光學(xué)光刻和極紫外光刻

定　價：￥195.00

作　者：	[美] 安迪·愛德曼著，高偉民，徐東波，諸波爾譯
出版社：	上?？茖W(xué)技術(shù)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787547857205	出版時間：	2022-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	344	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《光學(xué)光刻和極紫外光刻》是一本Z新的光刻技術(shù)專著，內(nèi)容涉及該領(lǐng)域的各個重要方面。在介紹光刻技術(shù)應(yīng)用上，涵蓋了全面又豐富的內(nèi)容；在論述光刻技術(shù)的物理機制和數(shù)學(xué)模型時，采用了完整而不繁瑣的方法，增加了可讀性。本書在系統(tǒng)地闡述了光學(xué)光刻技術(shù)的基本內(nèi)容后，還專門開辟章節(jié)，介紹了最先進的極紫外光刻技術(shù)的特點和難點，揭示了極紫外光刻的技術(shù)奧秘。本書具有全面、完整、翔實和新穎的特點，它凝聚了作者三十多年光刻領(lǐng)域科研和教學(xué)的精華。

作者簡介

　　安迪·愛德曼（Andreas Erdmann），國際光學(xué)工程學(xué)會（SPIE）會士，德國弗勞恩霍夫協(xié)會（Fraunhofer）下屬集成系統(tǒng)和元器件技術(shù)研究所（IISB）計算光刻和光學(xué)部門的負責(zé)人。他還是埃朗根大學(xué)（University of Erlangen）的客座教授、國際Fraunhofer光刻仿真研討會的組織者，主持過國際光學(xué)工程學(xué)會（SPIE）的光學(xué)光刻和光學(xué)設(shè)計大會。擁有25年以上的光學(xué)光刻和極紫外光刻的研究經(jīng)驗，為多個先進光刻仿真軟件的發(fā)展做出了關(guān)鍵貢獻，其中包括光刻仿真軟件Dr.LiTHO的研發(fā)。高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)，資深的光刻技術(shù)專家。獲浙江大學(xué)光學(xué)工程學(xué)士學(xué)位和比利時魯汶大學(xué)物理學(xué)碩士、博士學(xué)位。曾任職于比利時微電子研發(fā)中心（IMEC）和美國新思科技（Synopsys）。他專注先進光刻技術(shù)研發(fā)20多年，參與了從0.13μm到5nm節(jié)點的多世代先進光刻技術(shù)開發(fā)，擁有16年極紫外光刻技術(shù)研發(fā)的豐富經(jīng)驗。技術(shù)專長涵蓋了廣泛的光刻領(lǐng)域，包括光刻工藝開發(fā)、成像技術(shù)、分辨率增強技術(shù)、計算光刻、先進掩模和設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化技術(shù)（DTCO）等。徐東波，比利時微電子研發(fā)中心（IMEC）研究員。獲中國科學(xué)院大學(xué)碩士學(xué)位和弗里德里希-亞歷山大-埃朗根-紐倫堡大學(xué)博士學(xué)位，博士攻讀于德國埃朗根弗勞恩霍夫（Fraunhofer IISB）計算光刻和光學(xué)小組。研究方向包括光學(xué)光刻和極紫外光刻仿真、光源掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）、光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正（OPC）建模及圖像處理。諸波爾，阿斯麥公司（ASML）中國區(qū)計算光刻高級工程師、項目主管。獲浙江大學(xué)工學(xué)學(xué)士學(xué)位和中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所博士學(xué)位（研究方向：高端光刻機技術(shù)）。擁有0.18μm～7nm全節(jié)點計算光刻研發(fā)經(jīng)驗，掌握光源掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）和光學(xué)鄰近效應(yīng)校正（OPC）建模在各制程節(jié)點中的應(yīng)用與優(yōu)化技術(shù)。此外，研究方向還包括EUV計算光刻、設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化技術(shù)（DTCO）和嚴格電磁場仿真等。

圖書目錄

第1章光刻工藝概述

1.1微型化：　從微電子到納米技術(shù)_1

1.2光刻技術(shù)的發(fā)展史_3

1.3投影光刻機的空間成像_5

1.4光刻膠工藝_10

1.5光刻工藝特性_12

1.6小結(jié)_18

參考文獻_18

第2章投影光刻的成像原理

2.1投影光刻機_20

2.2成像理論_21

2.2.1傅里葉光學(xué)描述_21

2.2.2傾斜照明與部分相干成像_26

2.2.3其他成像仿真方法_30

2.3阿貝瑞利準則及其影響_30

2.3.1分辨率極限和焦深_31

2.3.2影響_36

2.4小結(jié)_39

參考文獻_39

第3章光刻膠

3.1光刻膠概述、常規(guī)反應(yīng)原理和現(xiàn)象學(xué)描述_42

3.1.1光刻膠的分類_42

3.1.2基于重氮萘醌的光刻膠_45

3.1.3先進的正型化學(xué)放大光刻膠_46

3.1.4現(xiàn)象學(xué)模型_48

3.2光刻膠工藝步驟和建模方法_50

3.2.1技術(shù)方面_50

3.2.2曝光_51

3.2.3曝光后烘焙_54

3.2.4化學(xué)顯影_58

3.3建模方法和緊湊光刻膠模型概述_61

3.4負型與正型光刻膠材料和工藝_65

3.5小結(jié)_68

參考文獻_69

第4章光學(xué)分辨率增強技術(shù)

