不同形貌GaN納米線制備技術(shù)

定　價：￥72.00

作　者：	崔真，李恩玲，王含笑
出版社：	冶金工業(yè)出版社
叢編項：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787502495954	出版時間：	2023-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	161	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書共分10章，主要內(nèi)容包括塔形、鉛筆形、三維分支結(jié)構(gòu)、Se摻雜、螺旋形、直和繩形、竹葉形GaN納米線的制備工藝與性能測試及制備工藝對GaN納米線取向的影響，此外，還介紹了BN包覆GaN納米線和InN包覆GaN納米線的制備及表征。本書內(nèi)容涉及物理、化學(xué)、材料和電子信息等多個領(lǐng)域的相關(guān)知識，每章內(nèi)容融會貫通、分類敘述，講述了不同形貌GaN納米線的制備技術(shù)及制備工藝的影響。本書可供電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、光電信息工程、物理學(xué)類專業(yè)本科生、研究生及相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。

作者簡介

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圖書目錄

1 緒論
1.1 引言
1.2 納米材料簡介
1.2.1 納米材料概述
1.2.2 納米材料的特性
1.3 GaN材料性質(zhì)
1.3.1 物理性質(zhì)
1.3.2 化學(xué)性質(zhì)
1.3.3 電學(xué)性質(zhì)
1.3.4 光學(xué)性質(zhì)
1.4 GaN納米線的合成方法
1.4.1 分子束外延法
1.4.2 金屬有機化學(xué)氣相沉積法
1.4.3 氫化物輸運氣相外延生長法
1.4.4 模板限制生長法
1.4.5 激光燒蝕法
1.4.6 氧化物輔助生長法
1.4.7 化學(xué)氣相沉積法
1.4.8 溶膠-凝膠法
1.5 納米線的生長機制
1.5.1 氣-液-固機制
1.5.2 氣-固機制
1.6 場發(fā)射簡介
1.6.1 功函數(shù)
1.6.2 場增強因子
1.6.3 場發(fā)射陰極材料研究進展
1.7 GaN納米材料研究進展
1.7.1 GaN材料實驗研究進展
1.7.2 GaN材料理論研究進展
1.7.3 GaN納米材料場發(fā)射研究進展
1.8 GaN納米材料表征與性能測試
1.8.1 掃描電子顯微鏡
1.8.2 X射線衍射
1.8.3 透射電子顯微鏡和選區(qū)電子衍射
1.8.4 光致發(fā)光譜
1.8.5 X射線光電子能譜技術(shù)
參考文獻
2 塔形和鉛筆形GaN納米線的制備及性能
2.1 引言
2.2 塔形GaN納米線的制備
2.2.1 塔形GaN納米線的制備過程
2.2.2 工藝條件對制備塔形GaN納米線的影響
2.2.3 塔形GaN納米線XRD表征
2.2.4 塔形GaN納米線SEM表征
2.2.5 塔形GaN納米線TEM表征
2.2.6 塔形GaN納米線生長機理分析
2.3 塔形GaN納米線性能測試
2.3.1 塔形GaN納米線光致發(fā)光譜分析
2.3.2 塔形GaN納米線拉曼光譜分析
2.3.3 塔形GaN納米線場發(fā)射性能分析