本書從CMOS芯片結構技術出發(fā),系統(tǒng)地介紹了微米、亞微米、深亞微米及納米CMOS制造技術,內容包括單阱CMOS、雙阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技術。除第1章外,全書各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技術及主要參數(shù)所組成的綜合表,從芯片結構出發(fā),利用計算機和相應的軟件,描繪出芯片制造的各工序剖面結構,從而得到制程剖面結構。書中給出了100余種典型CMOS芯片結構,介紹了各種典型制造技術,并描繪出50余種制程剖面結構。深入地了解芯片制程剖面結構,對于電路設計、芯片制造、成品率提升、產品質量提高及電路失效分析等都是十分重要的。本書技術含量高,非常實用,可作為芯片設計、制造、測試及可靠性等方面工程技術人員的重要參考資料,也可作為微電子專業(yè)高年級本科生的教學用書,還可供信息領域其他專業(yè)的學生和相關科研人員、工程技術人員參考。