多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管

第1章 緒論
1．1 薄膜晶體管的技術特點
1．2 氧化物材料及多元非晶氧化物TFT的優(yōu)勢
1．2．1 氧化物材料
1．2．2 多元非晶氧化物TFT的優(yōu)勢
1．3 多元非晶氧化物TFT的結構、工作原理及性能表征
1．3．1 多元非晶氧化物TFT的結構
1．3．2 多元非晶氧化物TFT的工作原理
1．3．3 多元非晶氧化物TFT的性能指標
1．4 多元非晶氧化物TFT的研究現(xiàn)狀
1．4．1 多元非晶氧化物溝道層的研究
1．4．2 介質層材料的研究
1．4．3 電極材料的研究
1．4．4 器件結構的研究
1．4．5 多元非晶氧化物TFT在顯示領域的應用現(xiàn)狀
1．5 選題意義及研究內容
參考文獻
第2章 多元非晶氧化物TFT的制備及表征
2．1 多元非晶氧化物TFT的成膜工藝
2．1．1 溶膠凝膠法
2．1．2 真空蒸發(fā)法
2．2 多元非晶氧化物TFT的結構與制備流程
2．3 表征方法
2．3．1 溶膠的熱重分析
2．3．2 薄膜的厚度測試
2．3．3 薄膜的結構分析測試
2．3．4 薄膜光學性能測試
2．3．5 薄膜電學性能測試
2．3．6 薄膜晶體管電學性能測試
參考文獻
第3章 非晶La-Zn-Sn-O溝道層及其薄膜晶體管的研究
3．1 概述
3．2 La-Zn-Sn-O溝道層薄膜及其薄膜晶體管的制備
3．3 溶膠的TGA測試
3．4 La-Zn-Sn-O薄膜結構與性能的研究
3．4．1 La含量對薄膜特性的影響
3．4．2 膜厚對薄膜特性的影響
3．5 非晶La-Zn-Sn-O薄膜晶體管電學性能的研究
3．5．1 溝道層La含量對薄膜晶體管性能的影響
3．5．2 溝道層厚度對薄膜晶體管性能的影響
3．6 本章小結
參考文獻
第4章 非晶A1-In-Zn-O溝道層及其薄膜晶體管的研究
4．1 概述
4．2 A1-In-Zn-O溝道層薄膜及其薄膜晶體管的制備
4．3 溶膠的TGA測試
4．4 A1-In-Zn-O薄膜結構與性能的研究
4．4．1 A1含量對薄膜特性的影響
4．4．2 退火溫度對薄膜特性的影響
4．5 非晶A1-In-Zn-O薄膜晶體管電學性能的研究
4．5．1 溝道層A1含量對薄膜晶體管性能的影響
4．5．2 溝道層退火溫度對薄膜晶體管性能的影響
4．5．3 高／低電阻率雙溝道層薄膜晶體管的制備及性能的研究
4．6 本章小結
參考文獻
第5章 有機聚甲基丙烯酸甲酯介質層的研究
5．1 概述
5．2 介質層薄膜的制備
5．3 溶膠的TGA測試
5．4 介質層薄膜的性能分析
5．4．1 薄膜的表面形貌
5．4．2 薄膜的光學性能
5．4．3 薄膜的介電特性
5．5 介質層厚度對薄膜晶體管性能的影響
5．6 本章小結
參考文獻
第6章 氧空位及A1摻雜IZO電子結構的性原理研究
6．1 概述
6．2 密度泛函理論
6．2．1 Hohenberg-Kohn定理
6．2．2 自洽Kohn-Sham方程
6．2．3 局域密度近似
6．3 模型構建與計算方法
6．4 理想IZO電子結構的理論計算與分析
6．5 氧空位缺陷對IZO電子結構的影響
6．6 A1摻雜對IZO電子結構的影響
6．7 本章小結
參考文獻
第7章 結論與展望
7．1 結論
7．2 展望