第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展態(tài)勢分析

定　價：￥139.00

作　者：	第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展態(tài)勢分析項(xiàng)目組著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	面向國家重點(diǎn)研發(fā)計劃的專題服務(wù)系列叢書
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121384806	出版時間：	2020-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	288	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　按照國家科技圖書文獻(xiàn)中心為國家“十三五”規(guī)劃中的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃開展科技信息支撐和保障服務(wù)的戰(zhàn)略部署，結(jié)合“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)及中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心情報分析與服務(wù)特色和優(yōu)勢，本書遴選了第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域作為研究對象。本書調(diào)研了主要科技發(fā)達(dá)國家制定的第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策；對以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表的關(guān)鍵材料領(lǐng)域開展研發(fā)技術(shù)專利、相關(guān)行業(yè)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用及市場調(diào)研和分析；嵌入機(jī)器學(xué)習(xí)方法，突破傳統(tǒng)情報研究與服務(wù)范式，重點(diǎn)對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）進(jìn)行了熱點(diǎn)研究方向判斷和分析，以期為我國第三代半導(dǎo)體材料及相關(guān)技術(shù)發(fā)展提供參考，為突破摩爾定律極限、集成電路“卡脖子”技術(shù)提供一個發(fā)現(xiàn)問題、解決問題的視角。

作者簡介

　　第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展態(tài)勢分析項(xiàng)目組隸屬于戰(zhàn)略前沿科技團(tuán)隊(duì)，是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心情報研究團(tuán)隊(duì)之一。該團(tuán)隊(duì)長期以來圍繞半導(dǎo)體行業(yè)（集成電路工藝及裝備、先進(jìn)信息材料及技術(shù)、后摩爾時代的交叉融合等）開展行業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、政策以及技術(shù)態(tài)勢與技術(shù)競爭格局分析。在該領(lǐng)域的主要情報研究產(chǎn)品包括《集微技術(shù)信息簡報》（雙月）、《年度半導(dǎo)體器件類公開/公告專利分析》（系列）、《集成電路關(guān)鍵工藝技術(shù)分析》（系列）、《集成電路光刻技術(shù)分析》（系列）等。面向該行業(yè)管理人員、科研人員、科技管理者以及規(guī)劃制定者提供全面、及時、高效的情報研究支撐服務(wù)。

