碳化硅功率器件：特性、測試和應用技術

電力電子新技術系列圖書序言第2版前言第1版前言第1章功率半導體器件基礎11.1功率半導體器件與電力電子11.2Si功率二極管31.2.1pn結31.2.2pin二極管41.2.3快恢復二極管51.2.4肖特基二極管51.3Si功率MOSFET71.3.1MOSFET的結構和工作原理71.3.2橫向雙擴散MOSFET81.3.3垂直雙擴散MOSFET91.3.4溝槽柵MOSFET101.3.5屏蔽柵MOSFET101.3.6超結MOSFET111.4Si IGBT111.4.1IGBT的結構和工作原理111.4.2PTIGBT121.4.3NPTIGBT131.4.4FSIGBT131.4.5溝槽柵IGBT141.5SiC材料的物理特性141.5.1晶體結構141.5.2能帶和禁帶寬度161.5.3擊穿電場強度171.5.4雜質摻雜和本征載流子濃度181.5.5載流子遷移率和飽和漂移速度191.5.6熱導率191.6SiC產業(yè)鏈概況191.6.1襯底191.6.2外延221.6.3芯片制造241.6.4封裝測試261.6.5系統(tǒng)應用261.7SiC二極管和SiC MOSFET的發(fā)展概況271.7.1商用SiC二極管的結構271.7.2商用SiC MOSFET的結構291.8SiC功率模塊的發(fā)展概況311.8.1SiC功率模塊的制造流程311.8.2SiC功率模塊的技術發(fā)展331.8.3SiC功率模塊的方案35參考文獻38延伸閱讀38第2章SiC二極管的主要特性402.1最大值402.1.1反向電流和擊穿電壓402.1.2熱阻抗412.1.3耗散功率和正向導通電流432.1.4正向浪涌電流和i2t442.2靜態(tài)特性452.2.1導通電壓452.2.2結電容、結電荷和結電容能量46參考文獻47第3章SiC MOSFET的主要特性483.1最大值483.1.1漏電流和擊穿電壓483.1.2耗散功率和漏極電流503.1.3安全工作域513.2靜態(tài)特性523.2.1傳遞特性和閾值電壓523.2.2輸出特性和導通電阻543.2.3體二極管和第三象限導通特性563.3動態(tài)特性573.3.1結電容573.3.2開關特性593.3.3柵電荷653.4極限特性663.4.1短路663.4.2雪崩753.5品質因數773.6功率器件損耗計算803.6.1損耗計算方法803.6.2仿真軟件843.7SiC MOSFET建模863.7.1SPICE模型基礎863.7.2建模方法893.7.3商用SiC MOSFET模型983.7.4SiC MOSFET建模的挑戰(zhàn)102參考文獻103延伸閱讀104第4章SiC器件與Si器件特性對比1094.1SiC MOSFET和Si SJMOSFET1094.1.1傳遞特性1094.1.2輸出特性和導通電阻1104.1.3CV特性1124.1.4開關特性1124.1.5柵電荷1204.2SiC MOSFET和Si IGBT1204.2.1傳遞特性1204.2.2輸出特性1214.2.3CV特性1224.2.4開關特性1234.2.5柵電荷1304.2.6短路特性1304.3SiC二極管和Si二極管1324.3.1導通特性1324.3.2反向恢復特性133延伸閱讀141第5章雙脈沖測試技術1425.1功率變換器換流模式1435.2雙脈沖測試基礎1465.2.1雙脈沖測試基本原理1465.2.2雙脈沖測試參數設定1495.2.3SiC器件的動態(tài)過程1525.2.4雙脈沖測試平臺1535.3測量儀器1585.3.1示波器1585.3.2電壓和電流測量1705.3.3測量柵源極電壓VGS1765.3.4測量漏源極電壓VDS1885.3.5測量漏源極電流IDS1915.3.6測量柵極電流IG1935.3.7時間偏移1975.4電壓測量點間寄生參數1995.4.1寄生參數引入測量偏差的基本原理1995.4.2寄生參數引入的測量偏差2015.4.3測量偏差的補償方法2075.4.4測量偏差的補償效果2095.5動態(tài)過程測試結果評判2145.5.1測量的準確度和重復性2145.5.2動態(tài)過程測試的場景及結果的評判標準2155.6動態(tài)特性測試設備2185.6.1自建手動測試平臺2185.6.2實驗室測試設備2195.6.3生產線測試設備233參考文獻236延伸閱讀238第6章SiC器件的測試、分析和評估技術2416.1參數測試的原理及挑戰(zhàn)2416.1.1測試機2416.1.2閾值電壓VGS(th)2446.1.3柵極漏電流IGSS2466.1.4擊穿電壓