專(zhuān)用集成電路低功耗入門(mén)：分析、技術(shù)和規(guī)范

前言
致謝
第1章　引言1
1.1　什么是功耗1
1.2　為什么功耗很重要2
1.3　為什么功耗越來(lái)越大2
1.4　功耗去哪了3
1.5　多少才算低4
1.6　為什么要測(cè)量5
1.7　對(duì)設(shè)計(jì)復(fù)雜度的影響6
1.8　本書(shū)概要7
第2章　核心邏輯中的功耗建模8
2.1　數(shù)字設(shè)計(jì)中的功耗8
2.1.1　使用理想開(kāi)關(guān)的例子8
2.1.2　CMOS數(shù)字邏輯10
2.2　動(dòng)態(tài)或活動(dòng)功耗14
2.2.1　組合單元的活動(dòng)功耗14
2.2.2　時(shí)序單元的活動(dòng)功耗17
2.2.3　內(nèi)部功耗對(duì)參數(shù)的依賴19
2.3　泄漏功耗20
2.3.1　對(duì)閾值電壓的依賴 20
2.3.2　對(duì)溝道長(zhǎng)度的依賴20
2.3.3　對(duì)溫度的依賴21
2.3.4　對(duì)工藝的依賴21
2.3.5　泄漏功耗建模22
2.4　高級(jí)功耗建模23
2.4.1　泄漏電流23
2.4.2　動(dòng)態(tài)電流24
2.5　總結(jié)25
第3章　輸入輸出和宏模塊中的功耗建模27
3.1　存儲(chǔ)器宏模塊27
3.1.1　動(dòng)態(tài)或活動(dòng)功耗28
3.1.2　泄漏功耗31
3.2　模擬宏模塊中的功耗33
3.3　輸入輸出緩沖器的功耗34
3.3.1　通用的數(shù)字輸入輸出模塊34
3.3.2　帶終端的高速輸入輸出模塊40
3.4　總結(jié)44
第4章　ASIC中的功耗分析45
4.1　什么是開(kāi)關(guān)活動(dòng)性45
4.1.1　靜態(tài)概率46
4.1.2　翻轉(zhuǎn)率46
4.1.3　實(shí)例46
4.2　基本單元和宏模塊的功耗計(jì)算47
4.2.1　2輸入與非門(mén)單元的功耗計(jì)算47
4.2.2　觸發(fā)器單元的功耗計(jì)算53
4.2.3　存儲(chǔ)器宏模塊的功耗計(jì)算56
4.3　在模塊或芯片級(jí)指定活動(dòng)性59
4.3.1　默認(rèn)全局活動(dòng)性或非矢量59
4.3.2　通過(guò)輸入傳播活動(dòng)性59
4.3.3　VCD 60
4.3.4　SAIF 62
4.4　芯片級(jí)功耗分析65
4.4.1　選擇PVT角65
4.4.2　功耗分析65
4.5　總結(jié)66
第5章　電源管理的設(shè)計(jì)意圖68
5.1　電源管理要求68
5.2　電源域69
5.2.1　電源域狀態(tài)70
5.3　用于電源管理的特殊單元71
5.3.1　隔離單元71
5.3.2　電平移位器73
5.3.3　使能電平移位器76
5.3.4　電源開(kāi)關(guān)77
5.3.5　常開(kāi)單元81
5.3.6　保持單元83
5.3.7　時(shí)鐘門(mén)控單元86
5.3.8　標(biāo)準(zhǔn)單元90
5.3.9　雙軌存儲(chǔ)器92
5.4　總結(jié)93
第6章　低功耗的架構(gòu)技術(shù)94
6.1　總體目標(biāo)94
6.1.1　影響功耗的參數(shù)95
6.2　動(dòng)態(tài)頻率96
6.3　動(dòng)態(tài)電壓縮放97
6.4　動(dòng)態(tài)電壓和頻率縮放98
6.5　降低電源電壓98
6.6　結(jié)構(gòu)級(jí)時(shí)鐘門(mén)控99
6.7　電源門(mén)控100
6.7.1　狀態(tài)保持101
6.7.2　粗粒度和細(xì)粒度電源門(mén)控102
6.8　多電壓103
6.8.1　優(yōu)化電平移位器104
6.8.2　優(yōu)化隔離單元105
6.9　優(yōu)化存儲(chǔ)器功耗106
6.9.1　對(duì)存儲(chǔ)器訪問(wèn)進(jìn)行分組106
6.9.2　避免使能引腳上的冗余活動(dòng)108
6.10　操作數(shù)隔離109
6.11　設(shè)計(jì)的工作模式110
6.12　RTL技術(shù)110
6.12.1　最小化翻轉(zhuǎn)次數(shù)111
6.12.2　資源共享111
6.12.3　其他112
6.13　總結(jié)112
第7章　低功耗實(shí)現(xiàn)技術(shù)113
