等離子體刻蝕工藝及設(shè)備

第1章 集成電路簡(jiǎn)介 1
1.1 集成電路簡(jiǎn)史 1
1.1.1 什么是集成電路 1
1.1.2 集成電路發(fā)展簡(jiǎn)史 1
1.1.3 集成電路產(chǎn)業(yè)的分工和發(fā)展 5
1.1.4 集成電路產(chǎn)業(yè)垂直分工歷程 6
1.2 集成電路分類 6
1.2.1 存儲(chǔ)器IC 7
1.2.2 微元件IC 8
1.2.3 模擬IC 8
1.2.4 邏輯IC 9
1.3 集成電路未來(lái)的挑戰(zhàn) 9
參考文獻(xiàn) 10
第2章 等離子體基本原理 11
2.1 等離子體的基本概念 11
2.1.1 等離子體的定義 11
2.1.2 等離子體的參數(shù)空間 12
2.1.3 等離子體的描述方法 13
2.1.4 等離子體的關(guān)鍵特征和參量 14
2.1.5 等離子體判據(jù) 17
2.1.6 等離子體鞘層 18
2.2 集成電路常用的等離子體產(chǎn)生方式 20
2.2.1 容性耦合等離子體 20
2.2.2 感性耦合等離子體 24
2.2.3 電子回旋共振等離子體 30
參考文獻(xiàn) 31
第3章 集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝 33
3.1 等離子體刻蝕的發(fā)展 33
3.1.1 傳統(tǒng)等離子體刻蝕 35
3.1.2 脈沖等離子體刻蝕 36
3.1.3 原子層刻蝕 37
3.2 前道工藝 38
3.2.1 淺溝槽隔離（STI）刻蝕 39
3.2.2 多晶硅柵極（Gate）刻蝕 42
3.2.3 側(cè)墻（Spacer）刻蝕 44
3.3 中道工藝及后道工藝 45
3.3.1 接觸孔和通孔及介質(zhì)溝槽刻蝕 46
3.3.2 鎢栓和鎢柵極刻蝕 53
3.3.3 鋁線刻蝕和鋁墊刻蝕 55
3.3.4 氮化鈦刻蝕 60
3.3.5 干法去膠及鈍化 62
參考文獻(xiàn) 63
第4章 集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝 65
4.1 先進(jìn)封裝中的等離子體表面處理 65
4.1.1 去除殘膠 66
4.1.2 去除殘留金屬 66
4.1.3 改善潤(rùn)濕性 67
4.1.4 提高表面結(jié)合力 67
4.2 先進(jìn)封裝中的等離子體硅刻蝕 68
4.2.1 硅整面減薄工藝 68
4.2.2 硅通孔刻蝕工藝 69
4.2.3 等離子體切割工藝 72
4.2.4 扇出型封裝中的硅刻蝕工藝 73
4.3 先進(jìn)封裝中的聚合物刻蝕 74
4.4 先進(jìn)封裝中翹曲片的等離子體處理方法 75
參考文獻(xiàn) 76
第5章 等離子體刻蝕機(jī) 78
5.1 等離子體刻蝕機(jī)軟硬件結(jié)構(gòu) 78
5.1.1 傳輸系統(tǒng) 78
5.1.2 真空控制系統(tǒng) 81
5.1.3 射頻系統(tǒng) 83
5.1.4 溫度控制系統(tǒng) 84
5.1.5 附屬設(shè)備 85
5.1.6 整機(jī)控制系統(tǒng) 85
5.2 關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì) 86
5.2.1 反應(yīng)腔 86
5.2.2 靜電卡盤(pán) 88
5.2.3 勻流板 90
5.3 等離子體刻蝕機(jī)工藝參數(shù)簡(jiǎn)介 90
5.4 等離子體刻蝕機(jī)工藝結(jié)果評(píng)價(jià)指標(biāo) 91
5.4.1 刻蝕形貌 91
5.4.2 刻蝕速率 96
5.4.3 刻蝕均勻性 96
5.4.4 選擇比 99
5.4.5 其他工藝結(jié)果評(píng)價(jià)指標(biāo) 99
參考文獻(xiàn) 100
第6章 等離子體測(cè)試和表征 102
6.1 等離子體密度和能量診斷技術(shù) 102
6.1.1 靜電探針等離子體診斷 102
6.1.2 離子能量分析儀等離子體診斷 108
6.2 光學(xué)發(fā)射光譜終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù) 112
6.2.1 終點(diǎn)檢測(cè)原理 112
6.2.2 終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)介紹 112
6.2.3 光學(xué)發(fā)射光譜檢測(cè)技術(shù)在等離子體刻蝕中的應(yīng)用 113
6.3 激光干涉終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù) 117
6.3.1 激光干涉原理 117
6.3.2 IEP算法介紹 119
參考文獻(xiàn) 121
第7章 等離子體仿真 123
7.1 刻蝕機(jī)涉及的物理場(chǎng) 123
7.1.1 等離子體場(chǎng) 123
7.1.2 電磁場(chǎng) 131
7.1.3 流場(chǎng) 132
7.1.4 溫度場(chǎng) 133
7.1.5 化學(xué)反應(yīng) 136
7.1.6 各物理場(chǎng)之間的耦合 137
7.2 多物理場(chǎng)仿真技術(shù) 139
7.2.1 多物理場(chǎng)仿真技術(shù)簡(jiǎn)介 139
7.2.2 仿真分析基本流程 141
7.2.3 相關(guān)仿真案例 146
參考文獻(xiàn) 154
第8章 顆?？刂坪土慨a(chǎn) 155
8.1 缺陷和顆粒介紹 155
8.2 缺陷和顆粒問(wèn)題帶來(lái)的影響 156
8.3 缺陷和顆粒污染控制手段 157
8.3.1 刻蝕機(jī)傳輸模塊的顆粒缺陷和顆?？刂?157
8.3.2 刻蝕機(jī)工藝模塊的顆粒缺陷和顆粒控制 161
8.4 提高刻蝕量產(chǎn)穩(wěn)定性的方法 162
參考文獻(xiàn) 164