半導(dǎo)體存儲(chǔ)與系統(tǒng)

定　價(jià)：￥129.00

作　者：	[意] 安德烈·雷達(dá)利 [意] 法比奧·佩利澤等
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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當(dāng)當(dāng)網(wǎng) (￥109.00)

ISBN：	9787111777366	出版時(shí)間：	2025-04-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　《半導(dǎo)體存儲(chǔ)與系統(tǒng)》提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、非易失性存儲(chǔ)器（NVM）和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器以及儲(chǔ)存類內(nèi)存（SCM）的各項(xiàng)條件和系統(tǒng)級(jí)需求。每一章都涵蓋了物理運(yùn)行機(jī)制、制造技術(shù)和可微縮性的主要挑戰(zhàn)因素。最后，本書回顧了SCM的新興趨勢(shì)，主要關(guān)注基于相變的存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和機(jī)遇?！栋雽?dǎo)體存儲(chǔ)與系統(tǒng)》可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路科學(xué)與工程等專業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生的教材和參考書，也可供半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的從業(yè)人員參考。

作者簡介

　　Andrea Redaelli分別于2003年和2007年獲得意大利米蘭理工大學(xué)電子工程學(xué)士和博士學(xué)位。從2007年起，他加入意法半導(dǎo)體公司，從事非易失性存儲(chǔ)器先進(jìn)技術(shù)研究。從2008年到2013年，他曾擔(dān)任45nm和26nm PCM工藝開發(fā)的單元方面首席工程師，首先作為Numonyx公司員工，其后又加入美光科技公司。自2014年以來，Redaelli博士一直致力于3DXpointTM技術(shù)開發(fā)，負(fù)責(zé)單元堆棧優(yōu)化和前沿研究活動(dòng)。Redaelli博士是50多篇論文、100多項(xiàng)授權(quán)專利及提交申請(qǐng)專利的作者和共同作者。Fabio Pellizzer于1996年獲得意大利帕多瓦大學(xué)電子工程碩士學(xué)位。于1998年加入意法半導(dǎo)體公司，致力于幾代NOR閃存的開發(fā)。自2002年以來，他一直負(fù)責(zé)基于硫族化合物材料的相變存儲(chǔ)器的工藝開發(fā)。自2008年3月以來，他加入Numonyx公司擔(dān)任研發(fā)技術(shù)開發(fā)方面的相變存儲(chǔ)器研發(fā)經(jīng)理。于2011年5月，他加入美光科技公司，負(fù)責(zé)新存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)。現(xiàn)在，他是美國博伊西市的3DXPoint技術(shù)部門的杰出成員和單元開發(fā)經(jīng)理。他發(fā)表了60多篇論文，擁有130多項(xiàng)美國和歐洲授權(quán)專利。