7.1　工藝節(jié)點(diǎn)與庫(kù)的權(quán)衡113
7.2　庫(kù)的選擇114
7.2.1　多閾值電壓?jiǎn)卧?14
7.2.2　多溝道單元115
7.3　時(shí)鐘門(mén)控117
7.3.1　功耗驅(qū)動(dòng)的時(shí)鐘門(mén)控118
7.3.2　降低時(shí)鐘樹(shù)功耗的其他技術(shù)119
7.4　時(shí)鐘門(mén)控對(duì)時(shí)序的影響120
7.4.1　單級(jí)時(shí)鐘門(mén)控120
7.4.2　多級(jí)時(shí)鐘門(mén)控122
7.4.3　克隆時(shí)鐘門(mén)控123
7.4.4　合并124
7.5　門(mén)級(jí)功耗優(yōu)化技術(shù)124
7.5.1　使用復(fù)雜單元125
7.5.2　調(diào)節(jié)單元尺寸125
7.5.3　設(shè)置適當(dāng)?shù)膲簲[率125
7.5.4　引腳互換126
7.5.5　因式分解126
7.6　睡眠模式的功耗優(yōu)化127
7.6.1　通過(guò)背偏壓減少泄漏127
7.6.2　關(guān)閉不活動(dòng)的區(qū)塊128
7.6.3　存儲(chǔ)器的睡眠和關(guān)機(jī)模式132
7.7　自適應(yīng)工藝監(jiān)控135
7.8　去耦電容和泄漏136
7.9　總結(jié)136
第8章　UPF功耗規(guī)范137
8.1　設(shè)置范圍138
8.2　創(chuàng)建電源域138
8.3　創(chuàng)建供電端口139
8.4　創(chuàng)建供電網(wǎng)絡(luò)140
8.5　連接供電網(wǎng)絡(luò)140
8.6　域的主電源141
8.7　創(chuàng)建電源開(kāi)關(guān)141
8.8　映射電源開(kāi)關(guān)142
8.9　供電端口的狀態(tài)142
8.10　電源狀態(tài)表143
8.11　電平移位器規(guī)格144
8.12　隔離策略146
8.13　保持策略147
8.14　映射保持寄存器148
8.15　Mychip實(shí)例149
第9章　CPF功耗規(guī)范154
9.1　簡(jiǎn)介154
9.2　庫(kù)命令155
9.2.1　定義常開(kāi)單元155
9.2.2　定義全局單元155
9.2.3　定義隔離單元156
9.2.4　定義電平移位器單元156
9.2.5　定義開(kāi)放源極輸入引腳157
9.2.6　定義焊盤(pán)單元157
9.2.7　定義電源鉗位單元158
9.2.8　定義電源鉗位引腳158
9.2.9　定義電源開(kāi)關(guān)單元158
9.2.10　定義相關(guān)電源引腳159
9.2.11　定義狀態(tài)保持單元160
9.3　電源模式命令160
9.3.1　創(chuàng)建模式160
9.3.2　創(chuàng)建電源模式161
9.3.3　指定電源模式轉(zhuǎn)換方式161
9.3.4　設(shè)置電源模式控制組162
9.3.5　結(jié)束電源模式控制組設(shè)置163
9.4　設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)約束163
9.4.1　創(chuàng)建分析視圖163
9.4.2　創(chuàng)建偏壓網(wǎng)絡(luò)163
9.4.3　創(chuàng)建全局連接164
9.4.4　創(chuàng)建接地網(wǎng)絡(luò)164
9.4.5　創(chuàng)建隔離規(guī)則164
9.4.6　創(chuàng)建電平移位器規(guī)則165
9.4.7　創(chuàng)建標(biāo)稱條件165
9.4.8　創(chuàng)建操作角166
9.4.9　創(chuàng)建焊盤(pán)規(guī)則166
9.4.10　創(chuàng)建電源域167
9.4.11　創(chuàng)建電源網(wǎng)絡(luò)168
9.4.12　創(chuàng)建電源開(kāi)關(guān)規(guī)則168
9.4.13　創(chuàng)建狀態(tài)保持規(guī)則169
9.4.14　定義庫(kù)集合170
9.4.15　標(biāo)識(shí)常開(kāi)驅(qū)動(dòng)器170
9.4.16　標(biāo)識(shí)電源邏輯