先進(jìn)半導(dǎo)體材料性能與數(shù)據(jù)手冊(cè)

定　價(jià)：￥35.00

作　者：	（俄）Michael E.Levinshtein，（俄）Sergey L.Rumyantsev，（美）Michael S.Shur編；楊樹人，殷景志譯；楊樹人譯
出版社：	化學(xué)工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787502547462	出版時(shí)間：	2003-09-01	包裝：	平裝
開本：	23cm	頁(yè)數(shù)：	268	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書涉及的GaN等六種半導(dǎo)體材料是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)，因此，稱它們?yōu)橄冗M(jìn)半導(dǎo)體材料，對(duì)它們開展深入研究具有重大科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值。以GaN為首的氮化物和碳化硅作為寬帶半導(dǎo)體材料可用來(lái)制作短波長(zhǎng)發(fā)光器件和高溫下工作的電子器件。有人把它們與Si和GaAs相比，分別稱Si為第一代，GaAs為第二代半導(dǎo)體材料，而把它們稱為第三代半導(dǎo)體材料，可見其重要性。當(dāng)前利用GaN基材料制作近紫外、藍(lán)色、綠色發(fā)光二極管已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，制作的激光器也達(dá)到實(shí)用化水平。特別應(yīng)指出它們還是“半導(dǎo)體照明工程”的首選材料，如果這一工程得以實(shí)現(xiàn)，將引起人類生活發(fā)生重大變革。Si和Ge都是間接帶隙元素半導(dǎo)體，利用它們很難制作出高效率的發(fā)光器件，但它們的合金SiGe卻有可能實(shí)現(xiàn)光學(xué)直接躍遷。盡管由SiGe合金熔體很難拉制出組成均勻的單晶，然而隨著“能帶工程”的發(fā)展，可以用Si單晶片作為襯底，用外延的方法生長(zhǎng)應(yīng)變的或弛豫的SiGe／Si材料。這種Si基半導(dǎo)體材料是非常重要的微電子集成電路和光電子集成電路材料，在SiGe上做良好的發(fā)光器件，利用成熟的硅集成技術(shù)在襯底上制作集成電路，兩者結(jié)合起來(lái)形成光電集成電路。雖然現(xiàn)在還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，但已經(jīng)取得相當(dāng)大的進(jìn)展，利用這種材料制作的HBT已經(jīng)應(yīng)用到無(wú)線通信系統(tǒng)中。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《先進(jìn)半導(dǎo)體材料性能與數(shù)據(jù)手冊(cè)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第1章氮化鎵（GaN）
1．1 300K時(shí)的基本參數(shù)
1．2 能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度
1．3 電特性
1．4 光學(xué)特性
1．5 熱特性
1．6 力學(xué)性質(zhì)，彈性常數(shù)，晶格振動(dòng)，其他特性第2章氮化鋁（AlN）
2．1 300K時(shí)的基本參數(shù)
2．2 能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度
2．3 電特性
2．4 光學(xué)特性
2．5 熱特性
2．6 力學(xué)性質(zhì)、彈性常數(shù)、晶格振動(dòng)，其他特性第3章氮化銦（InN）
3．1 300K時(shí)的基本參數(shù)
3．2 能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度
3．3 電特性
3．4 光學(xué)特性
3．5 熱特性
3．6 力學(xué)性質(zhì)，彈性常數(shù)、晶格振動(dòng)，其他特性第4章氮化硼（BN）
4．1 300K時(shí)的基本參數(shù)
4．2 能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度
4．3 電特性
4．4 光學(xué)特性
4．5 熱特性
4．6 力學(xué)性質(zhì)，彈性常數(shù)，晶格振動(dòng)，其他特性第5章碳化硅（SiC）
5．1 300K時(shí)的基本參數(shù)
5．2 能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度
5．3 電特性
5．4 光學(xué)特性
5．5 熱特性
5．6 力學(xué)性質(zhì)，彈性常數(shù)、晶格振動(dòng)，其他特性
第6章鍺化硅（Si1-xGex）
6．1 300K時(shí)無(wú)應(yīng)力體材料的基本參數(shù)
6．2 能帶結(jié)構(gòu)和載流子濃度
6．3 電特性
6．4 光學(xué)特性
6．5 熱特性
6．6 力學(xué)性質(zhì)，彈性常數(shù)，晶格振動(dòng)，其他特性