極紫外光刻

定　價(jià)：￥128.00

作　者：	[美]哈利-杰-萊文森（Harry J.Levinson)
出版社：	上海科學(xué)技術(shù)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787547857212	出版時(shí)間：	2022-09-01	包裝：	平裝-膠訂
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術(shù)的最新專(zhuān)著。本書(shū)全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術(shù)的各個(gè)方面及其發(fā)展歷程，內(nèi)容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計(jì)算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他方面，如極紫外光刻工藝特點(diǎn)和工藝控制、極紫外光刻量測(cè)的特殊要求，以及對(duì)技術(shù)發(fā)展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內(nèi)容。最后本書(shū)還討論了滿足未來(lái)的芯片工藝節(jié)點(diǎn)要求的極紫外光刻技術(shù)發(fā)展方向。

作者簡(jiǎn)介

　　哈利•杰•萊文森（Harry J.Levinson），國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)（SPIE）會(huì)士，HJL Lithography 的獨(dú)立光刻顧問(wèn)和首席光刻師，專(zhuān)注于光刻領(lǐng)域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔(dān)任過(guò)職位。曾將光刻應(yīng)用于許多不同的技術(shù)，包括雙極存儲(chǔ)器、64MB和256MB DRAM開(kāi)發(fā)、專(zhuān)用集成電路芯片制造、磁記錄薄膜磁頭、閃存和先進(jìn)邏輯芯片等。曾數(shù)年擔(dān)任美國(guó)光刻技術(shù)工作組主席，參與制定了《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》中有關(guān)光刻技術(shù)的章節(jié)。他是硅谷首批SVG-5倍步進(jìn)式光刻機(jī)的用戶之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫(xiě)的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)，資深的光刻技術(shù)專(zhuān)家。獲浙江大學(xué)光學(xué)工程學(xué)士學(xué)位和比利時(shí)魯汶大學(xué)物理學(xué)碩士、博士學(xué)位，先后就職于比利時(shí)微電子研發(fā)中心（IMEC）和美國(guó)新思科技（Synopsys）。專(zhuān)注光刻技術(shù)研發(fā)，浸潤(rùn)先進(jìn)光刻技術(shù)研發(fā)20年，參與了從0.13μm到5nm節(jié)點(diǎn)的多世代芯片光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)，擁有15年極紫外光刻技術(shù)研發(fā)的豐富經(jīng)驗(yàn)。還在各種國(guó)際期刊和會(huì)議上發(fā)表了100多篇論文，擔(dān)任多個(gè)國(guó)際會(huì)議組委并多次作邀請(qǐng)演講。

圖書(shū)目錄

第1章緒論
1.1 光刻技術(shù)的歷史背景/1
1.2 光刻技術(shù)的組成部分 /3
1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4
1.4 一般性問(wèn)題 /11
習(xí)題/12
參考文獻(xiàn)/12
第2章 EUV光源
2.1 激光等離子體光源/15
2.2 放電等離子體光源/28
2.3 自由電子激光器/32
習(xí)題/36
參考文獻(xiàn)/36
第3章 EUV光刻曝光系統(tǒng)
3.1 真空中的EUV光刻/40
3.2 照明系統(tǒng) /45
3.3 投影系統(tǒng)/47
3.4 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)/52
3.5 工件臺(tái)系統(tǒng)/53
3.6 聚焦系統(tǒng) /54
習(xí)題/55
參考文獻(xiàn)/56
第4章 EUV掩模
4.1 EUV掩模結(jié)構(gòu)/60
4.2 多層膜和掩?；迦毕?66
4.3 掩模平整度和粗糙度/71
4.4 EUV掩模制作/74
4.5 EUV掩模保護(hù)膜/75
4.6 EUV掩模放置盒/83
4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85
習(xí)題/88
參考文獻(xiàn)/88
第5章 EUV光刻膠
5.1 EUV化學(xué)放大光刻膠的曝光機(jī)制/95
5.2 EUV光刻中的隨機(jī)效應(yīng)/98
5.3 化學(xué)放大光刻膠的新概念/108
5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110
5.5 斷裂式光刻膠/111
5.6 真空沉積光刻膠/111
5.7 光刻膠襯底材料/113
習(xí)題/114
參考文獻(xiàn)/115
第6章 EUV計(jì)算光刻
6.1 傳統(tǒng)光學(xué)鄰近校正的考量因素/121
6.2 EUV掩模的三維效應(yīng)/125
6.3 光刻膠的物理機(jī)理/133
6.4 EUV光刻的成像優(yōu)化/135
習(xí)題/138
參考文獻(xiàn)/139
第7章 EUV光刻工藝控制
7.1 套刻/144
7.2 關(guān)鍵尺寸控制/149
7.3 良率 / 151
習(xí)題/155
參考文獻(xiàn)/156
第8章 EUV光刻的量測(cè)
8.1 掩模基板缺陷檢測(cè)/160
8.2 EUV掩模測(cè)評(píng)工具/163
8.3 量產(chǎn)掩模驗(yàn)收工具/165
8.4 材料測(cè)試工具/168
習(xí)題/169
參考文獻(xiàn)/170
第9章 EUV光刻成本
9.1 晶圓成本 /173
9.2 掩模成本/181
習(xí)題/182
參考文獻(xiàn)/182
第10章未來(lái)的EUV光刻
10.1 k【能走多低/184
10.2 更高的數(shù)值孔徑/186
10.3 更短的波長(zhǎng)/193
10.4 EUV多重成形技術(shù)/194
10.5 EUV光刻的未來(lái)/195
習(xí)題/195
參考文獻(xiàn)/196
索引