圖書目錄

目?錄

第1章?緒論 / 1
1．1　研究背景 / 1
1．2　研究內(nèi)容和方法 / 2
1．2．1?研究內(nèi)容 / 2
1．2．2?研究方法 / 2
1．3　數(shù)據(jù)來源 / 3
1．4　術(shù)語解釋 / 4
1．5　其他說明 / 6
第2章?第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 7
2．1?美國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 10
2．1．1　寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)計劃 / 13
2．1．2　下一代電力電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心和
電力美國制造業(yè)創(chuàng)新中心 / 14
2．1．3　電子復(fù)興計劃 / 18
2．1．4　CIRCUITS計劃 / 22
2．2　歐洲第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 24
2．2．1　LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目 / 27
2．2．2　微電子聯(lián)合研究和創(chuàng)新項(xiàng)目 / 28
2．3　日本第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 30
2．3．1　下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟 / 31
2．3．2　NEDO啟動功率電子領(lǐng)域新研究 / 32
2．3．3　有助于實(shí)現(xiàn)節(jié)能社會的新一代半導(dǎo)體研究
開發(fā)項(xiàng)目 / 32
2．4　韓國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 33
2．5　中國第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策 / 34
2．5．1　“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”
重大專項(xiàng) / 36
2．5．2　“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”
重大專項(xiàng) / 36
2．5．3　“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng) / 37
第3章?碳化硅半導(dǎo)體材料 / 41
3．1?碳化硅半導(dǎo)體材料研究背景 / 41
3．2?碳化硅半導(dǎo)體材料專利分析 / 42
3．2．1　專利申請時間分析 / 42
3．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 44
3．2．3?專利申請國家/地區(qū)分析 / 46
3．2．4　專利申請人分析 / 51
3．2．5　在華專利分析 / 55
3．3　碳化硅半導(dǎo)體材料專利主題分析 / 61
3．3．1　碳化硅半導(dǎo)體材料專利研究主題分析 / 61
3．3．2　碳化硅半導(dǎo)體材料專利主要研究主題分析 / 69
3．4　碳化硅半導(dǎo)體材料專利被引科學(xué)文獻(xiàn)分析 / 82
3．4．1　被引科學(xué)文獻(xiàn)的文獻(xiàn)類型分析 / 83
3．4．2　被引科學(xué)文獻(xiàn)的時間趨勢分析 / 83
3．4．3　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源機(jī)構(gòu)分析 / 84
3．4．4　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源出版物分析 / 86
3．4．5　被引科學(xué)文獻(xiàn)的高被引科學(xué)論文分析 / 87
3．4．6　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源研究領(lǐng)域分析 / 103
3．4．7　被引科學(xué)文獻(xiàn)的研究主題分析 / 104
3．5　碳化硅半導(dǎo)體材料小結(jié) / 106
第4章?氮化鎵半導(dǎo)體材料 / 41
4．1?氮化鎵半導(dǎo)體材料研究背景 / 109
4．2　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利分析 / 110
4．2．1　專利申請時間分析 / 110
4．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 113
4．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 117
4．2．4　專利申請人分析 / 119
4．2．5　在華專利分析 / 127
4．3　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利主題分析 / 130
4．3．1　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利技術(shù)演進(jìn)分析 / 130
4．3．2　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利研究主題分析 / 135
4．3．3　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利主要研究主題分析 / 149
4．4　氮化鎵半導(dǎo)體材料專利被引科學(xué)文獻(xiàn)分析 / 175
4．4．1　被引科學(xué)文獻(xiàn)的文獻(xiàn)類型分析 / 175
4．4．2　被引科學(xué)文獻(xiàn)的時間趨勢分析 / 176
4．4．3　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源機(jī)構(gòu)分析 / 176
4．4．4　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源出版物分析 / 178
4．4．5　被引科學(xué)文獻(xiàn)的高被引科學(xué)論文分析 / 179
4．4．6　被引科學(xué)文獻(xiàn)的來源研究領(lǐng)域分析 / 191
4．4．7　被引科學(xué)文獻(xiàn)的研究主題分析 / 192
4．5　氮化鎵半導(dǎo)體材料小結(jié) / 193
第5章?氮化鋁半導(dǎo)體材料 / 197
5．1　氮化鋁半導(dǎo)體材料研究背景 / 197
5．2　氮化鋁半導(dǎo)體材料專利分析 / 198
5．2．1　專利申請時間分析 / 198
5．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 199
5．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 206
5．2．4　專利申請人分析 / 208
5．2．5　在華專利分析 / 215
5．3　氮化鋁半導(dǎo)體材料小結(jié) / 222
第6章?氧化鋅半導(dǎo)體材料 / 225
6．1?氧化鋅半導(dǎo)體材料研究背景 / 225
6．2?氧化鋅半導(dǎo)體材料專利分析 / 226
6．2．1　專利申請時間分析 / 226
6．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 227
6．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 231
6．2．4　專利申請人分析 / 233
6．2．5　在華專利分析 / 240
6．3　氧化鋅半導(dǎo)體材料小結(jié) / 243
第7章?金剛石半導(dǎo)體材料 / 245
7．1　金剛石半導(dǎo)體材料研究背景 / 245
7．2　金剛石半導(dǎo)體材料專利分析 / 246
7．2．1　專利申請時間分析 / 246
7．2．2　專利技術(shù)構(gòu)成分析 / 247
7．2．3　專利申請國家/地區(qū)分析 / 252
7．2．4　專利申請人分析 / 252
7．2．5　在華專利分析 / 260
7．3　金剛石半導(dǎo)體材料小結(jié) / 263
第8章?結(jié)論及建議 / 265
8．1　發(fā)展態(tài)勢總結(jié) / 265
8．1．1　專利申請時間趨勢和技術(shù)成熟度 / 265
8．1．2　專利技術(shù)構(gòu)成和重點(diǎn)研究領(lǐng)域 / 265
8．1．3　專利申請國家/地區(qū) / 266
8．1．4　專利主要申請人 / 266
8．1．5　在華專利 / 267
8．1．6　被引科學(xué)文獻(xiàn) / 267
8．2　存在問題 / 267
8．2．1　研究機(jī)構(gòu)數(shù)量多但規(guī)模不大 / 268
8．2．2　研究機(jī)構(gòu)缺乏合作 / 268
8．2．3　原始創(chuàng)新現(xiàn)狀慘淡 / 268
8．3　對策建議 / 269
8．3．1　集中優(yōu)勢資源扶持龍頭企業(yè)和研究機(jī)構(gòu) / 269
8．3．2　借力市場，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級 / 269
8．3．3　注重全產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)環(huán)境的建設(shè) / 270
8．3．4　明確產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，強(qiáng)化頂層設(shè)計 / 270
參考文獻(xiàn) / 273