V(BR)DSS2476.1.5漏極漏電流IDSS2486.1.6導通電阻RDS(on)2506.1.7跨導GFS2516.1.8體二極管正向壓降VF2526.1.9雪崩UIS2546.1.10瞬態(tài)熱阻DVDS2556.1.11結電容Ciss、Coss、Crss2566.1.12柵極電阻RG2576.1.13開關特性和柵電荷QG2586.2量產測試2586.2.1量產測試概況2586.2.2CP測試2596.2.3WLBI測試2656.2.4KGD測試2706.2.5PLBI測試2756.2.6ACBI測試2776.2.7FT測試2846.2.8測試效率和成本評估2916.3可靠性評估2936.3.1可靠性標準2936.3.2主要可靠性測試項目3006.4失效分析3076.4.1失效分析概述3076.4.2鎖相熱成像3096.4.3微光顯微鏡3116.4.4激光誘導阻變3156.4.5掃描電子顯微鏡3196.4.6雙束電子顯微鏡3216.4.7透射電子顯微鏡3246.5系統(tǒng)應用測試328參考文獻335第7章高di/dt影響與應對——關斷電壓過沖3377.1關斷電壓尖峰的基本原理3377.2應對措施1——回路電感控制3397.2.1回路電感與局部電感3397.2.2PCB線路電感3417.2.3分立器件封裝電感3437.2.4功率模塊封裝電感3437.3應對措施2——去耦電容3447.3.1電容器基本原理3447.3.2去耦電容基礎3477.3.3小信號模型分析3507.4應對措施3——降低關斷速度358參考文獻361延伸閱讀361第8章高dv/dt影響與應對——串擾3638.1串擾的基本原理3638.1.1開通串擾3638.1.2關斷串擾3678.2串擾的主要影響因素3698.2.1等效電路分析3698.2.2實驗測試分析3718.3應對措施1——米勒鉗位3778.3.1三極管型米勒鉗位3778.3.2有源米勒鉗位3798.4應對措施2——驅動回路電感控制3838.4.1驅動回路電感對Miller Clamping的影響3838.4.2封裝集成383參考文獻389延伸閱讀390第9章高dv/dt影響與應對——共模電流3929.1信號通路中的共模電流3929.1.1功率變換器中的共模電流3929.1.2信號通路共模電流的特性3959.2應對措施1——高CMTI驅動芯片3979.3應對措施2——高共模阻抗4019.3.1減小隔離電容4019.3.2共模電感4029.4應對措施3——共模電流疏導4049.4.1Y電容4049.4.2并行供電4049.4.3串聯式驅動電路4069.5差模干擾測量4069.5.1常規(guī)電壓探頭測量差模干擾4069.5.2電源軌探頭測量差模干擾409參考文獻413延伸閱讀414第10章共源極電感影響與應對41510.1共源極電感41510.1.1共源極電感的基本原理41510.1.2開爾文源極封裝41810.2對比測試方案42010.2.1傳統(tǒng)對比測試方案42010.2.24in4和4in3對比測試方案42110.3對開關過程的影響42210.3.1開通過程42210.3.2關斷過程42410.3.3開關能量與dVDS/dt43010.4對串擾的影響43510.4.1開通串擾43610.4.2關斷串擾440參考文獻443延伸閱讀443第11章驅動電路44511.1驅動電路基礎44511.1.1驅動電路架構與發(fā)展44511.1.2驅動電路各功能模塊44711.2驅動電阻取值45411.2.1對驅動電路的影響45411.2.2對功率器件的影響45611.2.3對變換器的影響45911.3驅動電壓45911.3.1SiC MOSFET對驅動電壓的要求45911.3.2關斷負壓的提供46011.4驅動級特性的影響46211.4.1輸出峰值電流46211.4.2BJT和MOSFET電流Boost46211.4.3米勒斜坡下的驅動能力46611.5信號隔離傳輸47011.5.1隔離方式47011.5.2安規(guī)與絕緣47211.6短路保護47811.6.1短路保護的檢測方式47811.6.2DESAT檢測48111.7驅動電路設計參考49411.7.18引腳單通道隔離驅動芯片49411.7.216引腳單通道隔離驅動芯片49611.7.314/16引腳雙通道隔離驅動芯片496參考文獻498延伸閱讀500第12章SiC器件的主要應用50312.1主驅逆變器50312.2車載充電機50812.3車載DCDC51312.4充電樁51512.5光伏51912.6儲能52412.7不間斷電源52712.8電源53012.9電機驅動535參考文獻536延伸閱讀536