短波紅外InGaAs探測器輻照特性研究

第一章 引言
第一節(jié) 紅外探測器的發(fā)展及其航天遙感應(yīng)用
一、紅外探測器的發(fā)展
二、紅外探測器的航天遙感應(yīng)用
第二節(jié) 航天遙感用半導體器件的輻照效應(yīng)
一、空間輻照環(huán)境
二、半導體器件的輻照效應(yīng)
第三節(jié) 航天應(yīng)用短波紅外InGaAs探測器的發(fā)展
第四節(jié) 研究目的和主要內(nèi)容
第二章 理論基礎(chǔ)
第一節(jié) 光電器件的輻照效應(yīng)理論
一、輻照對半導體的基本損傷機制
二、輻照效應(yīng)對光電器件特性的影響
第二節(jié) 光電探測器的低頻噪聲理論
第三節(jié) μ-PCD提取材料少子壽命理論基礎(chǔ)
第四節(jié) 小結(jié)
第三章 短波紅外InGaAs探測器器件物理研究
第一節(jié) 概述
一、μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子壽命
二、延伸波長InGaAs器件的低頻噪聲研究
第二節(jié) μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子壽命
一、實驗
二、結(jié)果與討論
第三節(jié) 延伸波長In0.83Ga0.17As探測器的低頻噪聲研究
一、實驗
二、兩種不同鈍化方式探測器的1／f噪聲特性比較
三、利用器件g-r噪聲特性提取缺陷能級
第四節(jié) 小結(jié)
第四章 短波紅外InGaAs探測器的γ輻照效應(yīng)
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 實驗
一、器件制備
二、輻照和測試
第三節(jié) 晶格匹配InGaAs探測器的γ輻照效應(yīng)
一、非原位測試
二、原位測試
第四節(jié) 延伸波長InGaAs探測器的γ輻照效應(yīng)
第五節(jié) 小結(jié)
第五章 延伸波長InGaAs探測器的質(zhì)子輻照效應(yīng)
第一節(jié) 概述
第二節(jié) 實驗
第三節(jié) 結(jié)果與討論
一、輻照對器件暗電流的影響
二、輻照對器件低頻噪聲的影響
三、輻照對材料PL譜的影響
四、輻照對器件探測率和量子效率的影響
第四節(jié) 小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
第一節(jié) 總結(jié)
一、利用μ-PCD測試提取In0.53Ga0.47As材料的少子壽命
二、延伸波長In0.83Ga0.12As探測器的低頻噪聲特性
三、短波紅外InGaAs探測器的γ輻照效應(yīng)
四、In0.83Ga0.17As材料和器件的質(zhì)子輻照效應(yīng)
第二節(jié) 展望
一、利用μ-PCD提取In0.53Ga0.47As材料少子壽命的研究有待完善
二、利用器件g-r噪聲提取缺陷能級的準確性問題
三、對輻照損傷微觀機理的研究有待深入
四、抗輻照加固工作有待開展
參考文獻