半導(dǎo)體微納制造技術(shù)及器件

目錄
“先進(jìn)光電子科學(xué)與技術(shù)叢書”序
前言
第1章 圖形化技術(shù)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用 1
1.1 圖形化藍(lán)寶石襯底簡介 1
1.2 傳統(tǒng)圖形化藍(lán)寶石襯底制備技術(shù) 3
1.3 脈沖激光加工微米圖形化藍(lán)寶石襯底 8
1.3.1 激光加工圖形化藍(lán)寶石襯底的制備及表征 9
1.3.2 激光加工圖形化藍(lán)寶石襯底對GaN 材料質(zhì)量的提升 10
1.3.3 激光加工圖形化藍(lán)寶石襯底對LED 器件效率的提升 15
1.4 納米壓印技術(shù)實現(xiàn)圖形化藍(lán)寶石襯底 18
1.4.1 納米壓印技術(shù) 18
1.4.2 納米壓印制備圖形化藍(lán)寶石襯底 25
參考文獻(xiàn) 27
第2章 GaN外延生長技術(shù) 31
2.1 外延生長技術(shù)簡介 31
2.1.1 MBE技術(shù) 31
2.1.2 HVPE技術(shù) 32
2.1.3 MOCVD技術(shù) 34
2.2 GaN材料MOCVD外延生長 36
2.2.1 GaN材料介紹 36
2.2.2 平面藍(lán)寶石襯底GaN外延生長 37
2.2.3 橫向外延生長技術(shù) 40
2.2.4 圖形化藍(lán)寶石襯底GaN外延生長 43
2.2.5 半極性與非極性GaN外延生長 47
參考文獻(xiàn) 50
第3章 刻蝕技術(shù) 55
3.1 濕法(化學(xué)/電化學(xué))刻蝕 57
3.1.1 化學(xué)刻蝕 57
3.1.2 電化學(xué)刻蝕 69
3.2 干法刻蝕 79
3.3 激光刻蝕 89
參考文獻(xiàn) 95
第4章 表面等離激元局域增強效應(yīng) 99
4.1 表面等離激元及其基本原理 99
4.1.1 表面等離激元 99
4.1.2 表面等離激元的激發(fā)方式 102
4.2 表面等離激元局域增強新型半導(dǎo)體光電器件 103
4.2.1 表面等離激元耦合半導(dǎo)體LED 103
4.2.2 半導(dǎo)體納米等離子體激光器 122
4.2.3 表面等離激元耦合半導(dǎo)體太陽能電池 130
參考文獻(xiàn) 137
第5章 LED器件電注入機理剖析 142
5.1 LED電注入基本理論 142
5.1.1 載流子的輻射復(fù)合 143
5.1.2 載流子的非輻射復(fù)合 144
5.2 提高空穴注入效率 145
5.2.1 調(diào)控量子壘層 145
5.2.2 調(diào)控EBL 153
5.2.3 插入空穴注入層 159
5.2.4 生長大尺寸V形缺陷結(jié)構(gòu) 162
參考文獻(xiàn) 169
第6章 柔性電子器件 172
6.1 柔性電子器件基本介紹 172
6.1.1 柔性電子器件的主要結(jié)構(gòu) 172
6.1.2 柔性電子器件的制作方法 175
6.2 柔性顯示器件 176
6.2.1 電子紙 177
6.2.2 柔性O(shè)LED 181
6.2.3 柔性液晶 189
6.3 無機柔性LED 190
6.3.1 Micro-LED在顯示方面的應(yīng)用 191
6.3.2 基于Micro-LED的柔性LED器件 198
6.3.3 其他微納米結(jié)構(gòu)的柔性ILED器件 206
參考文獻(xiàn) 211
第7章 異型紫外LD器件 219
7.1 傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器 220
7.1.1 半導(dǎo)體激光器的基本工作原理 220
7.1.2 傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器的發(fā)展 223
7.2 異型半導(dǎo)體激光器 227
7.2.1 微腔激光器 227
7.2.2 GaN基微盤激光器 236
7.2.3 紫外微盤激光器 244
參考文獻(xiàn) 248
第8章 太陽能電池新技術(shù) 252
8.1 納米線結(jié)構(gòu)在太陽能電池中的應(yīng)用 252
8.1.1 納米線結(jié)構(gòu)陷光理論與模擬計算 253
8.1.2 硅納米線的制備方法 257
8.1.3 硅納米線的太陽能電池器件 261
8.1.4 有機-無機雜化硅納米線太陽能電池 262
8.1.5 硅納米線太陽能電池存在的問題 263
8.2 表面等離激元技術(shù)在太陽能電池中的應(yīng)用 264
8.3 量子點太陽能電池 266
8.4 鈣鈦礦太陽能電池 268
參考文獻(xiàn) 272
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