產(chǎn)業(yè)專利分析報告：高端光刻機（第84冊）

第1章 概況
1.1研究背景
1.1.1技術發(fā)展概況
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
1.2研究對象和方法
1.2.1研究對象
1.2.2研究方法
1.2.3相關事項和約定
第2章 專利壁壘指數(shù)模型研究
2.1研究意義
2.2研究對象
2.3研究優(yōu)勢
2.4專利壁壘指數(shù)模型
2.4.1建立流程
2.4.2相關因素
第3章 高端光刻機全球競爭情報分析
3.1高端光刻機專利總體競爭態(tài)勢
3.1.1總體申請趨勢
3.1.2原創(chuàng)目標國家地區(qū)專利申請分布
3.1.3重要申請人分析
3.2全球科技文獻技術情報分析
3.3各領域申請趨勢及布局趨勢分析
3.3.1曝光系統(tǒng)
3.3.2工件臺及測量系統(tǒng)
3.3.3環(huán)境與真空
3.4ASML專利分析
3.4.1ASML成長經(jīng)歷
3.4.2ASML專利申請與布局
3.4.3ASML科技文獻信息分析
3.5中國申請人專利分析
3.5.1專利申請趨勢分析
3.5.2申請人構(gòu)成分析
3.5.3申請人的各技術分支申請分布
3.5.4重要申請人分析
3.6本章小結(jié)
第4章 EUV光源專利分析
4.1EUV光源技術介紹
4.2專利競爭態(tài)勢分析
4.2.1申請態(tài)勢
4.2.2專利區(qū)域分布
4.2.3重要申請人分析
4.3技術路線分析
4.3.1提高轉(zhuǎn)換效率
4.3.2減少污染
4.3.3提高穩(wěn)定性
4.4重要專利技術介紹
4.5全球科技文獻情報分析
4.5.1EUV光源提高轉(zhuǎn)換效率
4.5.2防止EUV光源污染
4.5.3提高穩(wěn)定性
4.5.4全球科技文獻情報分析小結(jié)
4.6技術發(fā)展趨勢預測
4.7專利壁壘研究
4.8技術未來發(fā)展預測與中國技術發(fā)展路線
4.8.1借鑒G公司準分子激光器技術可行性分析
4.8.2人才戰(zhàn)略資源導航
4.8.3專利可利用性淺析
4.9本章小結(jié)
第5章 投影物鏡專利分析
5.1投影物鏡技術介紹
5.2專利競爭態(tài)勢分析
5.2.1申請態(tài)勢
5.2.2專利區(qū)域分布
5.2.3主要申請人分析
5.3技術路線分析
5.3.1膜層設計
5.3.2多鏡投影物鏡系統(tǒng)整體設計
5.4重要專利技術介紹
5.5全球科技文獻情報分析
5.6技術發(fā)展趨勢預測
5.7投影物鏡專利壁壘研究
5.8反射鏡鍍膜專利技術的充分利用
5.9本章小結(jié)
第6章 主要結(jié)論和建議
6.1主要結(jié)論
6.2主要建議
附錄
附錄1申請人名稱約定表
附錄2EUV光刻機重要專利列表
附錄3可被借鑒的部分專利列表
圖索引
表索引