圖書目錄

譯者序原書序原書前言致謝第1章　半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的歷史回顧11.1　20世紀(jì)80年代初：先驅(qū)者11.2　20世紀(jì)90年代：DRAM 技術(shù)驅(qū)動(dòng)因素41.3　新世紀(jì)：NAND技術(shù)驅(qū)動(dòng)因素61.4　通用存儲(chǔ)器的夢(mèng)想81.5　3D集成時(shí)代91.5.1　垂直3D DRAM面臨的挑戰(zhàn)111.5.2　NAND技術(shù)中的垂直3D演化121.5.3　3DxP技術(shù)141.6　未來16參考文獻(xiàn)19第2章　存儲(chǔ)器在當(dāng)今系統(tǒng)中的應(yīng)用232.1　系統(tǒng)的定義及多樣性232.1.1　電子系統(tǒng)的定義232.1.2　電子系統(tǒng)的多樣性 242.1.3　存儲(chǔ)器的作用 252.2　存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu) 272.2.1　存儲(chǔ)分層的目的272.2.2　本地內(nèi)存282.2.3　主內(nèi)存292.2.4　固態(tài)存儲(chǔ)312.2.5　打破存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)332.3　系統(tǒng)中存儲(chǔ)的架構(gòu)及目的332.3.1　實(shí)際應(yīng)用中的存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)332.3.2　本地內(nèi)存的系統(tǒng)使用342.3.3　主內(nèi)存在系統(tǒng)上的應(yīng)用362.3.4　固態(tài)存儲(chǔ)在系統(tǒng)上的應(yīng)用392.4　小結(jié)42參考文獻(xiàn)43第3章　SRAM技術(shù)現(xiàn)狀及前景443.1　引言443.2　SRAM位單元微縮化的挑戰(zhàn) 453.2.1　6T SRAM位單元操作與分析453.2.2　版圖和設(shè)計(jì)考慮493.2.3　波動(dòng)性和可靠性533.3　在納米微縮節(jié)點(diǎn)的SRAM微縮化和性能提升553.3.1　有源柵極上接觸（COAG）工藝553.3.2　埋入式供電的SRAM573.4　新器件環(huán)境下的SRAM613.4.1　器件微縮到3nm之下的新架構(gòu)613.4.2　基于納米片的SRAM613.4.3　基于叉片型的SRAM623.4.4　基于CFET的SRAM633.5　SRAM的混合集成643.6　小結(jié)68參考文獻(xiàn)68第4章　DRAM電路及工藝技術(shù)734.1　高帶寬和低功耗DRAM的發(fā)展趨勢(shì)734.2　電路技術(shù)734.2.1　核心電路754.2.2　數(shù)據(jù)路徑784.2.3　輸入/輸出794.2.4　直流電源824.3　DRAM工藝技術(shù)844.3.1　單元結(jié)構(gòu)844.3.2　單元存取晶體管864.3.3　單元電容器894.4　封裝及模組914.4.1　DRAM封裝歷史914.4.2　模組934.4.3　用于服務(wù)器/PC DRAM的DIMM934.4.4　用于移動(dòng)式DRAM的堆疊封裝944.4.5　HBM的堆疊封裝94參考文獻(xiàn)94第5章　NAND閃存技術(shù)現(xiàn)狀與展望995.1　引言995.2　NAND閃存基本原理1005.2.1　基本的存儲(chǔ)單元操作1005.2.2　NAND閃存陣列架構(gòu)1025.2.3　NAND閃存陣列操作1045.2.4　多比特操作1095.2.5　NAND閃存可靠性1115.3　從2D NAND到3D NAND1125.3.1　垂直NAND陣列基礎(chǔ)1135.3.2　與2D NAND相比的性能和可靠性改進(jìn)1145.3.3　3D NAND獨(dú)特的可靠性考慮因素1165.3.4　3D NAND陣列結(jié)構(gòu)1175.3.5　3D NAND微縮1195.4　3D NAND閃存的新興應(yīng)用1225.5　小結(jié)123參考文獻(xiàn)124第6章　嵌入式存儲(chǔ)解決方案：電荷存儲(chǔ)、阻性存儲(chǔ)和磁性存儲(chǔ)1336.1　引言1336.2　嵌入式非易失性存儲(chǔ)的演進(jìn)（傳統(tǒng)存儲(chǔ)）1366.3　嵌入式非易失性存儲(chǔ)的革命（新型存儲(chǔ)）1416.3.1　嵌入式FRAM1436.3.2　嵌入式RRAM1456.4　