GaN量子阱光電探測器中單電子態(tài)的數(shù)值計算

定　價：￥66.00

作　者：	哈斯花，朱俊
出版社：	吉林大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

ISBN：	9787576809152	出版時間：	2023-01-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	195	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書總結作者十余年來一直從事Ⅲ族氮化物異質(zhì)結構的理論研究結果，詳細介紹在有效質(zhì)量近似框架下基于GaN量子阱光電探測器中單電子態(tài)的數(shù)值計算方法、理論模型和計算數(shù)據(jù)分析。全書一共分為六章。章和第二章重點介紹Ⅲ族氮化物半導體材料及其量子阱結構的特點和性質(zhì)。第三章討論GaN量子阱中的電子態(tài)及其受到極化電場、二維電子（空穴）氣、外電場以及電聲子相互作用的具體影響。第四章介紹GaN單量子阱和雙量子阱中的類氫雜質(zhì)態(tài)。第五章詳細介紹GaN量子阱中的激子態(tài)及電聲子相互作用等問題。第六章通過量子阱結構的設計和優(yōu)化，分別介紹非對稱單量子阱、外電場調(diào)制下的單量子阱、耦合雙量子阱和插入納米凹槽的臺階量子阱研究電子的子帶間躍遷的光學吸收問題和動力學性質(zhì)。

作者簡介

暫缺《GaN量子阱光電探測器中單電子態(tài)的數(shù)值計算》作者簡介

圖書目錄

章 Ⅲ族氮化物的基本性質(zhì)
1.1 晶體結構
1.2 能帶結構
1.3 缺陷和雜質(zhì)
參考文獻
第二章 GaN量子阱的基本性質(zhì)
2.1 帶階
2.2 應變
2.3 極化電場
2.4 電子氣屏蔽效應
2.5 電聲子相互作用
參考文獻
第三章 GaN量子阱中的電子態(tài)
3.1 引言
3.2 理論計算模型
3.3 極化電場對量子阱中電子和空穴本征態(tài)的影響
3.4 電子-空穴氣屏蔽影響下應變量子阱中電子和空穴的本征態(tài)
3.5 外電場下應變量子阱中電子與空穴的本征態(tài)
3.6 電聲子相互作用對量子阱中電子本征態(tài)的影響
3.7 小結
參考文獻
第四章 GaN量子阱中的類氫雜質(zhì)態(tài)
4.1 引言
4.2 理論計算模型
4.3 單量子阱情形
4.4 雙量子阱情形
4.5 小結
參考文獻
第五章 GaN量子阱中的激子態(tài)
5.1 引言
5.2 理論模型
5.3 閃鋅礦［001］取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.4 閃鋅礦［111］取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.5 纖鋅礦［0001］取向GaN量子阱中的激子態(tài)
5.6 小結
參考文獻
第六章 GaN量子阱中的電子子帶躍遷
6.1 引言
6.2 GaN量子阱中的電子子帶躍遷
6.3 GaN量子阱中電子的聲子輔助子帶間躍遷
6.4 小結
參考文獻
附錄