傳感器與MEMS設(shè)計(jì)制造技術(shù)

第一章 MEMS 與 MEMS 傳感器
1.1 微電子機(jī)械系統(tǒng) (MEMS)
1.1.1 簡(jiǎn)介 1
1.1.2 MEMS 技術(shù)涉及的學(xué)科 3
1.1.3 MEMS 制造工藝概述 3
1.2 MEMS 傳感器 6
1.2.1 傳感器 6
1.2.2 MEMS 傳感器簡(jiǎn)介 7
1.2.3 MEMS 傳感器舉例 8
1.3 本書結(jié)構(gòu) 13
第三章 光刻 15
3.1 紫外光刻 15
3.1.1 技術(shù)原理 15
3.1.2 光刻膠 17
3.1.3 掩模版 27
3.1.4 紫外光刻工藝 29
3.1.5 分辨率增強(qiáng)技術(shù) 44
3.2 直寫式光刻 61
3.2.1 電子束光刻 61
3.2.2 離子束光刻技術(shù) 63
3.2.3 激光直寫 64
3.2.4 立體光刻 66
3.2.5 微米級(jí) 3D 打印 68
3.3 軟光刻 70
3.3.1 納米壓印光刻 (NIL) 70
3.3.2 轉(zhuǎn)印 71
3.3.3 噴墨打印 73
第四章 介質(zhì)層加工 78
4.1 簡(jiǎn)介 78
4.1.1 概述 78
4.1.2 二氧化硅拋光結(jié)構(gòu)類型 78
4.1.3 二氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理 79
4.1.4 影響二氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光的因素（耗材分析） 80
4.2 熱氧化 82
4.2.1 定義 82
4.2.2 熱氧化的方法及過(guò)程 84
4.2.3 IC 制造中常用的氧化工藝（技術(shù)） 85
4.2.4 熱氧化工藝設(shè)備 86
4.2.5 熱氧化工藝的質(zhì)量檢測(cè) 89
4.3 外延 93
4.3.1 定義及簡(jiǎn)單介紹 93
4.3.2 硅外延的基本原理 94
4.3.3 外延生長(zhǎng)摻雜原理 94
4.3.4 外延設(shè)備 96
4.3.5 外延生長(zhǎng)的自摻雜 100
4.3.6 外延層中的晶體缺陷 102
4.3.7 化合物半導(dǎo)體外延技術(shù) 103
4.3.8 分子束外延 MBE (Molecular Beam Epitaxy) 106
4.4 化學(xué)氣相沉積（CVD） 107
4.4.1 低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD） 108
4.4.2 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD） 109
4.4.3 激光化學(xué)氣相沉積（LCVD） 111
4.5 物理氣相沉積 PVD 112
4.5.1 物理氣相沉積 PVD 技術(shù)簡(jiǎn)介 112
4.5.2 真空法制備薄膜 113
4.5.3 濺射法制備薄膜 115
4.6 原子層沉積技術(shù) 121
4.6.1 ALD 技術(shù)原理 121
4.6.2 ALD 發(fā)展概述 123
4.7 溶膠凝膠工藝 133
4.7.1 溶膠的制備 133
4.7.2 薄膜介質(zhì)層涂覆工藝 134
4.7.3 干燥及熱處理 136
參考文獻(xiàn) 136
第五章 金屬層加工 139
5.1 概述 139
5.2 金屬材料添加工藝 139
5.2.1 物理氣相淀積 PVD 139
5.2.2 化學(xué)氣相淀積 CVD 144
5.2.3 電化學(xué)沉積 ECD 145
5.3 金屬材料的刻蝕工藝 149
5.3.1 金屬濕法腐蝕 149
5.3.2 金屬干法刻蝕 150
5.4 微系統(tǒng)中金屬材料的選擇參考 152
5.4.1 粘附性 152
5.4.2 電氣性能 153
5.4.3 機(jī)械性能 154
5.4.4 熱性能 154
5.4.5 磁性能 155
5.5 案例 155
5.5.1 硅通孔金屬填充技術(shù) 155
第六章 干法刻蝕 161
6.1 引言（刻蝕的相關(guān)概念） 161
6.2 等離子體刻蝕 163
6.3 反應(yīng)離子刻蝕 164
6.3.1 RIE 165
6.3.2 ICP-RIE 166
6.3.3 DRIE 167
6.4 氣相刻蝕 169
6.4.1 氣相 HF 刻蝕 169
6.4.2 氣相 XeF2 刻蝕 170
6.5 離子束刻蝕（離子銑） 172
6.6 案例分析 174
6.6.1 多晶硅柵極刻蝕 174
6.6.2 二氧化硅刻蝕 176
6.6.3 金屬的刻蝕 179
6.7 總結(jié) 182
第八章 摻雜 184
8.1 生長(zhǎng)和外延 184
8.1.1 晶體生長(zhǎng) 184
8.1.2 晶體外延 188
8.2 擴(kuò)散 193
8.2.1 費(fèi)克 (Fick) 定律 194
8.2.2 擴(kuò)散分布 197
8.2.3 基本擴(kuò)散工藝 200
8.2.4 擴(kuò)散模擬 203
8.3 離子注入 204
8.3.1 離子注入機(jī) 204
8.3.2 注入離子的分布 215
8.3.3 注入后晶體損傷 218
8.3.4 注入工藝的應(yīng)用 219
8.4 等離子體摻雜 220
8.4.1 等離子體摻雜基礎(chǔ) 220
8.4.2 等離子體浸沒(méi)注入的應(yīng)用 222