4.1離軸照明_74

4.1.1線空圖形的最佳離軸照明形態(tài)_76

4.1.2接觸孔陣列的離軸照明_78

4.1.3從傳統(tǒng)/參數(shù)化的照明形態(tài)到自由照明形態(tài)_80

4.2光學(xué)鄰近效應(yīng)校正_81

4.2.1孤立密集線寬偏差補償_82

4.2.2線端縮短補償_84

4.2.3從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)_85

4.2.4OPC模型和工藝流程_88

4.3相移掩模_89

4.3.1強相移掩模：　交替型相移掩模_90

4.3.2衰減型或弱相移掩模_97

4.4光瞳濾波_100

4.5光源掩模協(xié)同優(yōu)化_102

4.6多重曝光技術(shù)_106

4.7小結(jié)_109

參考文獻_110

第5章材料驅(qū)動的分辨率增強

5.1分辨率極限的回顧_115

5.2非線性雙重曝光_119

5.2.1雙光子吸收材料_119

5.2.2光閾值材料_120

5.2.3可逆對比增強材料_121

5.3雙重和多重成形技術(shù)_124

5.3.1光刻刻蝕光刻刻蝕_124

5.3.2光刻固化光刻刻蝕_125

5.3.3自對準雙重成形_126

5.3.4雙色調(diào)顯影_127

5.3.5雙重和多重成形技術(shù)的選項_128

5.4定向自組裝_129

5.5薄膜成像技術(shù)_133

5.6小結(jié)_135

參考文獻_135

第6章極紫外光刻

6.1EUV光源_141

6.2EUV和多層膜中的光學(xué)材料特性_143

6.3EUV掩模_146

6.4EUV曝光設(shè)備和圖像形成_151

6.5EUV光刻膠_156

6.6EUV掩模缺陷_157

6.7EUV光刻的光學(xué)分辨率極限_161

6.7.16.xnm波長的超極紫外光刻_162

6.7.2高數(shù)值孔徑EUV光刻_162

6.7.3低k1技術(shù)：　EUV光刻的光學(xué)分辨率增強技術(shù)_166

6.8小結(jié)_167

參考文獻_168

第7章投影成像以外的光刻技術(shù)

7.1非投影式光學(xué)光刻：　接觸式和接近式光刻_176

7.1.1圖像形成和分辨率限制_176

7.1.2技術(shù)實現(xiàn)_179

7.1.3先進的掩模對準光刻_182

7.2無掩模光刻_186

7.2.1干涉光刻_186

7.2.2激光直寫光刻_189

7.3無衍射限制的光刻_194

7.3.1近場光刻_195

7.3.2利用光學(xué)非線性_198

7.4三維光刻_203

7.4.1灰度光刻_203

7.4.2三維干涉光刻_205

7.4.3立體光刻和三維微刻印_206

7.5淺談無光刻印_209

7.6小結(jié)_210

參考文獻_211

第8章光刻投影系統(tǒng)：　高級技術(shù)內(nèi)容

8.1實際投影系統(tǒng)中的波像差_220

8.1.1波像差的澤尼克多項式表示_221

8.1.2波前傾斜_226

8.1.3離焦像差_226

8.1.4像散_228

8.1.5彗差_229

8.1.6球差_231

8.1.7三葉像差_233

8.1.8澤尼克像差小結(jié)_233

8.2雜散光_234

8.2.1恒定雜散光模型_235

8.2.2功率譜密度（PSD）雜散光模型_236

8.3高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)_239

8.3.1掩模偏振效應(yīng)_240

8.3.2成像過程中的偏振效應(yīng)_241

8.3.3光刻膠和晶圓堆棧界面的偏振效應(yīng)_243

8.3.4投影物鏡中的偏振效應(yīng)和矢量成像模型_246

8.3.5偏振照明_248

8.4投影光刻機中的其他成像效應(yīng)_250

8.5小結(jié)_250

參考文獻_251

第9章光刻中的掩模和晶圓形貌效應(yīng)

9.1嚴格電磁場仿真的方法_256

9.1.1時域有限差分法_257

9.1.2波導(dǎo)法_260

9.2掩模形貌效應(yīng)_262

9.2.1掩模衍射分析_263

9.2.2斜入射效應(yīng)_266

9.2.3掩模引起的成像效應(yīng)_268

9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效應(yīng)及緩解策略_272

9.2.5各種三維掩模模型_277

9.3晶圓形貌效應(yīng)_279

9.3.1底部抗反射涂層的沉積策略_279

9.3.2靠近柵極的光刻膠底部殘余_281

9.3.3雙重成形技術(shù)中的線寬變化_282

9.4小結(jié)_283

參考文獻_283

第10章先進光刻中的隨機效應(yīng)

10.1隨機變量和過程_288

10.2現(xiàn)象_291

10.3建模方法_294

10.4依存性及其影響_297

10.5小結(jié)_299

參考文獻_299

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