摻雜GaN納米線制備技術

定　價：￥72.00

作　者：	崔真，吳輝，李恩玲
出版社：	冶金工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

ISBN：	9787502496401	出版時間：	2023-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	158	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書共分9章，主要內(nèi)容包括各種元素摻雜GaN納米線的制備工藝與性能測試。對摻雜可以改善GaN納米線電學特性的原因進行了討論。另外，還介紹了AIN包覆GaN納米線的制備及表征，分析了AIN包覆GaN納米線的形成機理。本書內(nèi)容涉及物理、化學、材料和電子信息等多個領域的相關知識，書中詳細地給出了各種摻雜GaN納米線制備的工藝，以便讀者好地了解本書的內(nèi)容。本書可供電子科學與技術、微電子學與固體電子學、光電信息工程、物理學類本科生、研究生及相關領域工程技術人員閱讀。也可作為高等院校相關專業(yè)師生的教學參考書。

作者簡介

暫缺《摻雜GaN納米線制備技術》作者簡介

圖書目錄

1 緒論
1.1 納米材料概述
1.2 GaN材料概述
1.2.1 物理性質(zhì)
1.2.2 化學性質(zhì)
1.2.3 電學性質(zhì)
1.2.4 光學特性
1.3 GaN納米線的合成方法
1.3.1 分子束外延法
1.3.2 金屬有機化學氣相沉積法
1.3.3 氫化物輸運氣相外延生長法
1.3.4 模板限制生長法
1.3.5 激光燒蝕法
1.3.6 氧化物輔助生長法
1.3.7 化學氣相沉積法
1.3.8 溶膠-凝膠法
1.4 納米線的生長機制
1.4.1 氣-液-固機制
1.4.2 氣-固機制
1.4.3 GaN納米線表征與性能測試方法
1.5 場發(fā)射理論
1.5.1 經(jīng)典F-N理論
1.5.2 半導體場致電子發(fā)射
1.5.3 相關概念
參考文獻
2 P摻雜GaN納米線的制備及性能
2.1 實驗原料
2.2 襯底的處理
2.3 實驗步驟及形貌分析
2.3.1 基本實驗步驟
2.3.2 不同氨化溫度對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.3 不同氨化時間對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.4 不同氨氣流量對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.5 不同濃度P摻雜對GaN納米線形貌的影響
2.4 P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.1 純凈GaN納米線的物相分析
2.4.2 摻雜源比例為1：30的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.3 摻雜質(zhì)量比為1：20的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.4 摻雜質(zhì)量比為1：10的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.5 P摻雜GaN納米線的性能
2.6 P摻雜GaN納米的生長機制分析
參考文獻
3 Te摻雜GaN納米線的制備及性能
3.1 實驗方法及設備
3.2 實驗過程
3.3 樣品的表征與分析
3.3.1 樣品的表征方法
3.3.2 GazOg和Te質(zhì)量比對納米線的影響
3.3.3 反應溫度對納米線的影響
3.3.4 Te摻雜GaN納米線的Raman分析