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當前位置: 首頁出版圖書科學技術計算機/網絡操作系統(tǒng)ADS信號完整性仿真與實戰(zhàn)(第2版)

ADS信號完整性仿真與實戰(zhàn)(第2版)

ADS信號完整性仿真與實戰(zhàn)(第2版)

定 價:¥128.00

作 者: 蔣修國
出版社: 清華大學出版社
叢編項:
標 簽: 暫缺

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ISBN: 9787302643760 出版時間: 2023-10-01 包裝: 平裝-膠訂
開本: 16開 頁數: 字數:  

內容簡介

  《ADS信號完整性仿真與實戰(zhàn) 第2版》主要是以ADS軟件為依托,結合信號完整性和電源完整性的基礎理論以及實際案例,完整地介紹了使用ADS進行信號完整性以及電源完整性仿真的流程和方法,最終以實際的案例呈現(xiàn)給讀者,具體內容包括信號完整性基本概念、ADS基本概念及使用、PCB材料和層疊設計、傳輸線及端接、過孔及過孔仿真、串擾案例、S參數及其仿真應用、IBIS與SPICE模型、HDMI仿真、DDR4/DDR5仿真、高速串行總線仿真、PCB板級仿真SIPro、PCB板級仿真PIPro等?!禔DS信號完整性仿真與實戰(zhàn) 第2版》內容翔實,深入淺出,結合實際案例的應用進行講解,實用性強,非常適合作為信號完整性以及ADS仿真入門教程,也可以作為資深仿真工程師的工具書,還可以作為大學電子、電路、通信、電磁場等專業(yè)的教學實驗教材。

作者簡介

  蔣修國,擁有超過13年的信號完整性設計和仿真相關經驗。目前就職于是德科技,任大中華區(qū)EDA解決方案部門經理,同時負責信號完整性、電源完整性和EMC相關產品的應用和支持。參與過大型服務器、交換機、高速背板和云存儲產品、消費類電子產品等的研發(fā)和信號完整性工作。擅長高速數字電路的信號完整性和電源完整性仿真、設計和測試;研究領域涉及PCB材料參數提取、連接器/線纜/器件精確測量等等。2014年創(chuàng)辦“信號完整性”公眾號,每周分享SI、PI、RF和EMC相關的設計、仿真和測試內容。公眾號關注人數超過5萬人,文章閱讀和轉發(fā)量累計數百萬次。2019年出版《ADS信號完整性仿真與實戰(zhàn)》,銷量過萬。參與過多本硬件相關書籍的編寫。