嵌入式PCM1476.4.1　PCM單元的演變1486.4.2　汽車級(jí)ePCM1526.4.3　28nm工藝的FDSOI ePCM1536.5　嵌入式MRAM1586.5.1　MRAM單元演變1596.5.2　RAM類MRAM對(duì)比NVM類MRAM1626.5.3　嵌入式MRAM技術(shù)現(xiàn)狀1676.6　未來展望1716.6.1　MRAM1716.6.2　PCM174參考文獻(xiàn)176第7章　SCM在服務(wù)器和大型系統(tǒng)中不斷演進(jìn)的作用1827.1　引言1827.2　非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的現(xiàn)狀1847.2.1　前景光明的SCM技術(shù)1867.2.2　單比特成本上的考慮1877.2.3　SCM在內(nèi)存-儲(chǔ)存層次結(jié)構(gòu)中的定位1887.3　英特爾傲騰存儲(chǔ)器1907.4　SCM運(yùn)用范例1927.4.1　作為數(shù)據(jù)儲(chǔ)存1927.4.2　用于儲(chǔ)存緩存1927.4.3　作為突發(fā)緩沖器1937.4.4　作為混合內(nèi)存-儲(chǔ)存的子系統(tǒng)1937.4.5　作為持久性內(nèi)存1947.5　利用SCMM的應(yīng)用程序1947.5.1　存內(nèi)數(shù)據(jù)庫1957.5.2　大型圖形應(yīng)用程序1967.5.3　文件系統(tǒng)1977.6　服務(wù)接口1987.6.1　高級(jí)編程模型1997.7　對(duì)云端的影響1997.7.1　云端和基礎(chǔ)設(shè)施即服務(wù)（IaaS）1997.7.2　虛擬機(jī)占用空間2007.7.3　單服務(wù)器部署更多容器2007.7.4　網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化（NFV）2017.7.5　分布式計(jì)算2017.8　未來前景2017.8.1　嵌入式SCM2027.8.2　存內(nèi)計(jì)算2037.9　小結(jié)203參考文獻(xiàn)204第8章　3DXpoint技術(shù)基礎(chǔ)2108.1　分立PCM架構(gòu)的歷史回顧2108.1.1　文獻(xiàn)綜述2108.1.2　PCM陣列操作2128.1.3　PCM性能和局限2168.1.4　PCM應(yīng)用2178.2　3DXpoint技術(shù)：PCM低成本SCM解決方案2188.2.1　3DXpoint陣列操作2218.2.2　讀操作2228.2.3　編程操作2228.2.4　OTS與PCM的要求及材料特性2238.2.5　3DXpoint單元性能2238.3　3DXpoint未來發(fā)展2258.4　3DXpoint系統(tǒng)2258.4.1　3DXpoint產(chǎn)品：儲(chǔ)存和內(nèi)存應(yīng)用2258.5　小結(jié)226參考文獻(xiàn)226第9章　其他新型存儲(chǔ)器2309.1　引言2309.2　導(dǎo)電細(xì)絲阻變RAM2319.2.1　導(dǎo)電細(xì)絲阻變RAM概述2319.2.2　關(guān)鍵挑戰(zhàn)2349.3　用于超低功耗存儲(chǔ)器的鐵電HfO22409.3.1　鐵電存儲(chǔ)器概述2409.3.2　技術(shù)現(xiàn)狀2449.3.3　持續(xù)發(fā)展和關(guān)鍵挑戰(zhàn)2479.4　小結(jié)247參考文獻(xiàn)248進(jìn)一步閱讀253第10章　面向人工智能的非易失性存內(nèi)計(jì)算25510.1　引言25510.2　用于IMC的存儲(chǔ)器件25610.2.1　RRAM25610.2.2　PCM25610.2.3　MRAM 25710.2.4　FeRAM25710.3　存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 25710.3.1　1S1R結(jié)構(gòu)25910.3.2　1T1R結(jié)構(gòu)25910.4　計(jì)算型存儲(chǔ)25910.4.1　離線訓(xùn)練26110.4.2　在線訓(xùn)練26310.5　IMC電路非理想性26510.6　IMC電路架構(gòu)26610.6.1　矩陣向量乘法（MVM）加速器26610.6.2　模擬閉環(huán)加速器26810.6.3　模擬內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器26910.7　小結(jié)270參考文獻(xiàn)271結(jié)語280