半導體物理學（上）

定　價：￥168.00

作　者：	（德）馬呂斯·格倫德曼
出版社：	中國科學技術大學出版社
叢編項：	半導體芯片國際前沿
標　簽：	暫缺

ISBN：	9787312052392	出版時間：	2022-07-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	510	字數(shù)：

內容簡介

　　本書介紹了半導體物理和半導體器件，包括固體物理、半導體物理、各種半導體器件的概念及其在電子學和光子學中的現(xiàn)代應用。全書包括三部分內容：半導體物理學的基礎知識（～10章）、專題（ 1～20章）與半導體的應用和器件（第21～24章）。第1章介紹半導體物理學的歷史沿革，按照時間順序給出歷半導體相關的重要時刻和事件。第2～10章講述半導體物理學的基礎知識，包括：化學鍵、晶體、缺陷、力學性質、能帶結構、電子的缺陷態(tài)、輸運性質、光學性質、復合過程。 1～20章是專題，包括：表面、異質結構、二維半導體、納米結構、外場、極性半導體、磁性半導體、有機半導體、介電結構、透明導電的氧化物半導體。第21～24章是半導體的應用和器件，包括：二極管、電光轉換器件、光電轉換器件、晶體管。本書內容豐富（除了24章正文以外，還有11個附錄），圖文并茂（大約有1000張圖片和表格），參考資料豐富（大約有2200篇參考文獻），經過多年教學實踐的檢驗，是一本的教科書。本書可以在沒有或者只有很少固體物理學和量子力學知識的基礎上學習，適合研究生和高年級本科生學習，也可以作為半導體科研人員的參考書。

作者簡介

暫缺《半導體物理學（上）》作者簡介

圖書目錄

譯者的話
前言
縮寫
符號
物理常量
第1章簡介
1.1 大事年表
1.2 諾貝爾獎得主
1.3 一般信息
部分基礎知識
第2章鍵
2.1 簡介
2.2 共價鍵
2.3 離子鍵
2.4 混合鍵
2.5 金屬鍵
2.6 范德華鍵
2.7 固體的哈密頓算符
第3章晶體
3.1 簡介
3.2 晶體結構
3.3 格子
3.4 重要的晶體結構
3.5 多型性
3.6 倒格子
3.7 合金
第4章結構缺陷
4.1 簡介
4.2 點缺陷
4.3 位錯
4.4 擴展的缺陷
4.5 無序
第5章力學性質
5.1 簡介
5.2 晶格振動
5.3 彈性
5.4 塑性
第6章能帶結構
6.1 簡介
6.2 周期勢里的電子
6.3 一些半導體的能帶結構
6.4 半導體帶隙的分類
6.5 合金半導體
6.6 非晶半導體
6.7 帶隙的溫度依賴關系
6.8 帶隙的同位素依賴關系
6.9 電子的色散關系
6.10 空穴
6.11 能帶反轉
6.12 立變對能帶結構的影響
6.13 態(tài)密度
第7章電子的缺陷態(tài)
7.1 簡介
7.2 載流子密度
7.3 本征電導
7.4 摻雜
7.5 淺缺陷
7.6 準費米能級
7.7 深能級
7.8 電荷中性能級
7.9 半導體里的氫
第8章輸運
8.1 簡介
8.2 電導率
8.3 低場輸運
8.4 高場輸運
8.5 高頻輸運
8.6 雜質帶輸運
8.7 極化子
8.8 跳躍輸運
8.9 非晶半導體里的輸運
8.10 離子輸運
8.1 l擴散
8.12 連續(xù)性方程
8.13 熱傳導
8.14 熱和電荷的耦合輸運
第9章光學性質
9.1 光譜區(qū)和概述
9.2 復介電函數(shù)
9.3 反射和折射
9.4 吸收
9.5 由光學聲子導致的介電函數(shù)
9.6 電子-光子相互作用
9.7 帶-帶躍遷
9.8 雜質吸收
9.9 有自由電荷載流子存在時的吸收
9.10 晶格吸收
0章復合
10.1 簡介
10.2 帶.帶復合
10.3 激子復合
10.4 聲子伴線
10.5 自吸收
10.6 施主.受主對的躍遷
10.7 內雜質復合
10.8 俄歇復合
10.9 能帶-雜質復合
10.10 ABC模型
10.11 場效應
10.12 擴展缺陷處的復合
10.13 過剩載流子的分布
第2部分專題
1章表面
11.1 簡介
11.2 表面晶體學
11.3 表面能
11.4 表面的重構
11.5 表面的形貌
11.6 表面的物理性質
2章異質結構
12.1 簡介
12.2 異質外延
12.3 異質結構里的能級
12.4 量子阱里的復合
12.5 同位素超晶格
12.6 晶片鍵合
3章二維半導體
13.1 石墨烯和相關材料
13.2 二維化合物半導體
13.3 范德華異質結構
4章納米結構
14.1 簡介
14.2 量子線
14.3 碳納米管
14.4 量子點
5章外場
15.1 電場
15.2 磁場