圖書目錄

第1章 信號完整性基本概念 1
1.1 什么是信號完整性 1
1.1.1 上升時間和下降時間 2
1.1.2 占空比 2
1.1.3 建立時間 2
1.1.4 保持時間 3
1.1.5 抖動 3
1.1.6 傳輸線 4
1.1.7 特性阻抗 4
1.1.8 反射 5
1.1.9 串擾 5
1.1.10 單調性 6
1.1.11 過沖/下沖 7
1.1.12 眼圖 7
1.1.13 碼間干擾 8
1.1.14 誤碼率 8
1.1.15 損耗 8
1.1.16 趨膚效應 9
1.1.17 擴頻時鐘(SSC) 10
1.2 電源完整性基本概念 10
1.3 SI/PI/EMC的相互關系 11
本章小結 11
第2章  ADS基本概念及使用 12
2.1 是德科技EEsof軟件簡介 12
2.2 ADS軟件介紹 13
2.2.1 ADS概述 13
2.2.2 ADS軟件架構 14
2.3 ADS相關的文件介紹 16
2.4 ADS相關的窗口和菜單介紹 16
2.4.1 啟動ADS 16
2.4.2 ADS主界面 16
2.5 ADS基礎使用 17
2.5.1 新建或者打開原有工程 18
2.5.2 新建原理圖 22
2.5.3 新建Layout 28
2.5.4 新建數據顯示窗口 31
本章小結 34
第3章 PCB材料和層疊設計 35
3.1 PCB材料介紹 35
3.1.1 銅箔 36
3.1.2 介質(半固化片和芯板) 38
3.1.3 介電常數和介質損耗角 38
3.1.4 PCB材料的分類 40
3.1.5 高速板材的特點 40
3.2 層疊設計 41
3.2.1 層疊設計的基本原則 41
3.2.2 層疊設計的典型案例 42
3.2.3 層疊結構中包含的參數信息 45
3.3 如何設置ADS中的層疊 46
3.3.1 新建層疊 46
3.3.2 編輯材料信息 48
3.3.3 編輯層疊結構 51
3.3.4 添加過孔結構類型 53
3.4 CILD(阻抗計算) 53
3.4.1 CILD(阻抗計算)介紹 53
3.4.2 微帶線阻抗計算 55
3.4.3 參數的掃描 59
3.4.4 統(tǒng)計分析 61
3.4.5 帶狀線阻抗計算 62
3.4.6 共面波導線阻抗計算 64
3.4.7 自定義傳輸線結構 65
本章小結 67
第4章 傳輸線及端接 68
4.1 傳輸線 68
4.2 ADS中的各類傳輸線 69
4.2.1 理想傳輸線模型 70
4.2.2 微帶線和帶狀線模型 71
4.2.3 多層結構的傳輸線模型 74
4.3 損耗與信號完整性 76
4.4 阻抗與反射 79
4.4.1 傳輸鏈路與阻抗不連續(xù)點 79
4.4.2 反彈圖 80
4.4.3 傳輸線阻抗分析 82
4.4.4 短樁線的反射 83
4.5 端接 85
4.5.1 點對點的傳輸線仿真 85
4.5.2 源端端接仿真 86
4.5.3 并聯(lián)端接仿真 87
4.5.4 戴維寧端接仿真 88
4.5.5 RC端接仿真 89
本章小結 90
第5章 過孔及過孔仿真 91
5.1 過孔的分類 91
5.2 Via的結構 92
5.3 Via Designer 93
5.3.1 啟動Via Designer 94
5.3.2  編輯層疊結構 95
5.3.3 編輯過孔結構 98
5.3.4 Via Designer變量設置 107
5.3.5 過孔的仿真以及仿真狀態(tài) 107
5.3.6 查看仿真結果 109
5.3.7 導出仿真結果和模型 112
5.4 過孔的參數掃描仿真 116
5.5 Via Designer模型在ADS和
EMPro中的應用 120
5.5.1 Via Designer模型在ADS中的
應用 120
5.5.2 Via Designer模型在EMPro中的
應用 121
5.6 高速電路中過孔設計的注意
事項 123
本章小結 123
第6章 串擾案例 124
6.1 串擾 124
6.2 串擾的分類 124
6.2.1 近端串擾和遠端串擾 125
6.2.2 串擾的仿真 125
6.3 ADS參數掃描 126
6.4 串擾的耦合長度與串擾的關系 127
6.5 傳輸線之間的耦合距離與串擾的
關系 142
6.5.1 傳輸線之間的耦合間距與串擾的
仿真 142
6.5.2 為什么PCB設計要保證3W 143
6.6 激勵源的上升時間與串擾的
關系 144
6.7 串擾與帶狀線的關系 146
6.7.1 微帶線與帶狀線串擾的對比 146
6.7.2 高速信號線是布在內層好還是布在外
層好 148
6.8 傳輸線到參考層的距離與串擾
的關系 148
6.9 定量分析串擾 151
6.10 串擾、S參數以及總線要求 152
6.11 如何減少電路設計中的串擾 153
本章小結 154
第7章 S參數及其仿真應用 155
7.1 S參數介紹 155
7.1.1 S參數模型簡介 155
7.1.2 S參數的命名方式以及混合模式 157
7.1.3 S參數的基本特性 158
7.2 S參數工具包 158
7.2.1 檢查S參數三大特性 160
7.2.2 查看和計算單端S參數 161
7.2.3 查看和計算混合模式S參數 165
7.2.4 查看TDR/TDT 166
7.2.5 多端口S參數處理 167
7.3 S參數仿真 169
7.3.1 提取傳輸線的S參數 169
7.3.2 S參數數據處理以及定義規(guī)范
模板 172
7.3.3 S參數級聯(lián) 172
7.4 S參數與TDR 174
7.4.1 編輯TDR公式 175
7.4.2 Front Panel的SP TDR工具 176
本章小結 177
第8章 IBIS與SPICE模型 178
