Ge半導體特性參數(shù)
B．1 基本參數(shù) （300K）
B．2 能帶結構與載流子濃度
B．3 電學性質
B．4 光學性質
B．5 熱力學性能
附錄 CC半導體特性參數(shù)
C．1 基本參數(shù) （300K）
C．2 能帶結構與載流子濃度
C．3 電學性質
C．4 熱力學性能
附錄 D GaAs半導體特性參數(shù)
D．1 基本參數(shù)
D．2 能帶結構與載流子濃度
D．3 電學性質
D．4 熱力學性能
附錄 E GaN半導體特性參數(shù)
E．1 纖鋅礦型GaN基本參數(shù)
E．2 力學性能相關參數(shù)
E．3 纖鋅礦型 GaN波傳播特性
E．4 閃鋅礦型 GaN力學性能相關參數(shù)
E．5 閃鋅礦型 GaN波傳播特性
E．6 GaN的熱性能參數(shù)
E．7 纖鋅礦型 GaN電學和光學特性
E．8 閃鋅礦型 GaN電學和光學特性
附錄 F AlN半導體特性參數(shù)
F．1 與纖鋅礦機械性能相關的參數(shù)
F．2 與閃鋅礦機械性能相關的參數(shù)
F．3 閃鋅礦型 AlN波傳播特性
F．4 纖鋅礦型 AlN的熱性能相關參數(shù)
F．5 纖鋅礦型 AlN的光電性能相關參數(shù)
F．6 閃鋅礦型 AlN的光電性能相關參數(shù)
參考文獻