半導體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝

定　價：￥119.00

作　者：	[美] 索斯藤·萊爾
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111734260	出版時間：	2023-10-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　集成電路制造向幾納米節(jié)點工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應(yīng)運而生?！栋雽w干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應(yīng)離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進展?！栋雽w干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》以特定的刻蝕應(yīng)用作為所討論機制的示例，例如柵極刻蝕、接觸孔刻蝕或3D NAND通道孔刻蝕，有助于對所有干法刻蝕技術(shù)的原子層次理解。《半導體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》概念清晰，資料豐富，內(nèi)容新穎，可作為微電子學與固體電子學、電子科學與技術(shù)、集成電路科學與工程等專業(yè)的研究生和高年級本科生的教學參考書，也可供相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員參考。

作者簡介

　　Thorsten Lill博士，美國泛林集團（Lam Research）新興刻蝕技術(shù)和系統(tǒng)事業(yè)部副總裁。他在德國弗萊堡大學獲得物理學博士學位，并在美國阿貢國家實驗室進行博士后研究。他在該領(lǐng)域發(fā)表了88篇文章，擁有89項專利。

圖書目錄

譯者序
縮寫詞表
第1章引言1
參考文獻3
第2章理論基礎(chǔ)5
2.1刻蝕工藝的重要性能指標5
2.1.1刻蝕速率（ER）6
2.1.2刻蝕速率不均勻性（ERNU）6
2.1.3選擇性6
2.1.4輪廓6
2.1.5關(guān)鍵尺寸（CD）7
2.1.6線寬粗糙度和線邊緣粗糙度（LWR和LER）7
2.1.7邊緣放置誤差（EPE）7
2.1.8深寬比相關(guān)刻蝕（ARDE）7
2.2物理吸附和化學吸附8
2.3解吸9
2.4表面反應(yīng)11
2.5濺射12
2.6注入16
2.7擴散17
2.8三維形貌中的輸運現(xiàn)象21
2.8.1中性粒子輸運21
2.8.2離子輸運24
2.8.3反應(yīng)產(chǎn)物輸運26
2.9刻蝕技術(shù)的分類26
參考文獻30
第3章熱刻蝕34
3.1熱刻蝕的機理和性能指標34
3.1.1刻蝕速率和ERNU34
3.1.2選擇性35
3.1.3輪廓和CD控制35
3.1.4ARDE35
3.2應(yīng)用示例35
參考文獻39
第4章熱各向同性ALE41
4.1熱各向同性ALE機制41
4.1.1螯合/縮合ALE43
4.1.2配體交換ALE44
4.1.3轉(zhuǎn)化ALE46
4.1.4氧化/氟化ALE48
4.2性能指標50
4.2.1刻蝕速率（EPC）50
4.2.2ERNU（EPC非均勻性）54
4.2.3選擇性55
4.2.4輪廓和ARDE56
4.2.5CD控制59
4.2.6表面光滑度59
4.3等離子體輔助熱各向同性ALE60
4.4應(yīng)用示例60
4.4.1區(qū)域選擇性沉積61
4.4.2橫向器件的形成62
參考文獻64
第5章自由基刻蝕69
5.1自由基刻蝕機理69
5.2性能指標70
5.2.1刻蝕速率和ERNU70
5.2.2選擇性71
5.2.3輪廓和ARDE71
5.2.4CD控制71
5.3應(yīng)用示例71
參考文獻73
第6章定向ALE74
6.1定向ALE機制74
6.1.1具有定向改性步驟的ALE75
6.1.2具有定向去除步驟及化學吸附和擴散改性的ALE75
6.1.3具有定向去除步驟和通過反應(yīng)層沉積進行改性的ALE86
6.2性能指標89
6.2.1刻蝕速率（EPC）89
6.2.2ERNU（EPC非均勻性）90
6.2.3選擇性91
6.2.4輪廓和ARDE95
6.2.5表面平整度和LWR/LER97
6.3應(yīng)用示例100
6.3.1具有定向改性步驟的ALE100
6.3.2具有定向去除步驟及化學吸附和擴散改性的ALE101
6.3.3具有定向去除步驟和通過反應(yīng)層沉積進行改性的ALE102
參考文獻104
第7章反應(yīng)離子刻蝕109
7.1反應(yīng)離子刻蝕機制109
7.1.1同時發(fā)生的物種通量109
7.1.2化學濺射113
7.1.3混合層形成114
7.1.4刻蝕產(chǎn)物的作用117
7.2性能指標118
7.2.1刻蝕速率118
7.2.2ERNU123
7.2.3ARDE124
7.2.4選擇性126
7.2.5輪廓控制128
7.2.5.1側(cè)壁鈍化129
7.2.5.2刻蝕物種的選擇132
7.2.5.3溫度132
7.2.6CD控制134
7.2.7表面光滑度137
7.2.8LWR/LER138
7.3應(yīng)用示例141
7.3.1圖案化142
7.3.1.1自對準圖案化142
7.3.1.2極紫外（EUV）光刻146
7.3.2邏輯器件148
7.3.2.1Fin刻蝕148
7.3.2.2柵極刻蝕150
7.3.2.3側(cè)墻刻蝕152
7.3.2.4接觸孔刻蝕153
7.3.2.5BEOL刻蝕154
7.3.3DRAM和3D NAND存儲器156
7.3.3.1DRAM電容單元刻蝕156
7.3.3.2高深寬比3D NAND刻蝕168
7.3.4新興存儲171
7.3.4.1相變存儲器（PCM）171
7.3.4.2ReRAM175
參考文獻177
第8章離子束刻蝕185
8.1離子束刻蝕的機理和性能指標185
8.2應(yīng)用示例186
參考文獻188
第9章刻蝕物種產(chǎn)生189
9.1低溫等離子體概述189
9.2電容耦合等離子體194
9.3電感耦合等離子體206
9.4離子能量分布調(diào)制208
9.5等離子體脈沖211
9.6格柵源214
參考文獻217
第10章新興刻蝕技術(shù)221
10.1電子輔助化學刻蝕221
10.2光子輔助化學刻蝕223
參考文獻224