8.1 IBIS模型簡介 179
8.2 IBIS模型的基本語法和結構 179
8.2.1 IBIS的基本語法 179
8.2.2 IBIS結構 180
8.2.3 IBIS文件實例 180
8.3 ADS中IBIS模型的使用 189
8.3.1 IBIS模型的應用 189
8.3.2 在ADS中使用EBD模型 195
8.3.3 在ADS中使用Package模型 197
8.4 SPICE模型 199
8.4.1 在ADS中使用SPICE模型 199
8.4.2 寬帶SPICE(BBS)模型生成器 202
8.4.3 W-element模型生成 205
本章小結 208
第9章 HDMI仿真 209
9.1 HDMI 209
9.2 HDMI電氣規(guī)范解讀 211
9.2.1 HDMI線纜規(guī)范 211
9.2.2 HDMI源設備規(guī)范 212
9.2.3 HDMI接收設備規(guī)范 213
9.3 眼圖和眼圖模板 214
9.3.1 眼圖和眼圖模板介紹 214
9.3.2 選擇眼圖探針,在ADS中設置眼圖
模板 216
9.3.3 在ADS中設置眼圖模板 218
9.4 HDMI仿真 220
9.4.1 HDMI源設備仿真 220
9.4.2 HDMI布線長度仿真 222
9.4.3 HDMI差分對內長度偏差仿真 223
9.4.4 HDMI差分對間長度偏差仿真 225
9.5 HDMI設計規(guī)則 226
本章小結 226
第10章 DDR4/DDR5仿真 227
10.1 DDR線介紹 227
10.1.1 DDR介紹 227
10.1.2 DDR4電氣規(guī)范 229
10.2 DDR4/5系統(tǒng)框圖 231
10.3 DDR4/5設計拓撲結構 232
10.4 片上端接(ODT) 233
10.5 Memory Designer介紹 234
10.5.1  Memory Designer的特點 235
10.5.2  Memory Designer支持的存儲
總線 235
10.5.3  Memory Designer仿真流程 235
10.5.4  DDR bus仿真 236
10.6 DDR線仿真 237
10.6.1 Memory Designer前仿真 237
10.6.2 地址、控制、命令以及時鐘信號
前仿真 251
10.6.3 Memory Designer批量掃描ODT 259
10.6.4 DDR PCB仿真 263
10.6.5 Memory Designer后仿真 271
10.6.6 讀操作仿真 280
10.6.7 地址、控制、命令以及時鐘信號
后仿真 281
10.6.8 同步開關噪聲(SSN)仿真 284
10.6.9 DDR5仿真 287
10.7 DDRx的電源分配網絡仿真 290
10.8 DDRx設計注意事項 291
本章小結 292
第11章 高速串行總線仿真 293
11.1 高速串行接口 293
11.2 USB 294
11.2.1 USB的發(fā)展歷史 294
11.2.2 USB3.0的物理結構及電氣特性 294
11.3 IBIS-AMI模型介紹 297
11.4 通道仿真 298
11.5 逐比特模式(Bit-by-bit) 301
11.6 統(tǒng)計模式(Statistical) 305
11.7 使用理想的發(fā)送/接收模型
(Tx_Diff/Rx_Diff) 307
11.8 COM仿真 310
本章小結 316
第12章 PCB板級仿真SIPro 317
12.1 PCB信號完整性仿真的流程 317
12.2 PCB文件導入 318
12.3 剪切PCB文件 319
12.4 層疊和材料設置 322
12.5 SIPro使用流程 323
12.5.1 啟動SIPro 323
12.5.2 設置仿真分析類型 325
12.5.3 選擇信號網絡 326
12.5.4 設置仿真模型 330
12.5.5 設置仿真端口 332
12.5.6 設置仿真頻率和Options 334
12.5.7 運行仿真 336
12.5.8 查看和導出仿真結果 337
本章小結 344
第13章 PCB板級仿真PIPro 345
13.1 電源完整性基礎 345
13.1.1 什么是電源完整性 346
13.1.2 電源分配網絡 346
13.1.3 目標阻抗 347
13.2 ADS電源完整性仿真流程 347
13.3 電源完整性直流分析
(PI DC) 348
13.3.1 建立直流仿真分析 349
13.3.2 選擇電源網絡并確定參數 349
13.3.3 分離元件參數設置 351
13.3.4 VRM設置 352
13.3.5 Sink設置 354
13.3.6 設置Options 356
13.3.7 運行仿真及查看仿真結果 357
13.4  電源完整性電熱仿真
(PI ET) 364
13.4.1 建立電熱仿真分析 365
13.4.2 熱模型設置 366
13.4.3 設置Options 370
13.4.4 運行仿真以及查看仿真結果 371
13.5 電源完整性交流分析
(PI AC) 374
13.5.1 VRM、Sink設置 375
13.5.2 電容模型設置 375
13.5.3 仿真頻率和Options設置 384
13.5.4 運行仿真并查看仿真結果 385
13.5.5 產生原理圖和子電路 390
13.5.6 優(yōu)化仿真結果 392
13.6 如何設計一個好的電源系統(tǒng) 396
本章小結 396
 

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